半导体面板、半导体封装及其制造方法技术

用于制造半导体面板的方法，包含提供第一预聚物形成件。该方法进一步包含将多个半导体芯片布置在第一预聚物形成件上。该方法进一步包含将第二预聚物形成件附接至第一预聚物形成件，其中将半导体芯片布置在所附接的预聚物形成件之间，并且其中所附接的预聚物形成件形成封装半导体芯片的半导体面板。

【技术实现步骤摘要】
半导体面板、半导体封装及其制造方法
本公开通常涉及半导体技术。特别地，本公开涉及半导体面板、半导体封装及其制造方法。
技术介绍
半导体器件可以半导体封装的形式进行制造，即含有一个或多个半导体电子元件的金属、塑料、玻璃或陶瓷外壳。可将封装成本看作是半导体产业的主要驱动力之一。功率半导体封装的设计和生产可能会加以特殊要求。例如，功率封装的导电路径可能需要被设计为适当地处理存在的高电流。半导体器件的制造商在不断地努力改进他们的产品及其制造方法。因此，期望开发出用于制造半导体器件的方法，该方法提供改进的和有成本效益的器件生产，并且可特别适用于功率半导体封装的生产。
技术实现思路
本公开的方面涉及制造半导体面板的方法。该方法包括提供第一预聚物形成件。该方法进一步包括将多个半导体芯片布置在第一预聚物形成件上。该方法进一步包括将第二预聚物形成件附接至第一预聚物形成件，其中将半导体芯片布置在所附接的预聚物形成件之间，并且其中所附接的预聚物形成件形成封装半导体芯片的半导体面板。本公开进一步的方面涉及半导体封装。半导体封装包括第一预聚物形成件。半导体封装进一步包括附接至第一预聚物形成件上的第二预聚物形成件。半导体封装进一步包括布置在所附接的预聚物形成件之间的半导体芯片，其中所附接的预聚物形成件形成封装半导体芯片的半导体封装。附图说明包含附图以提供对各个方面进一步的理解，并且附图被并入本说明书且构成本说明书的一部分。附图阐明了各个方面且与说明书一起解释了各个方面的原理。随着通过参考下列的详细说明将变得更好理解，其它方面以及各个方面的很多预期优点将会更易于被领会。附图中的各要素互相之间并不一定是等比例绘制的。类似的参考标号指示相应的相似部分。图1包含图1A至1C，示意性地示出了根据本公开的用于制造半导体面板100的方法的横截面侧视图。图2示意性地示出了根据本公开的半导体封装200的横截面侧视图。图3包括图3A至3J，示意性地示出了根据本公开的用于制造半导体面板和半导体封装300的方法的横截面侧视图。图4示意性地示出了根据本公开的半导体封装400的横截面侧视图。图5示意性地示出了根据本公开的半导体封装500的横截面侧视图。图6示出了根据本公开用于制造半导体面板的方法的流程图。具体实施方式在下面的详细说明中，参考附图，在附图中以说明的方式示出了可实践本公开的特定方面。在这点上，可参考所描述的附图的方向来使用比如“顶部”、“底部”、“前面”、“后面”等方向性的术语。因为可以以许多不同的方向放置所描述器件的元件，所以方向性的术语被用于说明，而绝非是限制性的。在不偏离本公开的构思下，可利用其它方面且可进行结构的或逻辑的改变。因此，下列的详细说明不是限制性的，而本公开的构思由所附的权利要求所限定。图1包含图1A至1C，示意性地示出了根据本公开用于制造半导体面板100的方法的横截面侧视图。以通用方式示出了图1的方法，以便定性地具体说明本公开的方面。该方法可包含为了简单起见未示出的其它方面。例如，该方法可通过结合根据本公开的其它方法和器件的所述任何方面来进行扩展。在图1A中，提供了第一预聚物形成件2。在图1A的示例中，第一预聚物形成件2可包含多个凹槽，其中可随后将半导体芯片布置在凹槽中。在进一步的示例中，第一预聚物形成件2可为不同的形状。例如，随后安装半导体芯片的第一预聚物形成件2的表面可是基本平坦的。此外，图1A中所示的凹槽数量是示例性的，并且在进一步的示例中可不同。在图1B中，将多个半导体芯片4布置在第一预聚物形成件2上。在图1B的示例中，可将半导体芯片4布置在凹槽中。在进一步的示例中，可将半导体芯片4附加地或交替地布置在第一预聚物形成件2的平面上。在图1C中，将第二预聚物形成件6附接至第一预聚物形成件2。在图1C的示例中，预聚物形成件2和6可具有相似的形状。在进一步的示例中，预聚物形成件2和6的形状可彼此之间各不相同。可将半导体芯片4布置在所附接的预聚物形成件2和6之间。所附接的预聚物形成件2和6形成封装半导体芯片4的半导体面板100。根据一个实施例，布置半导体芯片4可包含将半导体芯片4布置在第一预聚物形成件2的多个凹槽中，如图1B示例性地示出。当沿z方向(参见图1C中的箭头)观看时，凹槽的形状与布置在凹槽中的半导体芯片4的形状相似。例如，将半导体芯片4粘合在凹槽的底部，以便可选择凹槽的开口稍大于半导体芯片4。根据一个实施例，布置半导体芯片4可包含将半导体芯片4的电接触部布置在第一预聚物形成件2的通孔上。半导体芯片4的电接触部可形成为接触焊盘(或接触单元、接触端子、接触电极)，并且可提供对半导体芯片4的内部电路的电通路(electricalaccess)。该通孔可从第一预聚物形成件2的第一表面延伸至第一预聚物形成件2的第二表面。随后可用导电材料填充通孔，以便填充的通孔可提供特别是从第一预聚物形成件2的相对面到半导体芯片4的电接触部的电通路。根据一个实施例，布置电接触部可包含：将半导体芯片4的第一电接触部布置在第一通孔上；将半导体芯片4的第二电接触部布置在邻近第一通孔的第二通孔上。通过分离结构可将第一通孔和第二通孔分离。当沿z方向(参见图1C中的箭头)查看时，这些通孔的开口区域可基本上对应于电接触部的表面区域。例如，半导体芯片4可为功率晶体管芯片，该芯片的栅电极和源电极布置在面朝第一和第二通孔的半导体管芯4的表面上。这里，可将栅电极布置在第一通孔之上，并且可将源电极布置在第二通孔之上。随后填充了导电材料的通孔可提供特别是从第一预聚物形成件2的相对面到半导体芯片4的栅电极和源电极的电通路。根据一个实施例，附接第二预聚物形成件6可包含将第二预聚物形成件6的通孔布置在半导体芯片4的电接触部之上。通孔可从第二预聚物形成件6的第一表面延伸至第二预聚物形成件6的第二表面。随后填充了导电材料的通孔可提供特别是从第二预聚物形成件6的相对面到电接触部的电通路。对于上述解释的功率晶体管芯片的情况，电接触部可对应于半导体芯片4的漏电极。根据一个实施例，图1的方法可进一步包含将金属化材料沉积到预聚物形成件2和6中的至少一个的通孔中，其中沉积的金属化材料可电气耦合于半导体芯片4的电接触部。例如，可通过应用下列技术中的至少一种来沉积金属化材料：冷气喷涂、等离子尘埃喷涂、等离子感应喷涂、电镀、非电镀、电流镀、气相沉积、印刷等。根据一个实施例，沉积金属化材料可包含将金属和金属合金中的至少一个冷气喷涂在通孔中。冷气喷可指涂层沉积方法，其中可将固体粉末在超音速气体射流中加速到高达约500m/s至约1000m/s的速度。经过加速的粉末微粒具有约1微米至约50微米的直径。在与目标碰撞期间，该微粒可经历塑性变形，并且可粘附在目标的表面。通常，使用冷气喷涂可沉积金属、聚合物、陶瓷、复合材料和纳米晶体粉末。冷气喷涂中使用的粉末在喷涂处理期间不一定会融化。例如，通过冷气喷涂铜、铝、铁、镍及其合金中至少一种来沉积金属化材料。冷气喷涂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造半导体面板的方法，所述方法包括：/n提供第一预聚物形成件；/n将多个半导体芯片布置在所述第一预聚物形成件之上；并且/n将第二预聚物形成件附接至所述第一预聚物形成件，/n其中所述半导体芯片被布置在所附接的预聚物形成件之间，并且/n其中所附接的预聚物形成件形成封装所述半导体芯片的所述半导体面板。/n

【技术特征摘要】
20181221 DE 102018133344.71.一种用于制造半导体面板的方法，所述方法包括：
提供第一预聚物形成件；
将多个半导体芯片布置在所述第一预聚物形成件之上；并且
将第二预聚物形成件附接至所述第一预聚物形成件，
其中所述半导体芯片被布置在所附接的预聚物形成件之间，并且
其中所附接的预聚物形成件形成封装所述半导体芯片的所述半导体面板。


2.根据权利要求1所述的方法，其中布置所述半导体芯片包括：
将所述半导体芯片布置在所述第一预聚物形成件的多个凹槽中。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其中布置所述半导体芯片包括：
将所述半导体芯片的电接触部布置在所述第一预聚物形成件的通孔之上。


4.根据权利要求3所述的方法，其中布置所述电接触部包括：
将半导体芯片的第一电接触部布置在第一通孔之上，并且
将所述半导体芯片的第二电接触部布置在邻近所述第一通孔的第二通孔之上，
其中通过分离结构将所述第一通孔和所述第二通孔分离。


5.根据前述任一权利要求所述的方法，其中附接所述第二预聚物形成件包括：
将所述第二预聚物形成件的通孔布置在所述半导体芯片的电接触部之上。


6.根据前述任一权利要求所述的方法，进一步包括：
将金属化材料沉积到所述预聚物形成件中的至少一个的通孔中，其中所述沉积的金属化材料电气耦合于所述半导体芯片的电接触部。


7.根据权利要求6所述的方法，其中沉积所述金属化材料包括：
将金属和金属合金中的至少一种冷气喷涂到所述通孔中。


8.根据权利要求6或7所述的方法，进一步包括：
部分地移除所述预聚物形成件和所述金属化材料中的至少一个，其中在所述移除之后，将所述预聚物形成件中的至少一个的表面和所述金属化材料的表面布置在共同平面上。


9.根据权利要求6到8之一所述的方法，其中
所述第一预聚物形成件包括延伸穿过所述第一预聚物形成件的第一过孔，
所述第二预聚物形成件包括延伸穿过所述第二预聚物形成件的第二过孔，
附接所述第二预聚物形成件包括在所述第一过孔和所述第二过孔之间提...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·迈尔，A·格拉斯曼，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE