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本实用新型涉及一种场效应晶体管，属于微纳加工技术领域。包括衬底、导电沟道、源电极、漏电极、三氧化二铝栅介质层和栅电极，所述衬底上设有介质层，所述导电沟道设于介质层上，所述源电极和漏电极分别位于导电沟道的两侧，源电极、漏电极和裸露的导电沟道表...
该专利属于江苏盖姆纳米材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏盖姆纳米材料科技有限公司授权不得商用。

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