一种化学机械抛光液及其应用制造技术

本发明专利技术提供了一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒，含一个或多个羧基的含氮杂环化合物，唑类化合物及其衍生物，有机酸，氧化剂。本发明专利技术的抛光液同时具有较高的铜抛光速率氮化硅抛光速率，而且铜和氮化硅的抛光速率比接近1:1，从而用于抛光含有铜和氮化硅的晶片时，降低了抛光后的晶片表面的碟形凹陷，提高了表面平整度。

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光液及其应用
本专利技术涉及化学机械抛光领域，尤其涉及一种化学机械抛光液及其应用。
技术介绍
在晶圆的制作中,氮化硅材料通常作为阻挡层或者刻蚀终止层来保护下层结构。在半导体装置的生产中，在各个阶段都要进行去除氮化硅层的步骤，例如在形成元素分离结构的步骤中，要除去作为阻挡层的氮化硅层。目前常用的去除氮化硅层的方法，是在约150℃的高温下，使用磷酸/硝酸混合溶液等液体，通过湿法刻蚀方法去除氮化硅层。而对于化学机械抛光液来说，大多数的抛光液都是力求降低氮化硅的去除速率，而得到其他材料相对比较高的去除速率。比如在浅沟槽隔离(STI)工艺中，氮化硅作为终止层，使用的化学机械抛光液则需要具有高的二氧化硅去除速率及较低的氮化硅。而在半导体新兴技术中，铜和氮化硅材料会同时应用于同一晶片中，这就需要在抛光氮化硅的同时抛光金属铜。而现有的化学机械抛光液，在抛光含有铜和氮化硅的晶片时，对铜和氮化硅的抛光速率差异很大，从而导致抛光后的晶片表面产生碟形凹陷，表面平整度差。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供了本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒，含一个或多个羧基的含氮杂环化合物，唑类化合物及其衍生物，有机酸，氧化剂。/n

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒，含一个或多个羧基的含氮杂环化合物，唑类化合物及其衍生物，有机酸，氧化剂。


2.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述二氧化硅研磨颗粒的质量百分比含量为1％-15％。


3.根据权利要求2所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述二氧化硅研磨颗粒的质量百分比含量为5％-15％。


4.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述含一个或多个羧基的含氮杂环化合物包括含一个或多个羧基的吡啶化合物、哌啶化合物、吡咯烷化合物或吡咯化合物中的一种或多种。


5.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述含一个或多个羧基的含氮杂环化合物包括2-羧基吡啶、3-羧基吡啶、4-羧基吡啶、2，3-二羧基吡啶、2，4-二羧基吡啶、3，4-二羧基吡啶、2，6-二羧基吡啶、3，5-二羧基吡啶、2-羧基哌啶、3-羧基哌啶、4-羧基哌啶、2，3-二羧基哌啶、2，4-二羧基哌啶、2，6-二羧基哌啶、3，5-二羧基哌啶、2-羧基吡咯烷、3-羧基吡咯烷、2，4-二羧基吡咯烷、2，5-二羧基吡咯烷、2-羧基吡咯、3-羧基吡咯、2，5-二羧基吡咯中的一种或多种。


6.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述含一个或多个羧基的含氮杂环化合物的质量百分比含量为0.01％-0.5％。


7.根据权利要求6所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述含一个或多个羧基的含氮杂环化合物的质量百分比含量为0.01％-0.1％。


8.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述唑类化合物及其衍生物包括1，2，3-三氮唑、1H-四氮唑、1，2，4-三氮唑、1-甲基-5氨基四氮唑...

【专利技术属性】
技术研发人员：周文婷，荆建芬，宋凯，汪国豪，杨俊雅，李恒，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31