【技术实现步骤摘要】
一种基于单层MoS2薄膜/GaN纳米柱阵列的自供电紫外探测器
本技术属于紫外探测器领域，具体涉及一种基于单层MoS2薄膜/GaN纳米柱阵列的自供电紫外探测器。
技术介绍
紫外探测技术在火焰探测、臭氧层空洞监测、紫外通信、国防预警与跟踪等军事及民用设施领域中具有广泛应用。在电子设备高度集成化的今天，紫外探测器作为重要的光电转换器件，其结构的微型化、可集成化成了发展的必然趋势。第三代宽带隙半导体材料GaN，禁带宽度为3.4eV，是一种理想的紫外探测器原材料；为了进一步减小成本和体积、提高性能，从而达到光电集成化应用的程度，近年来，使用一维纳米结构GaN作为紫外探测器成为了研究热门。一维GaN纳米结构紫外探测器优势表现为：其晶体质量是优于薄膜的，因为一维纳米结构是几乎完全弛豫的，能够有效减少穿透到纳米棒顶端的位错，有助于减少缺陷，提高晶体质量；此外，一维GaN纳米结构在很大程度上増加了材料的侧壁面积，从而增加了光子逃逸/吸收角度，有效的提高了光发射/吸收，从而提高了探测器性能。然而要使得这种纳米光电集成系统，即多个纳米器件...
【技术保护点】
1.一种基于单层MoS
【技术特征摘要】
1.一种基于单层MoS2薄膜/GaN纳米柱阵列的自供电紫外探测器，其特征在于，自下至上依次包括衬底（1）、GaN纳米柱阵列（2）、单层MoS2薄膜（3）；所述单层MoS2薄膜（3）自支撑在所述GaN纳米柱阵列（2）顶部上；所述单层MoS2薄膜上设有第一金属电极（4）；所述GaN纳米柱阵列的底端处设有第二金属电极（5）。
2.根据权利要求1所述的一种基于单层MoS2薄膜/GaN纳米柱阵列的自供电紫外探测器，其特征在于，所述衬底（1）的厚度为400~450μm。
3.根据权利要求1所述的一种基于单层MoS2薄膜/GaN纳米柱阵列的自供电紫外探测器，其特征在于，所述衬底选自蓝宝石、Si或ScAlMgO4。
4.根据权利要求1所述的一种基于单层MoS2薄膜/GaN纳米柱阵列的自供电紫外探测器，其特征在于，所述GaN纳米柱阵列（2）中GaN纳米柱的长度为350~450nm，直径为50~75nm。
5.根据权利要求1所述的一种基于单层MoS2薄膜/GaN纳米柱阵列的自供电紫外探测器，其特征在于，所述GaN纳米柱阵列中的GaN纳米柱与衬底之间的GaN合并膜的厚度为4~8nm。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，郑昱林，王文樑，唐鑫，柴吉星，孔德麒，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：新型
国别省市：广东;44
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