一种压电光电子学光电探测器及其构建方法技术

本发明专利技术涉及微纳能源技术领域，公开了一种基于异质结的压电光电子学光电探测器的结构，所述光电探测器包括：衬底、黏附层、导电沟道层、压电材料层和两端电极。所述黏附层在所述衬底1上，所述导电沟道层3位于所述黏附层2上，所述压电材料层4位于所述导电沟道层3上，所述两端电极5分布于所述导电沟道层3的左右两端，并且不与所述压电材料层4接触。这种新型器件结构中，流过器件的电流只通过器件中载流子迁移率高的半导体，摆脱电极与界面串联的结构对器件性能的限制，使得器件表现出可被机械输入信号调控的特性以及主动探测所受应变的特性。

A piezoelectric optoelectronic photodetector and its construction method

【技术实现步骤摘要】
一种压电光电子学光电探测器及其构建方法
本专利技术涉及微纳能源
，具体地，涉及一种性能可调的且能检测器件本身所受应变的多功能光电探测器的结构。
技术介绍
光电探测器是一种基础的半导体器件，这种器件利用半导体的光电性质，通过半导体内光生载流子浓度的变化引起该半导体内部的电导率变化，最终产生光电探测器电流的变化。传统的光电探测器单纯依赖半导体的光电效应，其功能单一且性能受到极大的限制。随着可穿戴技术、柔性电子、物联网技术等的不断发展，单一功能的光电探测器将无法满足新兴技术的发展需要，多功能集成化的光电探测器则更加符合未来的发展趋势。压电光电子学是一个新兴的研究领域，通过压电光电子学效应，半导体光电器件所受的机械应变可作为一种输入信号来调节光生载流子的产生、输运、分离以及复合等过程。利用这一效应，机械输入信号可对光电探测器的性能产生调控；同时光电探测器性能的变化作为对机械输入信号的反应也可以实现对机械输入信号的主动式探测。因此利用压电光电子学效应能够实现性能可调且多功能集成化的新型光电探测器。目前，在压电光电子学光电探测器的器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种压电光电子学光电探测器，其特征在于，包括，/n衬底；/n导电沟道层，所述导电沟道层位于所述衬底上；/n压电材料层，所述压电材料层位于所述导电沟道层上；/n两端电极，所述两端电极位于所述衬底上，分布于所述导电沟道层的左右两端，且不与所述压电材料层接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种压电光电子学光电探测器，其特征在于，包括，
衬底；
导电沟道层，所述导电沟道层位于所述衬底上；
压电材料层，所述压电材料层位于所述导电沟道层上；
两端电极，所述两端电极位于所述衬底上，分布于所述导电沟道层的左右两端，且不与所述压电材料层接触。


2.根据权利要求1所述的压电光电子学光电探测器，其中，所述压电材料层的光电性质优于所述导电沟道层；
和/或，在相同条件下，所述压电材料层比所述导电沟道层产生更多的光生载流子。


3.根据权利要求1至2任一项所述的压电光电子学光电探测器，其中，所述导电沟道层，为二维纳米材料薄层、一维纳米带薄层；
优选的，所述薄层材料为WS2。


4.根据权利要求1至3任一项所述的压电光电子学光电探测器，其中，所述压电材料层为纤锌矿、钙钛矿类材料；
优选的，所述压电材料层为铅卤钙钛矿类材料的单晶微米/纳米线、微米/纳米棒；
更优选的，所述铅卤钙钛矿类材料的单晶微米/纳米线为单根CsPbBr3单晶微米线。


5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘曹峰，徐迁，
申请(专利权)人：北京纳米能源与系统研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11