【技术实现步骤摘要】
基于黑磷/石墨烯/二硫化钼异质结的光电探测器及其制备方法
本专利技术涉及光探测器领域，具体涉及一种基于黑磷/石墨烯/二硫化钼异质结的光电探测器及其制备方法。
技术介绍
光电探测器是将光信号转换成电信号的装置。光电探测器用途广泛，涵盖军事和国民经济的各个领域，如在可见光和近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等。基于硅，砷化镓，铟镓砷等半导体材料的传统光电探测器普遍存在响应波段窄，响应灵敏度不够高等问题。商用的红外波段探测器必须在超低温度下才能正常工作，这使得探测器的成本急剧增加且不易集成。目前科学研究和工业生产领域利用新型二维材料半导体形成的高效光电探测器正在迅猛发展。例如，基于黑磷/二硫化钼范德华异质结的P-N结型光电探测器可以实现覆盖可见光至中红外光的探测范围和快速的响应速度。但是，目前报道的这种P-N结存在暗电流过大的问题，使得探测器的灵敏度较低，使得其在相关领域的应用受到了很大限制。因此，进一步开发具有低暗电流、快速响应、高灵敏度的光电探测器对其发展具有重要意义。
【技术保护点】
1.一种基于黑磷/石墨烯/二硫化钼异质结的光电探测器，其特征在于，包括基底、第一电极、第二电极、黑磷薄膜层、石墨烯层和二硫化钼层，所述第一电极和所述第二电极间隔设置在所述基底的一侧表面，所述第一电极和所述第二电极之间形成沟道结构，所述黑磷薄膜层、所述石墨烯层和所述二硫化钼层依次层叠设置在所述沟道结构内，所述第一电极和所述第二电极分别与所述黑磷薄膜层和所述二硫化钼层接触连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于黑磷/石墨烯/二硫化钼异质结的光电探测器，其特征在于，包括基底、第一电极、第二电极、黑磷薄膜层、石墨烯层和二硫化钼层，所述第一电极和所述第二电极间隔设置在所述基底的一侧表面，所述第一电极和所述第二电极之间形成沟道结构，所述黑磷薄膜层、所述石墨烯层和所述二硫化钼层依次层叠设置在所述沟道结构内，所述第一电极和所述第二电极分别与所述黑磷薄膜层和所述二硫化钼层接触连接。
2.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，还包括自修复电极，所述自修复电极设置在所述第一电极和/或所述第二电极的表面。
3.如权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述自修复电极包括电极基体和自修复层，所述自修复层设置在所述电极基体靠近所述第一电极和/或所述第二电极的一侧表面。
4.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述黑磷薄膜层在所述基底上的正投影与所述二硫化钼层在所述基底上的正投影的重合区域，与所述石墨烯层在所述基底上的正投影面积比为1：(0.2-5)。
5.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述黑磷薄膜层在所述基底上的正投影与所述二硫化钼层在所述基底上的正投影的重合区域，与所述石墨烯层在所述基底上的正投影完全重叠。
6.如权利要求1所述的光电探测器...
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