【技术实现步骤摘要】
等离子体处理方法
本专利技术涉及一种半导体制造领域，尤其涉及一种等离子体处理方法。
技术介绍
在半导体器件制造工艺中，通常利用光刻过程将印在光掩膜上的图形转移到半导体衬底的表面上。在光刻过程中，首先将光阻(又称光刻胶，photoresist)旋转涂布在半导体衬底上，然后对光阻进行烘干，使之成为固态薄膜。接着，对涂布有光阻的半导体衬底进行光刻和显影，从而在光阻中形成所需图形。然后，对半导体衬底进行蚀刻，使得光阻上的图形转移至半导体衬底中。根据衬底和工艺的不同，上述蚀刻过程可以分为湿蚀刻或干蚀刻(诸如，反应性离子蚀刻)。在半导体衬底完成蚀刻之后，由于不再需要光阻作保护层，可以将光阻除去，此过程称为去胶。去胶过程可以分为湿法去胶和干法去胶，其中湿法去胶又分有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。有机溶剂去胶主要是使光阻溶于有机溶剂而除去；无机溶剂去胶则是利用光阻本身是有机聚合物的特点，通过无机溶剂将光阻中的碳元素氧化为二氧化碳而将光阻去除；干法去胶则是用等离子体将光阻剥除。半导体衬底的蚀刻过程中，产生的聚合物残渣可能会附着于半...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：/n提供一等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括一处理腔室以及一容置于所述处理腔室中的静电卡盘，所述静电卡盘包括一支撑面，所述静电卡盘中设有至少一升降销，所述升降销可自第一位置升高至第二位置，所述第一位置为所述升降销不高于所述支撑面，所述第二位置为所述升降销高于所述支撑面；/n在所述升降销处于所述第一位置时，将一待处理基板放置于所述支撑面上；/n在所述处理腔室中生成第一等离子体，所述第一等离子体由一第一处理气体形成，所述第一处理气体包括由氢气和氮气组成的第一混合气体；/n控制所述升降销由所述第一位置升高至所述第二位置，使所述待...
【技术特征摘要】
20181219 US 62/7816271.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：
提供一等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括一处理腔室以及一容置于所述处理腔室中的静电卡盘，所述静电卡盘包括一支撑面，所述静电卡盘中设有至少一升降销，所述升降销可自第一位置升高至第二位置，所述第一位置为所述升降销不高于所述支撑面，所述第二位置为所述升降销高于所述支撑面；
在所述升降销处于所述第一位置时，将一待处理基板放置于所述支撑面上；
在所述处理腔室中生成第一等离子体，所述第一等离子体由一第一处理气体形成，所述第一处理气体包括由氢气和氮气组成的第一混合气体；
控制所述升降销由所述第一位置升高至所述第二位置，使所述待处理基板与所述支撑面相距设置；以及
在所述处理腔室中生成第二等离子体，所述第二等离子体由一第二处理气体形成，所述第二处理气体包括由氢气和氮气组成的第二混合气体。
2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述第一混合气体中的氢气在所述第一混合气体中的体积百分比为1％-10％，所述第一混合气体中的氮气在所述第一混合气体中的体积百分比为90％-99％。
3.如权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述第一混合气体中的氢气在所述第一混合气体中的体积百分比为4％，所述第一混合气体中的氮气在所述第一混合气体中的体积百分比为96％。
4.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述第一处理气体还包括氧气。
5.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述第二混合气体中的氢气在所述第二混合气体中的体积百分比为1％-10％，所述第二混合气体中的氮气在所述第二混合气体中的体积百分比为90％-99％。
6.如权利要求5所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述第二混合气体中的氢气在所述第二混合气体中...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔承峯，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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