一种化学机械抛光液制造技术

本发明专利技术提供了一种碱性化学机械抛光液，其含有二氧化硅研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、阴离子表面活性剂、钾盐和氧化剂。本发明专利技术的抛光液中加入了阴离子表面活性剂，改善了在高离子强度、高固含量下的胶体稳定性；静置较长时间后，抛光液的抛光速率不受影响，从而使得本发明专利技术的化学机械抛光液可以多倍浓缩，降低了抛光液的生产、存储及运输成本。

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光液
本专利技术涉及化学机械抛光领域，尤其涉及一种化学机械抛光液。
技术介绍
目前，在大规模集成电路制造中，随着互连技术标准的不断的提高、互连层数不断的增加、工艺特征尺寸不断的缩小，对硅片表面平整度的要求也越来越高。化学机械抛光(CMP)是目前能够实现整个硅片表面平坦化最有效的方法。在大马士革铜制程中会采用多种材料，例如绝缘层材料TEOS、金属铜Cu、阻挡层材料Ta或TaN以及一些封盖层材料。在90nm以下的制程中，会使用低介电材料。这些材料具有不同的化学组成和机械强度，抛光液对它们的抛光速率是不同的。在CMP过程中，需要完全除去阻挡层、部分绝缘层材料和铜，以保证抛光后的表面形貌。这个步骤的抛光要求抛光液具有较高的绝缘层材料和阻挡层的抛光速率。现有技术的方法主要依靠增大磨料颗粒的含量来提高绝缘层和阻挡层的抛光速率。目前，CMP所用的研磨颗粒一般为二氧化硅溶胶，二氧化硅胶体可以在水溶液中均匀分散，不沉降，甚至可以保持1至3年的长时间稳定。研磨颗粒在水相中的稳定现象可以采用双电层理论进行解释：由于每一个颗粒表面都带有相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碱性化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、阴离子表面活性剂、钾盐和氧化剂。/n

【技术特征摘要】
1.一种碱性化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、阴离子表面活性剂、钾盐和氧化剂。


2.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述浓缩样中研磨颗粒的质量百分比含量为10％-35％。


3.根据权利要求2所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述浓缩样中研磨颗粒的质量百分比含量为15％-30％。


4.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述研磨颗粒的粒径为20nm-200nm。


5.根据权利要求4所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述研磨颗粒的粒径为40nm-160nm。


6.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述唑类化合物包括苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、5-苯基四氮唑、5-氨基-四氮唑、巯基苯基四氮唑、苯并咪唑、萘并三唑、2-巯基-苯并噻唑中的一种或多种。


7.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述唑类化合物的质量百分比含量为0.005％-1％。


8.根据权利要求7所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述唑类化合物的质量百分比含量为0.01％-0.5％。


9.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述络合剂包括乙酸、丙酸、草酸、丙二酸、丁二酸、柠檬酸、磷酸、乙二胺四乙酸、2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸、氨基三甲叉膦酸、羟基乙叉二膦酸、乙二胺四甲叉膦酸中的一种或多种。


10.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述络合剂的质量百分比含量为0.01％-2％。


11.根据权利要求10所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述络合剂的质量百分比含量为0.05％-1...

【专利技术属性】
技术研发人员：卞鹏程，荆建芬，姚颖，李恒，黄悦锐，马健，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31