【技术实现步骤摘要】
显示装置2018年12月20日提交至韩国知识产权局的名称为“DisplayDevice(显示装置)”的第10-2018-0166357号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
实施例涉及一种包括发光器件的显示装置。
技术介绍
发光二极管(LED)具有高的光转换效率、低功耗、半永久寿命和环境友好性。当在灯、手电筒和显示装置等中使用LED时，布置LED以在LED与电极之间形成用于向LED供电的电连接是必要的。LED和电极的布置方法可以包括在电极上直接生长LED的方法和单独生长LED然后将LED设置在电极上的方法。在后一种方法中，当具有纳米单位尺寸的超小型LED设置在电极上时，由于由其他元件导致的场效应，可能发生超小型LED的未对准。
技术实现思路
实施例涉及一种显示装置，所述显示装置可以包括：基底，其上设置有多个像素；电极部分，包括第一电极和第二电极，第一电极设置在基底上的多个像素中的每个像素中，第二电极在同一平面上与第一电极分隔开；多个发光器件，在第一电极与第二电极之间彼此分隔开...
【技术保护点】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：/n基底，其上设置有多个像素；/n电极部分，包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述基底上的所述多个像素中的每个像素中，所述第二电极在同一平面上与所述第一电极分隔开；/n多个发光器件，在所述第一电极与所述第二电极之间彼此分隔开；/n电源线部分，包括第一电源线和第二电源线，所述第一电源线位于所述基底与所述第一电极之间，所述第一电源线接收第一驱动电源，所述第二电源线位于所述基底与所述第二电极之间，所述第二电源线接收第二驱动电源；以及/n屏蔽电极线，位于所述电源线部分与所述第一电极之间，所述屏蔽电极线接收所述第一驱动电源。/n
【技术特征摘要】
20181220 KR 10-2018-01663571.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，其上设置有多个像素；
电极部分，包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述基底上的所述多个像素中的每个像素中，所述第二电极在同一平面上与所述第一电极分隔开；
多个发光器件，在所述第一电极与所述第二电极之间彼此分隔开；
电源线部分，包括第一电源线和第二电源线，所述第一电源线位于所述基底与所述第一电极之间，所述第一电源线接收第一驱动电源，所述第二电源线位于所述基底与所述第二电极之间，所述第二电源线接收第二驱动电源；以及
屏蔽电极线，位于所述电源线部分与所述第一电极之间，所述屏蔽电极线接收所述第一驱动电源。
2.如权利要求1中所述的显示装置，其中，所述屏蔽电极线位于所述电源线部分与所述第一电极之间，以防止当所述多个发光器件在所述第一电极与所述第二电极之间对准时由所述电极部分下面的驱动电路导致的竖直电场效应。
3.如权利要求2中所述的显示装置，其中：
所述第一电极经由所述驱动电路连接到所述第一驱动电源，并且
所述第二电极连接到所述第二驱动电源。
4.如权利要求2中所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述基底与所述电源线部分之间的扫描线，所述扫描线使所述多个发光器件与所述驱动电路连接，其中，
所述扫描线位于所述屏蔽电极线下面。
5.如权利要求2中所述的显示装置，其中，所述驱动电路包括至少一个晶体管，其中，
所述至少一个晶体管包括：
半导体层，位于所述基底上，所述半导体层具有沟道、源电极和漏电极；以及
栅电极，位于所述半导体层上。
6.如权利要求5中所述的显示装置，其中，所述栅电极包括：
第一栅电极，位于插置在所述第一栅电极与所述半导体层之间的栅极绝缘层上；以及
第二栅电极，位于所述第一栅电极与所述电源线部分之间。
7.如权利要求1中所述的显示装置，其中，所述屏蔽电极线位于所述电源线部分与所述电极部分之间。
8.如权利要求1中所述的显示装置，其中，所述屏蔽电极线延伸以覆盖相邻的像素之间的区域。
9.如权利要求8中所述的显示装置，其中：
所述第一电极包括第一主干部分和多个第一分支部分，所述第一主干部分在第一方向上延伸，所述多个第一分支部分从所述第一主干部分在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，并且
所述第二电极包括第二主干部分和多个第二分支部分，所述第二主干部分在所述第一方向上延伸，所述多个第二分支部分从所述第二主干部分在所述第二方向上延伸，所述多个第二分支部分与所述多个第一分支部分交替设置。
10.如权利要求9中所述的显示装置，其中，所述屏蔽电极线与所述第一电极的所述多个第一分支部分和所述第二电极的所述多个第二分支部分中的至少一个叠置。
11.如权利要求9中所述的显示装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：金璟陪，郑珉在，蔡锺哲，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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