封装结构与其形成方法技术

提供一种封装结构与其形成方法。其方法包括在基材上形成一个或多个焊料元件。一个或多个焊料元件围绕基材的区域。其方法也包括在基材的区域上设置半导体晶粒结构。其方法还包括在基材的区域上分配含有聚合物的液体。一个或多个焊料元件限制含有聚合物的液体大抵在区域中。此外，其方法包括固化含有聚合物的液体以形成底部填充材料。

【技术实现步骤摘要】
封装结构与其形成方法
本专利技术实施例涉及一种半导体结构与其形成方法，且特别关于一种封装结构与其形成方法。
技术介绍
半导体集成电路产业经历快速成长。半导体制造工艺持续的进步使半导体装置具有更精细的部件及/或更高的整合度。功能密度(即每芯片面积的互连装置数量)已增加，而部件尺寸(即使用制造工艺创建的最小元件)已减小。这种微缩化工艺提供增加生产效率和降低相关成本的益处。芯片封装不只提供半导体装置不受环境污染的保护，也为封装在其中的半导体装置提供互连接口。已经发展出利用更少面积或更低高度的更小的封装结构来封装半导体装置。新的封装技术已经被开发以进一步提高半导体晶粒的密度和功能。这些相对较新的半导体晶粒封装技术面临制造的挑战。
技术实现思路
一种形成封装结构的方法，包括在基材上形成一个或多个焊料元件，其中一个或多个焊料元件围绕基材的区域；在基材的区域上设置半导体晶粒结构；在基材的区域上分配含有聚合物的液体，其中一个或多个焊料元件限制含有聚合物的液体大抵在区域中；及固化(cure)含有聚合物的液体以形成底部填充材料。一种形成封装结构的方法，包括在基材上形成多个焊料元件，其中多个焊料元件一同围绕基材的区域；经由多个接合结构，在基材的区域上接合半导体晶粒结构；回焊多个焊料元件及多个接合结构；导入底部填充材料至被多个焊料元件围绕的区域上，其中多个焊料元件大抵防止底部填充材料流至区域外；及固化底部填充材料。一种封装结构，包括半导体晶粒结构在基材上；多个接合结构在半导体晶粒与基材之间；多个焊料元件在基材上，其中多个焊料元件一同围绕半导体晶粒结构；及底部填充材料，围绕多个接合结构，其中底部填充材料大抵被限制在被多个焊料元件围绕的区域中。优选地，本专利技术提出一种形成封装结构的方法，包括：在一基材上形成至少一焊料元件，其中该至少一焊料元件围绕该基材的一区域；在该基材的该区域上设置一半导体晶粒结构；在该基材的该区域上分配一含有聚合物的液体，其中该至少一焊料元件限制该含有聚合物的液体大抵在该区域中；及固化该含有聚合物的液体以形成一底部填充材料。优选地，还包括：在该基材上设置一模板，其中该模板具有至少一开口，该开口部分地暴露该基材；在该模板上涂布一焊料浆料，其中一部分的该焊料浆料经由该至少一开口设置在该基材上，以形成该至少一焊料元件；及去除该模板。优选地，还包括在分配该含有聚合物的液体之前，回焊该焊料元件。优选地，其中该半导体晶粒结构为一具有至少一半导体晶粒的晶粒封装，并且该半导体晶粒结构经由多个焊料凸块接合至该基材上。优选地，还包括同时回焊该些焊料凸块及该至少一焊料元件。优选地，还包括：在该基材上形成一第二焊料元件；及在该第二焊料元件上设置一表面安装装置。优选地，其中该至少一焊料元件和该第二焊料元件同时形成。优选地，其中该第二焊料元件被置于被该至少一焊料元件围绕的该区域的外面。优选地，还包括在回焊该至少一焊料元件之后，在该基材上设置一抗翘曲环。优选地，还包括：在回焊该至少一焊料元件后，附接一抗翘曲环至该基材上；及对该抗翘曲环施加一外部力量以减少该基材的翘曲度。优选地，本专利技术提出一种形成封装结构的方法，包括：在一基材上形成多个焊料元件，其中该些焊料元件一同围绕该基材的一区域；经由多个接合结构，在该基材的该区域上接合一半导体晶粒结构；回焊该些焊料元件及该些接合结构；导入一底部填充材料至被该些焊料元件围绕的该区域上，其中该些焊料元件大抵防止该底部填充材料流至该区域外；及固化该底部填充材料。优选地，还包括形成一第二焊料元件，其中该第二焊料元件与该些焊料元件一同围绕该区域，并且该第二焊料元件延伸跨越两个该些焊料元件之间的一间隙。优选地，其中在回焊该些焊料元件与该些接合结构之后，至少两个该些焊料元件连接在一起。优选地，还包括：在该基材上设置一模板，其中该模板具有多个开口，该些开口部分地暴露该基材；在该模板上挤压一焊料浆料，其中一部分的该焊料浆料经由该些开口被挤压至该基材上，以形成该些焊料元件；及去除该模板。优选地，其中在回焊该些焊料元件与该些接合结构之后，全部的该些焊料元件连接在一起，以连续地围绕该区域。优选地，本专利技术提出一种封装结构，包括：一半导体晶粒结构，在一基材上；多个接合结构，在该半导体晶粒与该基材之间；多个焊料元件，在该基材上，其中该些焊料元件一同围绕该半导体晶粒结构；及一底部填充材料，围绕该些接合结构，其中该底部填充材料大抵被限制在被该些焊料元件围绕的一区域中。优选地，其中该底部填充材料与该些焊料元件直接接触。优选地，还包括一第二焊料元件，其中该第二焊料元件与该些焊料元件一同围绕该区域，并且该第二焊料元件延伸跨越两个彼此相邻的该些焊料元件的部分。优选地，还包括：一第二半导体晶粒结构，于该基材上；多个第二接合结构，于该第二半导体晶粒结构与该基材之间；及一第二底部填充材料，围绕该第二接合结构，其中该第二底部填充材料与该底部填充材料被该些焊料元件的其中一个分离。优选地，还包括一第二焊料元件，在该些焊料元件的其中一个与该第二底部填充材料之间。附图说明以下将配合所附图示详述本公开的各面向。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本公开的特征。图1A-1I是根据一些实施例，示出形成封装结构工艺的多个阶段的剖面图。图2A-2C是根据一些实施例，示出形成封装结构工艺的多个阶段的俯视图。图3A-3C是根据一些实施例，示出形成封装结构工艺的多个阶段的俯视图。图4A-4C是根据一些实施例，示出形成封装结构工艺的多个阶段的俯视图。图5是根据一些实施例，示出封装结构的剖面图。图6是根据一些实施例，示出封装结构的俯视图。图7是根据一些实施例，示出封装结构的剖面图。图8是根据一些实施例，示出封装结构的俯视图。图9是根据一些实施例，示出封装结构的俯视图。图10是根据一些实施例，示出封装结构的俯视图。附图标记说明：20/20’～半导体晶粒结构30～表面安装装置100/200/300～基材102～导电部件104/106/108～导电元件110～模板112/114/112’～开口116/118/416～焊料元件/绝缘元件117～浆料材料119～刮刀120/206/304～底部填充材料122～粘着层124～抗翘曲元件204/212/302～接合结构208～保护层210～基材通孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成封装结构的方法，包括：/n在一基材上形成至少一焊料元件，其中该至少一焊料元件围绕该基材的一区域；/n在该基材的该区域上设置一半导体晶粒结构；/n在该基材的该区域上分配一含有聚合物的液体，其中该至少一焊料元件限制该含有聚合物的液体大抵在该区域中；及/n固化该含有聚合物的液体以形成一底部填充材料。/n

【技术特征摘要】
20181221 US 62/783,415;20190712 US 16/510,4741.一种形成封装结构的方法，包括：
在一基材上形成至少一焊料元件，其中该至少一焊料元件围绕该基材的一区域；
在该基材的该区域上设置一半导体晶粒结构；
在该基材的该区域上分配一含有聚合物的液体，其中该至少一焊料元件限制该含有聚合物的液体大抵在该区域中；及
固化该含有聚合物的液体以形成一底部填充材料。


2.如权利要求1所述的形成封装结构的方法，还包括：
在该基材上设置一模板，其中该模板具有至少一开口，该开口部分地暴露该基材；
在该模板上涂布一焊料浆料，其中一部分的该焊料浆料经由该至少一开口设置在该基材上，以形成该至少一焊料元件；及
去除该模板。


3.如权利要求1所述的形成封装结构的方法，还包括在分配该含有聚合物的液体之前，回焊该焊料元件。


4.如权利要求1所述的形成封装结构的方法，还包括：
在该基材上形成一第二焊料元件；及
在该第二焊料元件上设置一表面安装装置。


5.如权利要求1所述的形成封装结构的方法，还包括在回焊该至少一焊料元件之后，在该基材上设置一抗翘曲环。


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【专利技术属性】
技术研发人员：黄冠育，黄松辉，赖瑞协，侯上勇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71