基底贴膜方法及封装方法技术

本发明专利技术提供一种基底贴膜方法及封装方法，提供一黏贴膜，加热所述黏贴膜至预定温度后再将所述黏贴膜贴覆至基底形成有焊盘的表面，使所述黏贴膜与所述焊盘尽可能的完全贴合。本发明专利技术在黏贴膜贴覆至基底之前，对所述黏贴膜进行加热处理，使所述黏贴膜受热均匀，避免贴覆过程中在基底表面产生气泡，进而防止对后续的制程造成干扰，保证产品的可靠性。进一步的，与现有基底贴膜工艺相比，本发明专利技术中黏贴膜由间接加热变为直接加热，所述黏贴膜更易获得最佳的工艺温度，使得工艺控制更直观。

Substrate coating method and packaging method

【技术实现步骤摘要】
基底贴膜方法及封装方法
本专利技术涉及封装
，特别涉及一种基底贴膜方法及封装方法。
技术介绍
随着电子产品多功能化和小型化的潮流，高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展，尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。随之，芯片的封装技术也经历了快速的发展。芯片的封装不但为芯片提供隔离周围环境的保护，更进一步为芯片提供一个连接界面。其中，扇出型晶圆级封装技术(Fan-outWaferLevelPackage,FOWLP)是将性能完好的芯片嵌入至塑封材料或基体中，通过金属再分布线层(RDL)等金属连接方式实现芯片与其他器件的连接。扇出型晶圆级封装技术有效缩小了封装体的厚度和大小，能够兼容多种芯片的封装，成本更低，器件性能更高，成为现阶段封装工艺的热点。最常见的也是最早出现的扇出型晶圆级封装技术是嵌入式晶圆级球栅阵列(EmbeddedWaferLevelBallGridArray，eWLB)方案，此方案将性能完好的芯片(Gooddie)重组且正面朝下(Facedown)贴装在载体上(Carrier)上，整体进行塑封，重构晶圆，载体拆除后进行表面布线以及植球，最后切割成单个封装体，从而实现I/O(输入/输出)管脚扇出。在上述封装方案中，性能完好的芯片(Gooddie)重组之前需要在晶圆进行贴膜(Mounting)和切割(Sawing)工艺，其中，晶圆贴膜工艺是将在晶圆形成有焊盘的表面贴上一黏贴膜(通常称之为DAF或粘片膜)，该DAF作为晶圆切割的支撑结构和后续芯片切割(DieAttach，简称DA)工艺的连接膜。常用的晶圆贴膜方法为：通过对载有晶圆的吸附平台进行加热，进而对晶圆进行加热以使其达到预定的工艺温度，然后将黏贴膜贴合至加热后的晶圆表面。然而，这种晶圆贴膜方法，晶圆表面容易形成气泡，给产品的可靠性性造成极大的风险。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种基底贴膜方法，可减少甚至避免在晶圆表面形成气泡，提高产品的可靠性。本专利技术提供一种基底贴膜方法，包括：提供一基底，且所述基底表面形成有焊盘；提供一黏贴膜，加热所述黏贴膜至预定温度；以及将所述黏贴膜贴覆至所述基底形成有焊盘的表面，使所述黏贴膜与所述焊盘贴合。可选的，所述黏贴膜的加热温度为20℃-60℃。可选的，所述黏贴膜为DAF；可选的，所述DAF包括：基底层、粘附层和释放层，所述粘附层设置在所述基底层和所述释放层之间。可选的，从所述DAF中将所述释放层分离后，将所述基底层和粘附层贴覆至所述晶圆形成有焊盘的表面，所述粘附层与所述焊盘完全贴合。可选的，对所述黏贴膜的加热方法包括：引入气体并对气体加热；将所述释放层从所述DAF中剥离；以及利用加热后的气体对所述粘附层进行吹扫加热。可选的，通过对引入气体的管路加热实现所述气体的加热。可选的，所述气体的加热温度为30℃-70℃。可选的，对所述粘附层进行加热以使所述粘附层软化且能够维持未固化状态。可选的，所述粘附层的加热温度为20℃-60℃。可选的，所述基底为晶圆，所述基底形成有焊盘的表面还形成有钝化层，所述钝化层覆盖所述基底形成有焊盘的表面并在所述焊盘上方形成有暴露所述焊盘的开口。可选的，所述黏贴膜填充所述开口。可选的，所述基底贴膜方法还包括，对所述基底进行加热。可选的，对所述基底进行加热之前，对所述基底异于形成有焊盘的表面的一面进行减薄。可选的，通过研磨、化学机械抛光、湿法刻蚀或干法刻蚀的方式对所述基底进行减薄。可选的，所述基底减薄后的厚度为150μm-200μm。可选的，将所述黏贴膜贴覆至所述基底形成有焊盘的表面后，通过紫外光照射对所述黏贴膜进行预固化。相应的，本专利技术提供一种封装方法，包括：采用上述的基底贴膜方法，将黏贴膜贴覆至基底形成有焊盘的表面；将所述贴覆有黏贴膜的基底切割成若干独立芯片；将所述芯片贴合至载体。可选的，所述载体为印刷电路板、引线框或芯片。可选的，所述封装方法为扇出型晶圆级封装方法。综上所述，本专利技术提供一种基底贴膜方法，先提供一黏贴膜，然后加热所述黏贴膜至预定温度，再将所述黏贴膜贴覆至晶圆形成有焊盘的表面，使所述黏贴膜与所述焊盘尽可能的完全贴合。本专利技术在黏贴膜贴覆至晶圆之前，对所述黏贴膜进行加热处理，使所述黏贴膜受热均匀，减少甚至避免黏贴膜贴覆过程中在晶圆表面产生气泡，进而防止对后续的制程造成干扰，保证产品的可靠性。进一步的，与现有基底贴膜工艺相比，本专利技术中黏贴膜由间接加热变为直接加热，所述黏贴膜更易获得最佳的工艺温度，降低工艺控制难度。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种基底贴膜方法的流程图；图2为本专利技术实施例中晶圆的示意图；图3为本专利技术实施例中DAF的结构示意图；图4A-图4D为本专利技术实施例提供的一种基底贴膜方法相应步骤的结构示意图；图5A-图5E为本专利技术实施例中提供的一种封装方法中相应步骤的结构示意图。附图标记：10-陶瓷真空吸附平台；100-晶圆；110-芯片；101-焊盘；102-钝化层；103-开口；104-塑封材料；105-金属再分布层；106-介电层；107-凸点下金属层；108-焊球；120-黏贴膜；121-基底层；122-粘附层；123-释放层；124-卷筒；200-载体。具体实施方式由
技术介绍
可知，在现有晶圆贴膜工艺中，通过对载有晶圆的吸附平台进行加热，进而对晶圆进行加热直至晶圆达到预定的工艺温度，然后将黏贴膜贴合至晶圆形成有焊盘的表面。专利技术人发现，这种晶圆贴膜方法，黏贴膜间接受热，温度很难达到其最佳的工艺温度，黏贴膜与晶圆表面的焊盘无法完全贴合，容易在晶圆表面形成气泡，特别是与焊盘贴合处，给后续的制程造成干扰，如在后续再分布金属层(RDL)制作工艺中晶圆表面处的气泡会导致再分布金属层中线路开路，给产品的可靠性性造成极大的风险。专利技术人曾试图采用如下两种方法解决上述气泡问题：一种方法是，利用真空贴膜机进行晶圆贴膜，但这种贴膜方法需要更换现有贴膜设备，且使用真空贴膜机生产成本较高；另一种方法是，在进行晶圆贴膜工艺前采用PECVD工艺在所述晶圆表面焊盘区域沉积氧化物，并利用化学机械研磨(CMP)技术对焊盘区域沉积的氧化物进行平坦化，以使晶圆表面平整进而减少贴膜过程中形成气泡，但这种方法需要在后续工艺中(制作再分布金属层之前)将焊盘区域填充的氧化物去除以暴露焊盘，氧化物的去除会影响后续黏贴膜的刻蚀形貌，工艺复杂且存在风险。基于上述研究，本专利技术实施例提供一种基底贴膜方法及封装方法，先加热黏贴膜至预定温度，然后将所述黏贴膜贴覆至基底形成有焊盘的表面，使所述黏贴膜与所述焊盘尽可能的完全贴合。本专利技术实施例在黏贴膜贴覆至基底之前，对所述黏贴膜进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基底贴膜方法，其特征在于，包括：/n提供一基底，所述基底表面形成有若干焊盘；/n提供一黏贴膜，加热所述黏贴膜至预定温度；以及/n将所述黏贴膜贴覆至所述基底形成有焊盘的表面，使所述黏贴膜与所述焊盘贴合。/n

【技术特征摘要】
1.一种基底贴膜方法，其特征在于，包括：
提供一基底，所述基底表面形成有若干焊盘；
提供一黏贴膜，加热所述黏贴膜至预定温度；以及
将所述黏贴膜贴覆至所述基底形成有焊盘的表面，使所述黏贴膜与所述焊盘贴合。


2.根据权利要求1所述基底贴膜方法，其特征在于，所述黏贴膜的加热温度为20℃-60℃。


3.根据权利要求1所述基底贴膜方法，其特征在于，所述黏贴膜为DAF。


4.根据权利要求3所述基底贴膜方法，其特征在于，所述DAF包括：基底层、粘附层和释放层，所述粘附层设置在所述基底层和所述释放层之间。


5.根据权利要求4所述基底贴膜方法，其特征在于，从所述DAF中将所述释放层分离后，将所述基底层和粘附层贴覆至所述基底形成有焊盘的表面，所述粘附层与所述焊盘贴合。


6.根据权利要求5所述基底贴膜方法，其特征在于，对所述黏贴膜的加热方法包括：
引入气体并对气体加热；
将所述释放层从所述DAF中剥离；以及，
利用加热后的气体对所述粘附层进行吹扫加热。


7.根据权利要求6所述基底贴膜方法，其特征在于，通过对引入气体的气管进行加热以实现所述气体的加热。


8.根据权利要求6所述基底贴膜方法，其特征在于，所述气体的加热温度为30℃-70℃。


9.根据权利要求6所述基底贴膜方法，其特征在于，对所述粘附层进行加热以使所述粘附层软化且能够维持未固化状态。


10.根据权利要求6所述基底贴膜方法，其特征在于，所述粘附层的加热温度为20℃-60℃。

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【专利技术属性】
技术研发人员：王昭龙，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33