用于3D NAND和DRAM应用的含有-NH2官能团的氢氟烃制造技术

一种方法，该方法用于使用选自由以下各项组成的组的氢氟烃蚀刻化合物：2,2,2‑三氟乙胺(C

Hydrofluorocarbons containing - NH2 functional groups for 3D NAND and DRAM applications

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于3DNAND和DRAM应用的含有-NH2官能团的氢氟烃相关申请的交叉引用本申请要求于2017年10月31日提交的美国申请号15/798,476的权益，出于所有的目的将所述申请通过引用以其全文结合在此。
披露了半导体器件蚀刻应用中用于含硅膜的等离子蚀刻的含氮的氢氟烃蚀刻化合物和使用其的等离子蚀刻方法，特别是对于3DNAND和DRAM应用，用于相比于图案化光致抗蚀剂层(PR)选择性等离子蚀刻介电减反射涂层(DARC)(例如：SiON层)和相对于硬掩模层选择性等离子蚀刻SiO/SiN层的交替层和SiO/p-Si硅层的交替层。
技术介绍
随着半导体架构变得越来越小且越来越复杂，3D结构化的NAND已经是高度希望的，因为存储单元在彼此顶部相互堆叠以通过更高的密度来增加容量、降低每千兆字节的成本，并且提供固态存储器所期望的可靠性、速度和性能。在3DNAND制造领域，通常，将光致抗蚀剂施加在有待在随后的加工步骤中进行图案化的各种材料的层的堆叠上。为了利用光致抗蚀剂的空间分辨率，必须在光致抗蚀剂下面使用减反射涂层(ARC)，以在光致抗蚀剂暴本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于蚀刻布置在基板上的含硅层的结构的方法，该结构具有：沉积在第一含硅层和第二含硅层的交替层上的介电减反射涂层(DARC)、在该DARC层上形成的图案化光致抗蚀剂层、以及在该DARC层与这些交替层之间形成的硬掩模层，该方法包括以下步骤：/n使用氢氟烃蚀刻化合物相对于该图案化光致抗蚀剂层选择性地等离子蚀刻该DARC层以在该DARC层中产生孔，该氢氟烃蚀刻化合物选自下组，该组由以下各项组成：2,2,2-三氟乙胺(C

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171031 US 15/798,4761.一种用于蚀刻布置在基板上的含硅层的结构的方法，该结构具有：沉积在第一含硅层和第二含硅层的交替层上的介电减反射涂层(DARC)、在该DARC层上形成的图案化光致抗蚀剂层、以及在该DARC层与这些交替层之间形成的硬掩模层，该方法包括以下步骤：
使用氢氟烃蚀刻化合物相对于该图案化光致抗蚀剂层选择性地等离子蚀刻该DARC层以在该DARC层中产生孔，该氢氟烃蚀刻化合物选自下组，该组由以下各项组成：2,2,2-三氟乙胺(C2H4F3N)、1,1,2-三氟乙-1-胺(异-C2H4F3N)、2,2,3,3,3-五氟丙胺(C3H4F5N)、1,1,1,3,3-五氟-2-丙胺(异-C3H4F5N)、1,1,1,3,3-五氟-(2R)-2-丙胺(异-2R-C3H4F5N)和1,1,1,3,3-五氟-(2S)-2-丙胺(异-2S-C3H4F5N)；
使用适用于蚀刻该硬掩模层的蚀刻气体相对于该图案化光致抗蚀剂层和该DARC层选择性地等离子蚀刻通过该DARC层中的孔而暴露的硬掩模层，以使这些孔延伸通过该硬掩模层；并且
使用该氢氟烃蚀刻化合物相对于该硬掩模层选择性地等离子蚀刻通过该硬掩模层中的孔而暴露的交替层，以使这些孔延伸通过这些交替层，其中该第一含硅层和该第二含硅层被非选择性地蚀刻。


2.如权利要求1所述的方法，该方法进一步包括当该氢氟烃蚀刻化合物被等离子活化时，在该图案化光致抗蚀剂层上、该硬掩模层上、和这些孔的侧壁上沉积聚合物层的步骤。


3.如权利要求2所述的方法，该方法进一步包括与该氢氟烃蚀刻化合物一起引入含氧气体。


4.如权利要求3所述的方法，其中，该含氧气体选自下组，该组由以下各项组成：O2、O3、CO、CO2、NO、NO2、N2O、SO2、COS、H2O及其组合。


5.如权利要求1所述的方法，其中，该氢氟烃蚀刻化合物是2,2,2-三氟乙胺(C2H4F3N)。


6.如权利要求1所述的方法，其中，该氢氟烃蚀刻化合物是2,2,3,3,3-五氟丙胺(C3H4F5N)。


7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，该DARC层是具有式SiOxNyHzCk的含硅膜，其中，x在从0至2的范围内，y在从0至1的范围内，z在从0至约1...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙卉，法布里齐奥·马切吉亚尼，詹姆斯·罗耶，南森·斯塔福德，拉胡尔·古普塔，
申请(专利权)人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR