一种用于加工硅环的方法技术

本发明专利技术公开了一种用于加工硅环的方法，包括以下步骤：(1)将可以旋转的装置安装在加工中心作业平台上；将硅环固定在该装置上，并用加工中心对硅环进行定位；(2)调节旋转装置的自转速度，硅环随着装置进行旋转，使用加工中心对硅环的内外径、表面和异形部分进行机加工；(3)加工结束时，取下硅环进行清洗。本发明专利技术利用加工中心加工圆形硅环时使硅环进行自转，对硅环的外径和内径进行加工，可以通过旋转装置调整硅环的自转速度来达到所需要的内外径表面。本发明专利技术的方法简单易行，大大降低了外径表面处理时间，明显提高了硅环加工效率和质量。

A method for machining silicon ring

【技术实现步骤摘要】
一种用于加工硅环的方法
本专利技术涉及一种用于加工硅环的方法，属于半导体材料

技术介绍
一般在制造半导体集成电路的时候，需要对硅晶片上形成的层间绝缘层(SiO2)进行刻蚀。为了对带有绝缘层的硅晶圆进行刻蚀，要使用等离子刻蚀装置。在该等离子刻蚀装置中，刻蚀气体通过设置于硅电极板的贯穿细孔朝向硅晶圆并同时施加高频电压，从而在等离子体刻蚀用硅电极板和硅晶圆之间产生了等离子体，该等离子体作用于硅晶圆，从而实现对硅晶圆表面绝缘层的刻蚀。在该过程中，硅晶圆被置于载片台上。由于工艺或硅晶圆尺寸的不同，载片台的结构也各不相同，均为圆环形状，统称为硅环。在等离子体刻蚀硅晶圆时，承载硅晶圆的硅环也会受到等离子体的刻蚀作用，若硅环的表面，特别是边缘存在损伤的话，在刻蚀过程中会产生各种杂质，对待刻蚀的硅晶圆造成沾污，影响最终产品的良率，并且大幅度地降低硅环的使用寿命，因此一般需要硅环的表面和内外径有很小的粗糙度。硅环整体结构一般使用加工中心完成，之后采用腐蚀和化学机械抛光方法获得完美表面。但在加工中心加工过程中硅环是静止不动的，内外径会留下刀痕，不容本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于加工硅环的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)将可以旋转的装置安装在加工中心作业平台上；将硅环固定在该装置上，并用加工中心对硅环进行定位；/n(2)调节旋转装置的自转速度，硅环随着装置进行旋转，使用加工中心对硅环的内外径、表面和异形部分进行机加工；/n(3)加工结束时，取下硅环进行清洗。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于加工硅环的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将可以旋转的装置安装在加工中心作业平台上；将硅环固定在该装置上，并用加工中心对硅环进行定位；
(2)调节旋转装置的自转速度，硅环随着装置进行旋转，使用加工中心对硅环的内外径、表面和异形部分进行机加工；
(3)加工结束时，取下硅环进行清洗。


2.根据权利要求1所述的用于加工硅环的方法，其特征在于，所述装置由设置在其内部的电机带动旋转，或者由...

【专利技术属性】
技术研发人员：库黎明，闫志瑞，朱秦发，陈海滨，李亚光，
申请(专利权)人：有研半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11