一种抗静电半导体UV减粘胶层及保护膜制造技术

本发明专利技术涉及半导体保护膜技术领域，具体涉及一种抗静电半导体UV减粘胶层及保护膜。本发明专利技术提供了一种抗静电半导体UV减粘胶层，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物40‑60份、抗静电剂1‑5份、光引发剂1.5‑8份、分散剂0.5‑2份。本发明专利技术制备的一种抗静电半导体UV减粘保护膜，储存六个月也没有残胶现象，不仅避免了UV减粘保护膜在使用过程中由于摩擦作用产生静电，还能提高UV减粘保护膜在UV照射前的剥离强度以及降低UV减粘保护膜在UV照射后的剥离强度。

An antistatic semiconductor UV viscosity reducing adhesive layer and protective film

【技术实现步骤摘要】
一种抗静电半导体UV减粘胶层及保护膜
本专利技术涉及半导体保护膜
，具体涉及一种抗静电半导体UV减粘胶层及保护膜。
技术介绍
在半导体制作过程中，进行半导体晶圆切割、打磨时，为降低硅薄层缺陷密度，常常使用晶圆切割减粘保护膜。减粘保护膜是指在使用时粘合力强，而在后期剥离过程中，粘合力减弱以便剥离。目前市场上的减粘保护膜多为UV减粘保护膜，是指在UV照射前具有高度粘合力，贴附性好，在UV照射后粘合力明显下降，易于剥离。国内市场上用于晶圆切割和捡取工艺等保护的UV减粘胶多以日本、中国台湾为主，国内UV减粘胶也有几家在研发推广，但性能尚未完全稳定。并且，UV减粘保护膜的基材在使用过程中由于摩擦作用很容易产生静电，在用于静电要求较高的电子零件领域的使用受到限制，比如容易吸附灰尘，然后转移到贴合的产品表面，或者静电电压过高，导致零件产生不良等。目前的UV减粘保护膜一般在存储约3个月后，胶层中的小分子会迁移到胶层表面，虽然后期剥离时经过UV照射后粘合力变小，但胶粘层的小分子会残留在被贴合物体表面，给被贴合物体造成污染。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术的第一方面提供了一种抗静电半导体UV减粘胶层，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物40-60份、抗静电剂1-5份、光引发剂1.5-8份、分散剂0.5-2份。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述带有交联网络体系的聚合物包括交联型的丙烯酸树脂；所述交联型的丙烯酸树脂的制备原料包括二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、顺丁烯二酸酐。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述带有交联网络体系的聚合物还包括三维交联网络聚合物；所述三维交联网络聚合物的制备原料包括线性聚合物、缩水甘油醚。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述线性聚合物选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚丙烯腈中的一种或多种。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述抗静电剂选自石墨烯、碳纳米管、纳米银线、巴斯夫LQ01、巴斯夫P18、巴斯夫P22中的一种或多种的混合。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述光引发剂选自2-异丙基硫杂蒽酮、1-羟基环己基苯基甲酮、安息香双甲醚、二甲苯酮、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉基-1-丙酮、2,4,6-(三甲基苯甲酰基)-二苯基氧化膦中的一种或多种。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述分散剂选自BYK-170、BYK-180、BYK-182、BYK-P104S、Lencolo1105中的一种或多种。本专利技术的第二方面提供了一种抗静电半导体UV减粘保护膜，所述UV减粘保护膜包括上述UV减粘胶层。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述UV减粘保护膜还包括基材膜、离型膜；所述基材膜选自PO膜、PET离型膜、PVC膜中的任一种。本专利技术的第三方面提供了一种抗静电半导体UV减粘保护膜的制备方法，包括如下步骤：将UV减粘胶层的制备原料涂布于基材膜表面，预烘后在UV减粘胶层上贴合离型膜，在50-70℃熟化24-72h，即得所述抗静电半导体UV减粘保护膜。有益效果：本专利技术提供了一种抗静电半导体UVUV减粘胶层，采用带有交联网络体系的聚合物可以延长储存时间，储存六个月也没有残胶现象，通过加入多壁碳纳米管，不仅避免了UV减粘保护膜在使用过程中由于摩擦作用产生静电，还能提高UV减粘保护膜在UV照射前的剥离强度以及降低UV减粘保护膜在UV照射后的剥离强度。具体实施方式下面结合具体实施方式对本专利技术提供技术方案中的技术特征作进一步清楚、完整的描述，并非对其保护范围的限制。本专利技术中的词语“优选的”、“更优选的”等是指，在某些情况下可提供某些有益效果的本专利技术实施方案。然而，在相同的情况下或其他情况下，其他实施方案也可能是优选的。此外，对一个或多个优选实施方案的表述并不暗示其他实施方案不可用，也并非旨在将其他实施方案排除在本专利技术的范围之外。“聚合物”意指通过聚合相同或不同类型的单体所制备的聚合化合物。通用术语“聚合物”包含术语“均聚物”、“共聚物”、“三元共聚物”与“共聚体”。“共聚体”意指通过聚合至少两种不同单体制备的聚合物。通用术语“共聚体”包括术语“共聚物”(其一般用以指由两种不同单体制备的聚合物)与术语“三元共聚物”(其一般用以指由三种不同单体制备的聚合物)。其亦包含通过聚合四或更多种单体而制造的聚合物。“共混物”意指两种或两种以上聚合物通过物理的或化学的方法共同混合而形成的聚合物。为了解决上述技术问题，本专利技术第一个方面提供了一种抗静电半导体UV减粘胶层，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物40-60份、抗静电剂0.1-0.3份、光引发剂0.2-1份、分散剂0.5-2份。在一些优选的实施方式中，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物50份、抗静电剂0.2份、光引发剂0.5份、分散剂1份。带有交联网络体系的聚合物在一些实施方式中，所述带有交联网络体系的聚合物包括交联型的丙烯酸树脂；所述交联型的丙烯酸树脂的制备原料包括二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、顺丁烯二酸酐。在一些优选的实施方式中，所述交联型的丙烯酸树脂的制备原料包括二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、顺丁烯二酸酐；所述二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、顺丁烯二酸酐的摩尔比为1：(15-30)：(2-6)。本专利技术所述交联型的丙烯酸树脂的制备方法，包括如下步骤：将二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、顺丁烯二酸酐加入乙酸乙酯中，再加入热引发剂，均匀混合，在70-80℃进行自由基聚合反应，即得所述交联型的丙烯酸树脂；所述二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、顺丁烯二酸酐的摩尔比为1：22.5：4；所述乙酸乙酯的含量为原料总质量的35wt％；所述热引发剂为过氧化苯甲酸叔丁酯；所述过氧化苯甲酸叔丁酯的含量为原料总质量的1wt％。在一些优选的实施方式中，所述带有交联网络体系的聚合物还包括三维交联网络聚合物；所述三维交联网络聚合物的制备原料包括线性聚合物、缩水甘油醚；所述线性聚合物、缩水甘油醚的质量比为(3-8)：1。在一些优选的实施方式中，所述线性聚合物、缩水甘油醚的质量比为5：1。在一些优选的实施方式中，所述线性聚合物选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚丙烯腈中的一种或多种。在一些优选的实施方式中，所述线性聚合物为聚甲基丙烯酸甲酯。在一些优选的实施方式中，所述缩水甘油醚包括聚乙二醇二缩水甘油醚和双酚A二缩水甘油醚；所述聚乙二醇二缩水甘油醚和双酚A二缩水甘油醚的质量比为1：1。在一些优选的实施方式中，所述三维交联网络聚合物的制备原料还包括聚醚胺和N,N-二甲基乙酰胺；所述聚醚胺、N,N-二甲基乙酰胺占合成三维交联网络聚合物原料总质量的6wt％、70wt％。本专利技术所述三维交联网络聚合物的制备，包括如下步骤：将线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗静电半导体UV减粘胶层，其特征在于，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物40-60份、抗静电剂1-5份、光引发剂1.5-8份、分散剂0.5-2份。/n

【技术特征摘要】
1.一种抗静电半导体UV减粘胶层，其特征在于，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物40-60份、抗静电剂1-5份、光引发剂1.5-8份、分散剂0.5-2份。


2.根据权利要求1所述抗静电半导体UV减粘胶层，其特征在于，所述带有交联网络体系的聚合物包括交联型的丙烯酸树脂；所述交联型的丙烯酸树脂的制备原料包括二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、顺丁烯二酸酐。


3.根据权利要求2所述抗静电半导体UV减粘胶层，其特征在于，所述带有交联网络体系的聚合物还包括三维交联网络聚合物；所述三维交联网络聚合物的制备原料包括线性聚合物、缩水甘油醚。


4.根据权利要求3所述抗静电半导体UV减粘胶层，其特征在于，所述线性聚合物选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚丙烯腈中的一种或多种。


5.根据权利要求1-4中任一项所述抗静电半导体UV减粘胶层，其特征在于，所述抗静电剂选自石墨烯、碳纳米管、纳米银线、巴斯夫LQ01、巴斯夫P18、巴斯夫P22中的一种或多种的混合。


6.根据权利要求1-4中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯跃虎，诸葛锋，宋亦健，曾庆明，
申请(专利权)人：广东硕成科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44