一种抗静电半导体UV减粘胶层及保护膜制造技术

本发明专利技术涉及半导体保护膜技术领域，具体涉及一种抗静电半导体UV减粘胶层及保护膜。本发明专利技术提供了一种抗静电半导体UV减粘胶层，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物40‑60份、抗静电剂1‑5份、光引发剂1.5‑8份、分散剂0.5‑2份。本发明专利技术制备的一种抗静电半导体UV减粘保护膜，储存六个月也没有残胶现象，不仅避免了UV减粘保护膜在使用过程中由于摩擦作用产生静电，还能提高UV减粘保护膜在UV照射前的剥离强度以及降低UV减粘保护膜在UV照射后的剥离强度。

An antistatic semiconductor UV viscosity reducing adhesive layer and protective film

【技术实现步骤摘要】
一种抗静电半导体UV减粘胶层及保护膜
本专利技术涉及半导体保护膜
，具体涉及一种抗静电半导体UV减粘胶层及保护膜。
技术介绍
在半导体制作过程中，进行半导体晶圆切割、打磨时，为降低硅薄层缺陷密度，常常使用晶圆切割减粘保护膜。减粘保护膜是指在使用时粘合力强，而在后期剥离过程中，粘合力减弱以便剥离。目前市场上的减粘保护膜多为UV减粘保护膜，是指在UV照射前具有高度粘合力，贴附性好，在UV照射后粘合力明显下降，易于剥离。国内市场上用于晶圆切割和捡取工艺等保护的UV减粘胶多以日本、中国台湾为主，国内UV减粘胶也有几家在研发推广，但性能尚未完全稳定。并且，UV减粘保护膜的基材在使用过程中由于摩擦作用很容易产生静电，在用于静电要求较高的电子零件领域的使用受到限制，比如容易吸附灰尘，然后转移到贴合的产品表面，或者静电电压过高，导致零件产生不良等。目前的UV减粘保护膜一般在存储约3个月后，胶层中的小分子会迁移到胶层表面，虽然后期剥离时经过UV照射后粘合力变小，但胶粘层的小分子会残留在被贴合物体表面，给被贴合物体造成污染。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗静电半导体UV减粘胶层，其特征在于，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物40-60份、抗静电剂1-5份、光引发剂1.5-8份、分散剂0.5-2份。/n

【技术特征摘要】
1.一种抗静电半导体UV减粘胶层，其特征在于，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物40-60份、抗静电剂1-5份、光引发剂1.5-8份、分散剂0.5-2份。


2.根据权利要求1所述抗静电半导体UV减粘胶层，其特征在于，所述带有交联网络体系的聚合物包括交联型的丙烯酸树脂；所述交联型的丙烯酸树脂的制备原料包括二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、顺丁烯二酸酐。


3.根据权利要求2所述抗静电半导体UV减粘胶层，其特征在于，所述带有交联网络体系的聚合物还包括三维交联网络聚合物；所述三维交联网络聚合物的制备原料包括线性聚合物、缩水甘油醚。


4.根据权利要求3所述抗静电半导体UV减粘胶层，其特征在于，所述线性聚合物选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚丙烯腈中的一种或多种。


5.根据权利要求1-4中任一项所述抗静电半导体UV减粘胶层，其特征在于，所述抗静电剂选自石墨烯、碳纳米管、纳米银线、巴斯夫LQ01、巴斯夫P18、巴斯夫P22中的一种或多种的混合。


6.根据权利要求1-4中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯跃虎，诸葛锋，宋亦健，曾庆明，
申请(专利权)人：广东硕成科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44