一种高比表面积缺陷型氮化碳的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种高比表面积缺陷型氮化碳的制备方法，包括步骤如下：将氮化碳前驱体于200～500℃下焙烧，得氮化碳中间体；将得到的氮化碳中间体进行球磨，得到球磨后的氮化碳中间体；将得到的球磨后的氮化碳中间体在520～650℃下焙烧，即得高比表面积缺陷型氮化碳。本发明专利技术对氮化碳中间体进行球磨处理，然后焙烧，即可制备出高比表面积缺陷型氮化碳。缺陷和介孔的产生使氮化碳的光吸收性能显著增强，光生电荷分离加速，光催化水分解产氢速率较传统块状氮化碳显著提高。本方法对设备要求低、操作简单，易于实现工业化批量生产，可广泛应用于缺陷型氮化碳生产领域。

A preparation method of high specific surface area defect type carbon nitride

【技术实现步骤摘要】
一种高比表面积缺陷型氮化碳的制备方法
本专利技术涉及一种高比表面积缺陷型氮化碳的制备方法，具体涉及一种球磨法制备高比表面积缺陷型氮化碳的方法，属于纳米材料及光催化

技术介绍
面对当前亟待解决的能源危机、温室效应和环境污染等问题，光催化技术可通过裂解水制氢、还原二氧化碳等过程将低密度的太阳能转化为高密度的化学能，而表现出了极大的应用潜力。氮化碳(CN)作为一种有机半导体光催化剂，具有无毒、高化学稳定性和低成本等优点，其在光催化
具有广阔的应用前景。但CN具有比表面积小、结晶性差、光谱吸收范围窄、导电性差和光生电荷分离效率低等自身缺陷，其光催化活性较低，还无法满足工业化应用需求。目前增强CN光催化性能的方法，主要有形貌调控(模板法、剥离等)、构筑异质结和杂原子修饰等。但这些方法主要为化学法，制备过程较为复杂，需要添加额外的有毒或昂贵化学试剂，一般难以进行工业化批量生产。而符合绿色化学和原子经济性要求的物理法，如在纳米化学领域应用最广泛的球磨法，有较少报道用于CN结构改性，但仍存技术或工艺缺陷。例如：中国专利文件CN10920本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高比表面积缺陷型氮化碳的制备方法，包括步骤如下：/n(1)将氮化碳前驱体于200～500℃下焙烧，得氮化碳中间体；将得到的氮化碳中间体进行球磨，得到球磨后的氮化碳中间体；/n(2)将步骤(1)得到的球磨后的氮化碳中间体在520～650℃下焙烧，即得高比表面积缺陷型氮化碳。/n

【技术特征摘要】
1.一种高比表面积缺陷型氮化碳的制备方法，包括步骤如下：
(1)将氮化碳前驱体于200～500℃下焙烧，得氮化碳中间体；将得到的氮化碳中间体进行球磨，得到球磨后的氮化碳中间体；
(2)将步骤(1)得到的球磨后的氮化碳中间体在520～650℃下焙烧，即得高比表面积缺陷型氮化碳。


2.根据权利要求1所述的氮化碳的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的氮化碳前驱体为三聚氰胺、氰胺、双氰胺、硫氰酸氨、尿素和硫脲中的一种或两种以上的组合；优选的，所述的氮化碳前驱体为三聚氰胺、氰胺或双氰胺。


3.根据权利要求1所述的氮化碳的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述焙烧温度为300～400℃。


4.根据权利要求1所述的氮化碳的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的氮化碳前驱体为三聚氰胺时焙烧温度为400℃，所述的氮化碳前驱体为氰胺或双氰胺时焙烧温度为350℃。


5.根据权利要求1所述的氮化碳的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓全花，巴贵明，李海平，侯万国，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：山东;37