【技术实现步骤摘要】
半导体面板、半导体封装及其制造方法
本公开通常涉及半导体技术。特别地，本公开涉及半导体面板、半导体封装及其制造方法。
技术介绍
半导体器件可以半导体封装的形式进行制造，即含有一个或多个半导体电子元件的金属、塑料、玻璃或陶瓷外壳。可将封装成本看作是半导体产业的主要驱动力之一。功率半导体封装的设计和生产可能会加以特殊要求。例如，功率封装的导电路径可能需要被设计为适当地处理存在的高电流。半导体器件的制造商在不断地努力改进他们的产品及其制造方法。因此，期望开发出用于制造半导体器件的方法，该方法提供改进的和有成本效益的器件生产，并且可特别适用于功率半导体封装的生产。
技术实现思路
本公开的方面涉及制造半导体面板的方法。该方法包括提供第一预聚物形成件。该方法进一步包括将多个半导体芯片布置在第一预聚物形成件上。该方法进一步包括将第二预聚物形成件附接至第一预聚物形成件，其中将半导体芯片布置在所附接的预聚物形成件之间，并且其中所附接的预聚物形成件形成封装半导体芯片的半导体面板。本公开进一步的方面涉及半导体封装。半导...
【技术保护点】
1.一种用于制造半导体面板的方法，所述方法包括：/n提供第一预聚物形成件；/n将多个半导体芯片布置在所述第一预聚物形成件之上；并且/n将第二预聚物形成件附接至所述第一预聚物形成件，/n其中所述半导体芯片被布置在所附接的预聚物形成件之间，并且/n其中所附接的预聚物形成件形成封装所述半导体芯片的所述半导体面板。/n
【技术特征摘要】
20181221 DE 102018133344.71.一种用于制造半导体面板的方法，所述方法包括：
提供第一预聚物形成件；
将多个半导体芯片布置在所述第一预聚物形成件之上；并且
将第二预聚物形成件附接至所述第一预聚物形成件，
其中所述半导体芯片被布置在所附接的预聚物形成件之间，并且
其中所附接的预聚物形成件形成封装所述半导体芯片的所述半导体面板。
2.根据权利要求1所述的方法，其中布置所述半导体芯片包括：
将所述半导体芯片布置在所述第一预聚物形成件的多个凹槽中。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中布置所述半导体芯片包括：
将所述半导体芯片的电接触部布置在所述第一预聚物形成件的通孔之上。
4.根据权利要求3所述的方法，其中布置所述电接触部包括：
将半导体芯片的第一电接触部布置在第一通孔之上，并且
将所述半导体芯片的第二电接触部布置在邻近所述第一通孔的第二通孔之上，
其中通过分离结构将所述第一通孔和所述第二通孔分离。
5.根据前述任一权利要求所述的方法，其中附接所述第二预聚物形成件包括：
将所述第二预聚物形成件的通孔布置在所述半导体芯片的电接触部之上。
6.根据前述任一权利要求所述的方法，进一步包括：
将金属化材料沉积到所述预聚物形成件中的至少一个的通孔中，其中所述沉积的金属化材料电气耦合于所述半导体芯片的电接触部。
7.根据权利要求6所述的方法，其中沉积所述金属化材料包括：
将金属和金属合金中的至少一种冷气喷涂到所述通孔中。
8.根据权利要求6或7所述的方法，进一步包括：
部分地移除所述预聚物形成件和所述金属化材料中的至少一个，其中在所述移除之后，将所述预聚物形成件中的至少一个的表面和所述金属化材料的表面布置在共同平面上。
9.根据权利要求6到8之一所述的方法，其中
所述第一预聚物形成件包括延伸穿过所述第一预聚物形成件的第一过孔，
所述第二预聚物形成件包括延伸穿过所述第二预聚物形成件的第二过孔，
附接所述第二预聚物形成件包括在所述第一过孔和所述第二过孔之间提...
【专利技术属性】
技术研发人员：T·迈尔，A·格拉斯曼，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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