【技术实现步骤摘要】
可控硅耐量测试装置及方法
本申请涉及半导体测试
，具体而言，涉及一种可控硅耐量测试装置及方法。
技术介绍
在大功率半导体器件的应用场景中，经本申请专利技术人研究发现，由于其电流冲击耐受能力有限，导致器件失效比例较高。尽管传统手段在应用电路上都制定了防护措施，但在很多应用场景中，短时间的持续冲击电流(例如交流电动机启动状态时的持续冲击电流)是不可避免的。因此，针对半导体器件而言，需要在一定范围内具有适当的电流冲击耐受能力。基于此，如何将半导体器件的电流冲击耐受能力进行有效量化，以便于后续准确评估半导体器件的电流冲击耐受能力，进而采取必要手段降低半导体器件的器件失效比例，是本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
为了克服现有技术中的上述不足，本申请的目的在于提供一种可控硅耐量测试装置及方法，能够将半导体器件的电流冲击耐受能力进行有效量化，以便于后续准确评估半导体器件的电流冲击耐受能力，进而采取必要手段降低半导体器件的器件失效比例。为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：根据本...
【技术保护点】
1.一种可控硅耐量测试装置，其特征在于，所述可控硅耐量测试装置包括：/n交变电源，用于提供频率和幅度周期性变化的交变交流；/n与所述交变电源电性连接的第一控制电路；/n与所述第一控制电路电性连接的第二控制电路；/n与所述交变电源电性连接的回路电流检测电路；/n所述第二控制电路，用于按照设定冲击电流幅度向待测可控硅输入电流冲击信号，所述第一控制电路用于根据设定冲击持续时间和设定冲击间隔时间控制所述第二控制电路每次输入的所述电流冲击信号的冲击持续时间和冲击间隔时间，并记录所述电流冲击信号的冲击次数；/n所述回路电流检测电路，用于检测所述待测可控硅的回路电流信号，并根据所述回路电...
【技术特征摘要】
1.一种可控硅耐量测试装置，其特征在于，所述可控硅耐量测试装置包括：
交变电源，用于提供频率和幅度周期性变化的交变交流；
与所述交变电源电性连接的第一控制电路；
与所述第一控制电路电性连接的第二控制电路；
与所述交变电源电性连接的回路电流检测电路；
所述第二控制电路，用于按照设定冲击电流幅度向待测可控硅输入电流冲击信号，所述第一控制电路用于根据设定冲击持续时间和设定冲击间隔时间控制所述第二控制电路每次输入的所述电流冲击信号的冲击持续时间和冲击间隔时间，并记录所述电流冲击信号的冲击次数；
所述回路电流检测电路，用于检测所述待测可控硅的回路电流信号，并根据所述回路电流信号显示所述待测可控硅的回路电流状态。
2.根据权利要求1所述的可控硅耐量测试装置，其特征在于，所述第一控制电路包括：
电流接通子电路，用于控制所述交变电源向所述第二控制电路输入交变交流；
电流断开子电路，用于控制所述交变电源向所述第二控制电路停止输入交变交流；
与所述电流接通子电路和所述电流断开子电路电性连接的计时控制子电路，用于通过控制所述电流接通子电路和所述电流断开子电路使所述交变电源每间隔所述设定冲击间隔时间向所述第二控制电路输入持续所述设定冲击持续时间的交变交流；以及
与所述计时控制子电路电性连接的计数子电路，用于检测所述交变电源向所述第二控制电路输入的交变交流的计数值，所述计数值与所述电流冲击信号的冲击次数一一对应。
3.根据权利要求1所述的可控硅耐量测试装置，其特征在于，所述第二控制电路包括：
触发电流控制子电路以及与所述触发电流控制子电路电性连接的电流冲击控制子电路；
所述触发电流控制子电路用于产生冲击触发信号给所述电流冲击控制子电路，所述电流冲击控制子电路用于在所述冲击触发信号的控制下时，按照设定冲击电流幅度向所述待测可控硅输入电流冲击信号。
4.根据权利要求3所述的可控硅耐量测试装置，其特征在于，所述电流冲击控制子电路向所述待测可控硅输入的电流冲击信号中设置有相位信号。
5.根据权利要求1所述的可控硅耐...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜明宝，赵建伟，李强，
申请(专利权)人：吉林华微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林;22
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