一种半导体消除内应力的方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体消除内应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)将半导体元件的一面固定在陶瓷板的内表面上，并在半导体元件的另一面覆盖保护膜；(2)对陶瓷板的外表面进行第一次热处理，使陶瓷板的外表面经过10～30分钟升温至130～160℃；然后，对陶瓷板的外表面进行第二次热处理，使陶瓷板的外表面经过5～10分钟升温至190～210℃；(3)对步骤(2)中的陶瓷板外表面进行降温，降温速度为3～7℃/min，至陶瓷板外表面的温度降至常温；(4)去除半导体元件表面覆盖的保护膜。本发明专利技术的方法在陶瓷板的背面进行热处理，正面的半导体的内应力得到了降低或者消除的效果，本发明专利技术的方法可以和制备半导体的工艺联用，在短时间内大批处理半导体元件，提高了生产效率。

A method of eliminating internal stress in semiconductor

【技术实现步骤摘要】
一种半导体消除内应力的方法
本专利技术涉及半导体制作领域，具体涉及一种半导体消除内应力的方法。
技术介绍
在半导体领域中，随着科技的日新月异，半导体元器件的尺寸由大到小，从而对于其加工的精度要求也越来越高。在加工过程中，元器件经过切割、研磨的工艺，其中会产生各种形变。这种形变严重危害了元器件的精密程度。特别在胶水粘接到陶瓷板这个工序中，由于胶水的强度，造成了元器件的形变，从而使后面的曝光显影的图像位置发生偏移，从而造成了元器件形状的改变。通常，解决此类的办法是研磨。但在后续工序中，在粘接的状态下研磨已经无法进行，会给下一步的加工造成不便。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种半导体消除内应力的方法。为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：一种半导体消除内应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)将半导体元件的一面固定在陶瓷板的内表面上，并在半导体元件的另一面覆盖保护膜；(2)对陶瓷板的外表面进行第一次热处理，使陶瓷板的外表面经过10～30分钟升温至130～160℃；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体消除内应力的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n(1)将半导体元件的一面固定在陶瓷板的内表面上，并在半导体元件的另一面覆盖保护膜；/n(2)对陶瓷板的外表面进行第一次热处理，使陶瓷板的外表面经过10～30分钟升温至130～160℃；然后，对陶瓷板的外表面进行第二次热处理，使陶瓷板的外表面经过5～10分钟升温至190～210℃；/n(3)对步骤(2)中的陶瓷板外表面进行降温，降温速度为3～7℃/min，至陶瓷板外表面的温度降至常温；/n(4)去除半导体元件表面覆盖的保护膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体消除内应力的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)将半导体元件的一面固定在陶瓷板的内表面上，并在半导体元件的另一面覆盖保护膜；
(2)对陶瓷板的外表面进行第一次热处理，使陶瓷板的外表面经过10～30分钟升温至130～160℃；然后，对陶瓷板的外表面进行第二次热处理，使陶瓷板的外表面经过5～10分钟升温至190～210℃；
(3)对步骤(2)中的陶瓷板外表面进行降温，降温速度为3～7℃/min，至陶瓷板外表面的温度降至常温；
(4)去除半导体元件表面覆盖的保护膜。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中，第一次热处理和第二次热处理均采用卤素灯照射陶瓷板的外表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：郎鑫涛，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44