【技术实现步骤摘要】
用于半导体层的缺陷检测方法及系统
本专利技术涉及半导体领域，具体而言，涉及用于半导体层的缺陷检测方法及系统。
技术介绍
在半导体器件(例如硅或碳化硅半导体二极管、三极管等)的制造过程中，通常不可避免地会在半导体层中产生缺陷(例如Z1/Z2缺陷、碳空位等)。有效控制这些缺陷的密度对于器件性能是至关重要的。目前常采用退火工艺来消除或减小缺陷密度。然而，退火条件对于退火效果十分重要，不适当的退火条件甚至会导致缺陷密度的增加。另一方面，缺陷的密度通常而言是未知的，这对于消除缺陷的努力设置了进一步的障碍。
技术实现思路
本专利技术提出用于半导体层的缺陷检测方法及系统，以解决现有技术中的一个或多个技术问题。根据本专利技术的一方面，提供一种用于半导体层的缺陷检测方法，包括：提供半导体层，针对半导体层采集第一激发波长对应的第一光致发光强度值I1，针对半导体层采集第二激发波长对应的第二光致发光强度值I2，构建关于I1和I2的函数F，确定函数F的值，以指示半导体层的缺陷水平。根据本专利技术的另一方面，提供一种...
【技术保护点】
1.一种用于半导体层的缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供所述半导体层；/n针对所述半导体层采集第一激发波长对应的第一光致发光强度值I1；/n针对所述半导体层采集第二激发波长对应的第二光致发光强度值I2；/n构建关于I1和I2的函数F；/n确定函数F的值，以指示所述半导体层的缺陷水平。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体层的缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：
提供所述半导体层；
针对所述半导体层采集第一激发波长对应的第一光致发光强度值I1；
针对所述半导体层采集第二激发波长对应的第二光致发光强度值I2；
构建关于I1和I2的函数F；
确定函数F的值，以指示所述半导体层的缺陷水平。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一激发波长是所述半导体层的带边激发波长，所述第二激发波长是与所述半导体层中的缺陷能级相对应的激发波长。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一激发波长在350nm至410nm之间或者是1140nm。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二激发波长范围在410nm至800nm之间。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一激发波长是380nm，所述第二激发波长是520nm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，函数F具有如下形式之一：
F＝I1/I2；
F＝k×I1/I2其中k是一个常量；以及
F＝I12/I22。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括：
将函数F的值与预定阈值进行比较；以及
根据比较的结果确定用于修复所述半导体层中的缺陷的修复条件。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括：用包含波长范围的光束照射所述半导体层，以确定所述第一激发波长和所述第二激发波长。
9.一种用于半导体层的缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：
提供所述半导体层；
针对所述半导体层确定N个检测位置，其中N是整数并且N≥2；
针对所述N个检测位置中的每个检测位置，采集第一激发波长对应的第一光致发光强度值，由此得到第一光致发光强度值集I1N，I1N为1×N矩阵，I1N的第i个元素表示为I1N(i)，I1N(i)表示第i个检测位置的第一光致发光强度值,i是整数且1≤i≤N；
针对所述N个检测位置中的每个检测位置，采集第二激发波长对应的第二光致发光强度值，由此得到第二光致发光强度值集I2N,I2N为1×N矩阵,I2N的第i个元素表示为I2N(i)，I2N(i)表示第i个检测位置的第二光致发光强度值；
构建关于第一光致发光强度值集I1N和第二光致发光强度值集I2N的函数FN，FN为1×N矩阵,FN的第i个元素表示为FN(i),FN(i)是关于I1N(i)和I2N(i)的函数；
确定函数FN的每个元素的值，以指示相应检测位置的缺陷水平，从而得到所述半导体层的缺陷水平；以及
在所述半导体层的缺陷水平高于阈值水平时，确定用于修复所述半导体层的缺陷的修复条件。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法包括：
将函数FN的每个元素与预定阈值进行比较；
确定函数FN中大于所述预定阈值的元素...
【专利技术属性】
技术研发人员：何乐平，陈伟钿，张永杰，周永昌，
申请(专利权)人：创能动力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：中国香港;81
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