一种重掺硼硅片双次碱腐蚀加工工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种重掺硼硅片双次碱腐蚀加工工艺，包括初级碱腐蚀、预超洗、HCL中和、快排水洗、二级碱腐蚀、预超洗、HCL中和、快排水洗及甩干，通过采用两次碱腐蚀工艺，即先采用中高温初级腐蚀，消除重掺硼硅片表面脏污色块和硅粉分布不均匀层(3‑5um)，再采用高温二级腐蚀迅速去除硅片表面损伤层(10‑15um)，使得形成的腐蚀片表面更加均匀，消除脏污类的影响更加明显，能够有效降低硅片表面加工过程的损伤层对硅片表面的腐蚀速度的影响，有效提高硅片表面腐蚀平整度，从而实现高良率重掺硼单晶硅化腐片生产。

A double alkali etching process for heavily boron doped silicon wafers

【技术实现步骤摘要】
一种重掺硼硅片双次碱腐蚀加工工艺
本专利技术涉及重掺硼单晶硅片制造领域，具体涉及一种重掺硼硅片双次碱腐蚀加工工艺。
技术介绍
随着半导体产业的发展，大规模集成电路(ULSI)应用的摩尔式快速成长推动了作为外延衬底材料的重掺单晶晶圆的广泛应用。重掺P型单晶硅材料能大大提升动态存储器的记忆保持时间，是解决电路中锁存效应和α粒子引起的软失效的最佳途径。而重掺硼作为主要的P型重掺单晶，具有许多优良特性，如电阻率分布均匀；氧浓度增加，提升硅片内吸杂能力；提高硅片的机械强度等。硅片的生产通常需依次经过切割、研磨、清洗、化学腐蚀和抛光之后得到成品。其中，在多线切割、研磨等加工过程中会在硅表面形成损伤层，包括在研磨过程中研磨砂会在硅片表面形成凹坑，使表面具有一定的粗糙度，现有技术中通常采用化学腐蚀的方式对硅片进行腐蚀减薄，其中碱腐蚀的原理是硅单质与氢氧根反应生成硅酸钠，从而获得表面更加光滑平坦的单晶硅片。申请号为201110420557.7的中国专利技术专利公开了一种大腐蚀纹单晶硅碱腐蚀片加工工艺，包括如下步骤：(一)配制碱腐蚀溶液：按重量百分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种重掺硼硅片双次碱腐蚀加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一、初级碱腐蚀：置于质量比为1:3～1:1.2的KOH水溶液中腐蚀5～15s，初级腐蚀温度为90～105℃；/n步骤二、一次清洗：快速转移并清洗去除硅片表面残留的初级碱腐蚀液；/n步骤三、二级碱腐蚀：置于质量比为1:1.5～1:1的KOH水溶液中腐蚀80～180s，二级腐蚀温度为115～121℃；/n步骤四、二次清洗：快速转移并清洗去除硅片表面残留的二级碱腐蚀液；/n步骤五、甩干。/n

【技术特征摘要】
1.一种重掺硼硅片双次碱腐蚀加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、初级碱腐蚀：置于质量比为1:3～1:1.2的KOH水溶液中腐蚀5～15s，初级腐蚀温度为90～105℃；
步骤二、一次清洗：快速转移并清洗去除硅片表面残留的初级碱腐蚀液；
步骤三、二级碱腐蚀：置于质量比为1:1.5～1:1的KOH水溶液中腐蚀80～180s，二级腐蚀温度为115～121℃；
步骤四、二次清洗：快速转移并清洗去除硅片表面残留的二级碱腐蚀液；
步骤五、甩干。


2.根据权利要求1所述的一种重掺硼硅片双次碱腐蚀加工工艺，其特征在于，所述步骤一中，KOH与纯水的质量比为1:3，初级腐蚀时间为15s，初级腐蚀温度控制在90±2℃。


3.根据权利要求1所述的一种重掺硼硅片双次碱腐蚀加工工艺，其特征在于，所述步骤三中，KOH与纯水的质量比为1:1.22，二级腐蚀时间为90s，二级腐蚀温度控制在119±2℃。


4.根据权利要求1所述的一种重掺硼硅片双次碱腐蚀加工工艺，其特征在于，所述步骤一和步骤三中，在腐蚀过程进行间隔抖动，腐蚀完成后的转移时间＜2s。


5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈功，马俊，徐一俊，黄笑容，
申请(专利权)人：浙江中晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33