【技术实现步骤摘要】
一种场效应晶体管
本技术涉及一种场效应晶体管，用于场效应晶体管太赫兹探测器中，属于微纳加工
技术介绍
目前室温太赫兹探测器常用的结构是基于太赫兹天线耦合的场效应晶体管型太赫兹探测器，通过合理的太赫兹天线设计以及选择合适的二维材料作为导电沟道，可以实现室温下对太赫兹波的高灵敏度探测。其中，天线设计与场效应晶体管的源极、漏极和栅极相对应，其中源极和漏极与场效应晶体管的二维材料导电沟道为欧姆接触，而栅极是通过顶栅介质与场效应晶体管的二维材料导电沟道形成肖特基接触，通过施加不同的栅压可以有效调控二维材料导电沟道内载流子的浓度和迁移速度，从而使场效应晶体管型太赫兹探测器的太赫兹探测性能达到最优。场效应晶体管的性能受到两个最重要的因素的影响，一个是沟道的材料，它决定了器件性能的潜力，另一个就是栅介质材料，由于它直接和沟道接触，它的性能会很大地影响整个器件的性能。硅基技术之所以能走到今天，不是因为硅材料有多么出色，而极大程度上受益于二氧化硅的栅介质层，二氧化硅作为硅的天然栅介质，把硅基技术推到了今天。要实现栅压通过栅介质...
【技术保护点】
1.一种场效应晶体管，其特征在于：包括衬底、导电沟道、源电极(5)、漏电极(6)、三氧化二铝栅介质层(4)和栅电极(7)，所述衬底上设有介质层，所述导电沟道设于介质层上，所述源电极(5)和漏电极(6)分别位于导电沟道两侧，所述源电极(5)、漏电极(6)和裸露的导电沟道表面覆盖种子层(8)，所述栅介质层(4)设于种子层(8)上，所述栅电极(7)设于栅介质层(4)上。/n
【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管，其特征在于：包括衬底、导电沟道、源电极(5)、漏电极(6)、三氧化二铝栅介质层(4)和栅电极(7)，所述衬底上设有介质层，所述导电沟道设于介质层上，所述源电极(5)和漏电极(6)分别位于导电沟道两侧，所述源电极(5)、漏电极(6)和裸露的导电沟道表面覆盖种子层(8)，所述栅介质层(4)设于种子层(8)上，所述栅电极(7)设于栅介质层(4)上。
2.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管，其特征在于：所述导电沟道为二维材料导电沟道(3)。
3...
【专利技术属性】
技术研发人员：张凯，沈文，董卓，许毅，
申请(专利权)人：江苏盖姆纳米材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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