LDMOS器件及其形成方法、半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术提供一种LDMOS器件及其形成方法、半导体器件的形成方法，LDMOS器件包括：位于漂移区内的漏区；位于体区内的源区，基底暴露出所述源区表面，且所述源区紧挨栅极结构，所述源区的掺杂类型与漏区的掺杂类型相同；位于所述体区内且紧挨所述源区的体接触区，所述基底暴露出所述体接触区表面，且所述体接触区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同；位于所述体区内且位于所述体接触区下方的击穿调节掺杂区，所述击穿调节掺杂区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同，所述击穿调节掺杂区适于提高所述体区与漂移区之间的抗穿通能力。本发明专利技术在体接触区与体区之间设置有击穿调节掺杂区，提高体区与漂移区之间的抗穿通能力。

【技术实现步骤摘要】
LDMOS器件及其形成方法、半导体器件的形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种LDMOS器件及其形成方法、半导体器件的形成方法。
技术介绍
电力电子系统的小型化、集成化是功率半导体器件的一个重要研究方向。智能功率集成电路(SmartPowerIntegratedCircuit，SPIC)或高压集成电路(HighVoltageIntegratedCircuit，HVIC)能够将等低压电路和功率器件集成在同一个芯片上，其中，低压电路可以实现保护、控制、检测或驱动等功能，这样不仅缩小了系统体积，提高了系统可靠性。功率器件主要包括垂直双扩散场效应管(VerticalDouble-DiffusedMOSFE，VDMOST)和横向双扩散场效应管(LateralDouble-DiffusedMOSFET，LDMOS)两种类型的场效应晶体管。其中，相较于垂直双扩散场效应管，横向双扩散场效应管具有诸多优点，例如，LDMOS器件具有更好的热稳定性和频率稳定性、更高的增益和耐久性、更低的反馈电容和热阻，以及恒定的输入阻抗和更简单的偏流电路。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：/n基底，所述基底上形成有栅极结构；/n位于所述栅极结构一侧的基底内的漂移区，所述漂移区的掺杂类型为P型掺杂或者N型掺杂；/n位于所述漂移区内的漏区，所述漏区与漂移区的掺杂类型相同；/n位于所述栅极结构另一侧的基底内的体区，所述体区的掺杂类型与漂移区的掺杂类型不同；/n位于所述体区内的源区，且所述源区紧挨所述栅极结构，所述源区的掺杂类型与所述漏区的掺杂类型相同；/n位于所述体区内且紧挨所述源区的体接触区，所述基底暴露出所述体接触区表面，且所述体接触区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同；/n位于所述体区内且位于所述体接触区下方的击穿调节掺杂区，所述击穿调...

【技术特征摘要】
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：
基底，所述基底上形成有栅极结构；
位于所述栅极结构一侧的基底内的漂移区，所述漂移区的掺杂类型为P型掺杂或者N型掺杂；
位于所述漂移区内的漏区，所述漏区与漂移区的掺杂类型相同；
位于所述栅极结构另一侧的基底内的体区，所述体区的掺杂类型与漂移区的掺杂类型不同；
位于所述体区内的源区，且所述源区紧挨所述栅极结构，所述源区的掺杂类型与所述漏区的掺杂类型相同；
位于所述体区内且紧挨所述源区的体接触区，所述基底暴露出所述体接触区表面，且所述体接触区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同；
位于所述体区内且位于所述体接触区下方的击穿调节掺杂区，所述击穿调节掺杂区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同，所述击穿调节掺杂区适于提高所述体区与漂移区之间的抗穿通能力。


2.如权利要求1所述LDMOS器件，其特征在于，所述击穿调节掺杂区的顶部与所述体接触区的底部相接触。


3.如权利要求2所述LDMOS器件，其特征在于，所述击穿调节掺杂区的侧壁与所述体接触区的侧壁齐平。


4.如权利要求2所述LDMO器件，其特征在于，所述击穿调节掺杂区还位于部分源区下方。


5.如权利要求1所述LDMOS器件，其特征在于，所述击穿调节掺杂区的掺杂离子浓度小于所述体接触区的掺杂离子浓度，且所述击穿调节掺杂区的掺杂离子浓度大于或等于所述体区的掺杂离子浓度。


6.如权利要求5所述LDMOS器件，其特征在于，所述击穿调节掺杂区的掺杂类型为P型掺杂；所述击穿调节掺杂区的掺杂离子浓度范围为1012atom/cm3～5×1013atom/cm3。


7.如权利要求5所述LDMOS器件，其特征在于，所述击穿调节掺杂区的掺杂类型为N型掺杂；所述击穿调节掺杂区的掺杂离子浓度范围为1012atom/cm3～5×1013atom/cm3。


8.如权利要求1所述LDMOS器件，其特征在于，所述击穿调节掺杂区的底部与所述体区的底部之间的距离范围为0.1μm～0.5μm。


9.一种LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构一侧的基底内形成有漂移区，所述栅极结构另一侧的基底内形成有体区，所述漂移区的掺杂类型为P型掺杂或者N型掺杂，所述体区的掺杂类型与漂移区的掺杂类型不同；
在所述漂移区内形成漏区，所述漏区与漂移区的掺杂类型相同；
在所述体区内形成源区，所述源区紧挨所述栅极结构，且所述源区的掺杂类型与所述漏区的掺杂类型相同；
在所述体区内形成紧挨所述源区的体接触区，且所述体接触区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同；
在所述体区内形成击穿调节掺杂区，所述击穿调节掺杂区位于所述体接触区下方，且所述击穿调节掺杂区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同，所述击穿调节掺杂区适于提高所述体区与漂移区之间的抗穿通能力。


10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述击穿调节掺杂区的顶部与所述体接触区的底部相接触；形成所述体接触区和击穿调节掺杂区的工艺步骤包括：
在所述基底上形成具有第一开口的第一光刻胶层；
以所述第一光刻胶层为掩膜，对所述第一开口下方的体区进行第一掺杂，形成初始掺杂区；
在形成所述初始掺杂区之后，去除所述第一光刻胶层；
在所述基底上形成具有第二开口的第二光刻胶层；
以所述第二光刻胶层为掩膜，对所述第二开口下方的初始掺杂区进行第二掺杂，形成所述体接触区，位于所述体接触区下方的初始掺杂区作为所述击穿调节掺杂区；
去除所述第二光刻胶层。

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【专利技术属性】
技术研发人员：王孝远，王刚宁，彭坤，辜良智，蒲贤勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31