芯片的晶圆级封装方法和封装体技术

本发明专利技术公开了一种芯片的晶圆级封装方法和封装体。所述芯片的晶圆级封装方法包括以下步骤：在晶圆的上表面开设切割槽；在晶圆的上表面和切割槽中覆设第一保护层；在第一保护层中形成与芯片电性连接的导电凸块；研磨芯片的下表面，形成接触面；在接触面上覆设第二保护层；切割晶圆，获得多个包含有芯片的封装体。通过设置第一保护层、第二保护层，将芯片全面包封，隔离了芯片与外界的接触，提高了芯片的超敏等级。

Wafer level packaging method and package body of chip

【技术实现步骤摘要】
芯片的晶圆级封装方法和封装体
本申请涉及
，尤其涉及一种芯片的晶圆级封装方法和封装体。
技术介绍
在现有技术中，芯片的封装方法通常为在芯片上表面铺设钝化层，在钝化层开设凹槽，并在凹槽中进行植珠，之后对其进行塑封研磨，包括研磨芯片正面的塑封材料和芯片的背面，从而使得整体结构的厚度减薄。在此过程中，钝化层与芯片的之间容易出现间隙，从而导致整体结构的密封性差，芯片的功能区容易暴露并与外界进行接触，使得芯片超敏等级低下，不易于器件的保存。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种芯片的晶圆级封装方法和封装体，所述芯片的晶圆级封装方法和封装体可实现芯片与外界的隔离。根据本专利技术实施例的第一方面，提供一种芯片的晶圆级封装方法，所述芯片的晶圆级封装方法包括以下步骤：在晶圆的上表面开设切割槽；在晶圆的上表面和切割槽中覆设第一保护层；在第一保护层中形成与芯片电性连接的导电凸块；研磨芯片的下表面，形成接触面；在接触面上覆设第二保护层；切割晶圆，获得多个包含有芯片的封装体。较本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述芯片的晶圆级封装方法包括以下步骤：/n在晶圆的上表面开设切割槽；/n在晶圆的上表面和切割槽中覆设第一保护层；/n在第一保护层中形成与芯片电性连接的导电凸块；/n研磨芯片的下表面，形成接触面；/n在接触面上覆设第二保护层；/n切割晶圆，获得多个包含有芯片的封装体。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述芯片的晶圆级封装方法包括以下步骤：
在晶圆的上表面开设切割槽；
在晶圆的上表面和切割槽中覆设第一保护层；
在第一保护层中形成与芯片电性连接的导电凸块；
研磨芯片的下表面，形成接触面；
在接触面上覆设第二保护层；
切割晶圆，获得多个包含有芯片的封装体。


2.如权利要求1所述的芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述切割槽位于晶圆上的相邻两个芯片之间。


3.如权利要求1所述的芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述切割晶圆是在所述切割槽的位置进行切割。


4.如权利要求1所述的芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述在第一保护层中形成与芯片电性连接的导电凸块，包括：
在芯片的功能区位置的第一保护层的上表面开设容纳槽，所述容纳槽贯穿所述第一保护层；
在容纳槽中形成导电凸块，导电凸块电连接于芯片的功能区；
所述在芯片的功能区位置的第一保护层的上表面开设容纳槽，采用激光开槽；
所述在容纳槽中形成导电凸块，采用植球工艺和回流焊工艺。


5.如权利要求1所述的芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍炎，
申请(专利权)人：无锡华润安盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32