处理半导体晶圆的光刻胶涂布及显影系统和方法技术方案

本发明专利技术提供了一种用于处理多个由前开式晶圆传送盒(FOUP)承载的半导体晶圆的光刻胶涂布及显影系统。光刻胶涂布及显影系统包括处理区域、第一公共区域以及第二公共区域。处理区域包括第一组处理模块和第二组处理模块。第一公共区域联接至处理区域的第一组处理模块。第一公共区域包括第一机械手和至少两个第一FOUP端口。第二公共区域联接至处理区域的第二组处理模块。第二公共区域包括第二机械手和至少两个第二FOUP端口。本发明专利技术还提供一种处理多个由前开式晶圆传送盒(FOUP)承载的半导体晶圆的方法。

Photoresist coating and developing system and method for semiconductor wafer processing

【技术实现步骤摘要】
处理半导体晶圆的光刻胶涂布及显影系统和方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月14日提交的第62/779490号美国临时专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术总体上涉及一种处理半导体晶圆的光刻胶涂布及显影系统和方法。更具体而言，本专利技术涉及一种光刻胶涂布及显影系统，其具有分别与两组处理模块集成在一起的两个公共区域。
技术介绍
在半导体制造工厂中，晶圆在几种不同的工具中被处理，以执行各种功能。为了提高半导体制造工厂中晶圆的产量，提高工具的生产能力很重要。此外，半导体制造工厂中的空间是有限的。高效的工具布置能够节省半导体制造工厂的空间，同时提高生产能力。光刻胶涂布及显影工具或光刻胶涂布及显影系统是用于半导体制造制程的设备群集。光刻胶涂布及显影工具可以包括前开式晶圆传送盒(FOUP)端口(也称作前开式统一盒端口或盒式端口)、处理模块、公共区域和传送机械手。光刻胶涂布及显影工具可用于执行各种半导体制造制程，例如，光刻制程中的旋涂(SOC)制程，薄膜形成制程中的旋涂介电质(SOD)制程，或者湿法蚀刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理多个由前开式晶圆传送盒(FOUP)承载的半导体晶圆的光刻胶涂布及显影系统，其特征在于，包括：/n处理区域，包括第一组处理模块和第二组处理模块，每个所述处理模块均配置成处理所述晶圆；/n第一公共区域，联接至所述处理区域的所述第一组处理模块，包括第一机械手和至少两个第一FOUP端口，每个所述第一FOUP端口均配置成定位一个所述FOUP，所述第一机械手配置成在位于所述第一FOUP端口处的FOUP与所述第一组处理模块之间转移所述晶圆；以及/n第二公共区域，联接至所述处理区域的所述第二组处理模块，包括第二机械手和至少两个第二FOUP端口，每个所述第二FOUP端口均配置成定位一个所述FOU...

【技术特征摘要】
20181214 US 62/779490;20191204 US 16/7035061.一种用于处理多个由前开式晶圆传送盒(FOUP)承载的半导体晶圆的光刻胶涂布及显影系统，其特征在于，包括：
处理区域，包括第一组处理模块和第二组处理模块，每个所述处理模块均配置成处理所述晶圆；
第一公共区域，联接至所述处理区域的所述第一组处理模块，包括第一机械手和至少两个第一FOUP端口，每个所述第一FOUP端口均配置成定位一个所述FOUP，所述第一机械手配置成在位于所述第一FOUP端口处的FOUP与所述第一组处理模块之间转移所述晶圆；以及
第二公共区域，联接至所述处理区域的所述第二组处理模块，包括第二机械手和至少两个第二FOUP端口，每个所述第二FOUP端口均配置成定位一个所述FOUP，所述第二机械手配置成在位于所述第二FOUP端口处的FOUP与所述第二组处理模块之间转移所述晶圆。


2.如权利要求1所述的光刻胶涂布及显影系统，其特征在于，所述至少两个第一FOUP端口包括至少一个入站FOUP端口以及至少一个出站FOUP端口，所述入站FOUP端口配置成定位承载有未处理的晶圆的所述FOUP，并且所述出站FOUP端口配置成定位承载有处理后的晶圆的所述FOUP，所述至少两个第二FOUP端口包括至少一个入站FOUP端口以及至少一个出站FOUP端口，所述入站FOUP端口配置成定位承载有未处理的晶圆的所述FOUP，并且所述出站FOUP端口配置成定位承载有处理后的晶圆的所述FOUP。


3.如权利要求1所述的光刻胶涂布及显影系统，其特征在于，所述处理区域具有第一侧以及与所述第一侧平行的第二侧，所述第一公共区域的所述第一FOUP端口沿着所述处理区域的所述第一侧设置，并且所述第二公共区域的所述第二FOUP端口沿着所述处理区域的所述第二侧设置。


4.如权利要求1所述的光刻胶涂布及显影系统，其特征在于，所述第一组和第二组中的每个所述处理模块均包括配置成处理所述晶圆的多个单元，并且所述处理模块的每个所述单元均配置成执行至少一个以下制程：增粘制程、旋涂制程、至少一个施涂后烘烤制程以及冷却板制程，所述第一组和第二组中的每个所述处理模块还包括过渡台，所述过渡台配置成在将所述晶圆转移到所述单元之前定位所述晶圆。


5.如权利要求1所述的光刻胶涂布及显影系统，其特征在于，所述至少两个第一FOUP端口包括两个入站FOUP端口和两个出站FOUP端口，并且所述第一组处理模块包括三个处理模块，所述光刻胶涂布及显影系统还包括第一FOUP交换器，所述第一FOUP交换器联接至所述第一公共区域，并且配置成在所述第一FOUP端口之间交换所述FOUP。


6.如权利要求1所述的光刻胶涂布及显影系统，其特征在于，所述至少两个第二FOUP端口包括两个入站FOUP端口和两个出站FOUP端口，所述第二组处理模块包括三个处理模块，所述光刻胶涂布及显影系统...

【专利技术属性】
技术研发人员：张成根，林钟吉，权炳仁，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37