一种氮化碳超薄异质结的制备方法及其应用技术

技术编号:24665129 阅读:97 留言:0更新日期:2020-06-27 04:01
本发明专利技术公开了一种氮化碳超薄异质结的制备方法及其应用,将带负电的超薄产氢g‑C

Preparation and application of an ultra thin carbon nitride heterojunction

【技术实现步骤摘要】
一种氮化碳超薄异质结的制备方法及其应用
本专利技术属于石墨相氮化碳材料领域,具体涉及一种氮化碳超薄异质结的制备方法及其应用。
技术介绍
受自然光合作用启发,基于半导体的Z型异质结体系被认为是实现光催化全分解水的最有效体系之一。此体系由两种能带结构匹配的半导体构成,其中导带电位较低的半导体用于光催化产氢,价带电位较高的半导体用于光催化产氧,载流子通过两者结合处的界面定向传输,整体实现有序的氧化/还原反应循环。这种Z型体系将水分解过程分为两个步骤,克服了单一半导体光催化剂在全分解水过程中的动力学和热力学瓶颈,因而受到人们的广泛研究。截至目前,已经成功发展了多种Z型光催化体系,如钛酸锶/钒酸铋(J.Am.Chem.Soc.2017,139,1675-1683),钛酸锶/三氧化钨(J.Phys.Chem.C2017,121,9691-9697),氮化钽/三氧化钨(Chem.Sci.2017,8,437-443),金属硫化物/二氧化钛(J.Am.Chem.Soc.2015,137,604-607),黑磷/钒酸铋(Angew.Chem.Int.Ed.201本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化碳超薄异质结的制备方法,其特征在于,将带正电的超薄产氢g-C

【技术特征摘要】
1.一种氮化碳超薄异质结的制备方法,其特征在于,将带正电的超薄产氢g-C3N4与带负电的超薄产氧g-C3N4在水相环境中进行静电自组装,之后蒸发去水即可得到用于光解水的氮化碳超薄异质结。


2.根据权利要求1所述的一种氮化碳超薄异质结的制备方法,其特征在于,进行静电自组装的带正电的超薄产氢g-C3N4与带负电的超薄产氧g-C3N4质量相同。


3.根据权利要求2所述的一种氮化碳超薄异质结的制备方法,其特征在于,水相环境采用去离子水。


4.根据权利要求3所述的一种氮化碳超薄异质结的制备方法,其特征在于,带正电的超薄产氢g-C3N4与去离子水的质量体积比为1g:(2000~5000)mL。


5.根据权利要求4所述的一种氮化碳超薄异质结的制备方法,其特征在于,将带负电的超薄产氢g-C3N4与盐酸水溶液按质量体积比为1g:(300~500)mL混合,然后超声、剧烈搅拌得到混合物A,然后将混合物A过滤水洗、真空干燥,即可得到带正电...

【专利技术属性】
技术研发人员:沈少华赵大明
申请(专利权)人:西安交通大学
类型:发明
国别省市:陕西;61

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