静电卡盘及等离子体加工装置制造方法及图纸

一种静电卡盘，包括：一卡盘本体；至少一隔离环，穿设于所述卡盘本体中，每一所述隔离环用于将所述卡盘本体划分为两个卡盘区，两个所述卡盘区分别位于所述隔离环的内侧和外侧且相互电性隔绝；以及一偏置射频功率源，通过一功率分配器连接每一所述卡盘区，所述偏置射频功率源用于通过所述功率分配器独立地向每一所述卡盘区提供射频功率。本发明专利技术还提供一种具有所述静电卡盘的等离子体加工装置。

【技术实现步骤摘要】
静电卡盘及等离子体加工装置
本专利技术涉及一种半导体制造领域，尤其涉及一种静电卡盘及具有所述静电卡盘的等离子体加工装置。
技术介绍
对半导体晶圆的蚀刻过程中通常需要使用等离子加工装置。所述等离子加工装置包括密封的处理室和设置于所述处理器中的静电卡盘。所述静电卡盘作为承载所述半导体晶圆的载物台。通过对上部电极和下部电极之间施加高频电力，从而产生等离子体，并通过所述等离子体对所述半导体晶圆进行蚀刻处理。然而，在所述等离子体朝向所述半导体晶圆运动的过程中，所述等离子体在所述半导体晶圆不同位置上的分布浓度/密度可能有所差异，造成所述半导体晶圆不同位置蚀刻速度(单位时间在所述半导体晶圆上的蚀刻深度)不同，蚀刻均匀性不佳。例如，所述半导体晶圆的中心附近的蚀刻速度大而周边区域蚀刻速度小。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种能够有效提高半导体晶圆的蚀刻均匀性的静电卡盘。另，还有必要提供一种具有所述静电卡盘的等离子体加工装置。本专利技术提供一种静电卡盘，包括：一卡盘本体；至少一隔离环，穿设于所述卡盘本体中，每一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电卡盘，其特征在于：包括：/n一卡盘本体；/n至少一隔离环，穿设于所述卡盘本体中，每一所述隔离环用于将所述卡盘本体划分为两个卡盘区，两个所述卡盘区分别位于所述隔离环的内侧和外侧且相互电性隔绝；以及/n一偏置射频功率源，通过一功率分配器连接每一所述卡盘区，所述偏置射频功率源用于通过所述功率分配器独立地向每一所述卡盘区提供射频功率。/n

【技术特征摘要】
20181221 US 62/7843331.一种静电卡盘，其特征在于：包括：
一卡盘本体；
至少一隔离环，穿设于所述卡盘本体中，每一所述隔离环用于将所述卡盘本体划分为两个卡盘区，两个所述卡盘区分别位于所述隔离环的内侧和外侧且相互电性隔绝；以及
一偏置射频功率源，通过一功率分配器连接每一所述卡盘区，所述偏置射频功率源用于通过所述功率分配器独立地向每一所述卡盘区提供射频功率。


2.如权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述卡盘本体包括一导电基底以及一位于所述导电基底上的导电层，所述隔离环穿过所述导电基底和所述导电层并将所述导电层划分为至少两个导电区域，至少两个所述导电区域分别位于至少两个所述卡盘区内，所述偏置射频功率源通过所述功率分配器独立地向每一所述导电区域提供射频功率。


3.如权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，所述静电卡盘还包括一第一绝缘层，所述第一绝缘层包覆所述导电层的侧面以及所述导电层远离所述导电基底的表面，所述第一绝缘层中设有一静电电极。


4.如权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，所述静电卡盘还包括至少两个导电销，所述导电基底在每一所述卡盘区内开设有一通孔，每一所述导电销穿设于其中一所述通孔并连接所述导电层，所述偏置射频功率源通过所述功率分配器连接每一所述导电销，从而通过所述导电销向每一所述导电区域提供射频功率。


5.如权利要求4所述的静电卡盘，其特征在于，所述导电基底在形成每一所述通孔的内壁设有一第二绝缘层，每一所述第二绝缘层围绕其中一所述导电销的外周以电性隔绝所述导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李焕珪，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37