【技术实现步骤摘要】
粉末收集系统
本专利技术涉及半导体设备领域,尤其涉及一种粉末收集系统。
技术介绍
半导体制程包括在半导体晶圆表面以硅酸四乙酯(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate,TEOS)为材料利用化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition,CVD)沉积薄膜,和在半导体晶圆表面蚀刻电路。这些制程步骤会产生杂质粉末,而颗粒污染是处理设备对半导体晶圆进行工艺处理过程中的一个主要关心问题。为了避免避免杂质粉末在反应室里循环而造成污染,通常需在半导体制程的处理室出气口外加装粉末捕集装置。现有的粉末捕集装置中气流通道单一,容易造成粉末堵塞,并且粉末堵塞时设备不能及时发出提示信息,导致工程师需要频繁、定期清理粉末捕集装置,使得粉末捕集装置的使用周期短,降低半导体制程的生产效率。
技术实现思路
鉴于上述状况,有必要提供一种延长使用周期并且能提示清理时机的粉末收集系统。一种粉末收集系统,包括:处理室,半导体晶圆放置在所述处理室内;第一粉末捕集装置,与所述处理室连通;和真空泵,与所述第一粉末捕 ...
【技术保护点】
1.一种粉末收集系统,包括:/n处理室,半导体晶圆放置在所述处理室内;/n第一粉末捕集装置,与所述处理室连通;和/n真空泵,与所述第一粉末捕集装置连通,用于抽气以使粉末流入所述第一粉末捕集装置;/n其特征在于,所述第一粉末捕集装置包括内腔和多个隔板,所述多个隔板垂直交错设置在所述内腔内,用于将所述内腔分割成多个相互连通的区域,形成与所述内腔的进气端和出气端连通的通道,所述通道包括并联设置的第一气流通道和第二气流通道,所述内腔的进气端与所述处理室连通,所述内腔的出气端与所述真空泵连通;所述粉末收集系统还包括检测器,设置在所述内腔的出气端,用于检测气流大小,并根据检测结果判断所 ...
【技术特征摘要】
20181218 US 62/7810411.一种粉末收集系统,包括:
处理室,半导体晶圆放置在所述处理室内;
第一粉末捕集装置,与所述处理室连通;和
真空泵,与所述第一粉末捕集装置连通,用于抽气以使粉末流入所述第一粉末捕集装置;
其特征在于,所述第一粉末捕集装置包括内腔和多个隔板,所述多个隔板垂直交错设置在所述内腔内,用于将所述内腔分割成多个相互连通的区域,形成与所述内腔的进气端和出气端连通的通道,所述通道包括并联设置的第一气流通道和第二气流通道,所述内腔的进气端与所述处理室连通,所述内腔的出气端与所述真空泵连通;所述粉末收集系统还包括检测器,设置在所述内腔的出气端,用于检测气流大小,并根据检测结果判断所述第一粉末捕集装置是否需要清理。
2.如权利要求1所述的粉末收集系统,其特征在于,所述粉末收集系统包括冷却装置,所述冷却装置设置在所述第一粉末捕集装置底部,用于冷却所述第一粉末捕集装置,以降低颗粒的动能并吸引颗粒沉积在所述第一粉末捕集装置内。
3.如权利要求1所述的粉末收集系统,其特征在于,所述多个隔板组成的通道呈螺旋形或涡旋形。
4.如权利要求1所述的粉末收集系...
【专利技术属性】
技术研发人员:李东根,李殷廷,崔致久,金成基,
申请(专利权)人:夏泰鑫半导体青岛有限公司,
类型:发明
国别省市:山东;37
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