一种集成防过压电路制造技术

本申请提供的集成防过压电路包括：偏置电路、第一支路和第二支路；第一支路的第一PMOS管的栅极接第一电压，第一PMOS管的源极与电源电压连接，第一PMOS管的漏极与第一支路的第二PMOS管的源极连接，第二PMOS管的栅极与偏置电路的第一输出端连接，第二PMOS管的漏极与接地端连接；第二支路的第一NMOS管的栅极接第二电压，第一NMOS管的源极与接地端连接，第一NMOS管的漏极与第一支路的第二NMOS管的源极连接，第二NMOS管的栅极与偏置电路的第二输出端连接，第二NMOS管的漏极与电源电压连接；当集成防过压电路处于第一状态时，偏置电路的第一输出端和第二输出端均输出第一电压；当处于第二状态时，偏置电路的第一输出端输出第二电压且偏置电路的第二输出端输出第三电压。

An integrated anti overvoltage circuit

【技术实现步骤摘要】
一种集成防过压电路
本申请涉及电路领域，涉及但不限于一种集成防过压电路。
技术介绍
随着集成电路制造工艺的发展，特征尺寸越来越小，器件的耐压能力越来越弱。当芯片的供电电压超过器件最大承受电压时，就需要采取保护措施以使器件正常工作。通常会采用低压差线性稳压器或开关电源将电源电压降压。但系统集成化程度越来越高，功耗的要求也越来越高，采用低压差线性稳压器或开关电源的方案会占用额外的面积和引入额外的功率损耗。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种集成防过压电路，能够解决采用低压差线性稳压器或开关电源的方案会占用额外的面积和引入额外的功率损耗的问题；该集成防过压电路实现了高度集成的、低功率损耗的低压器件保护技术，确保低压器件应用于较高的电源电压而不损坏。本申请实施例提供了一种集成防过压电路，包括：偏置电路、第一支路和第二支路；其中，所述第一支路包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的栅极接第一电压，所述第一PMOS管的源极与电源电压连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的源极连接，所述第二P本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成防过压电路，其特征在于，包括：偏置电路、第一支路和第二支路；其中，/n所述第一支路包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的栅极接第一电压，所述第一PMOS管的源极与电源电压连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的源极连接，所述第二PMOS管的栅极与所述偏置电路的第一输出端连接，所述第二PMOS管的漏极与接地端连接；/n所述第二支路包括第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的栅极接第二电压，所述第一NMOS管的源极与所述接地端连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的源极连接，所述第二NMOS管的栅极与所述偏置电路的第二输出端连接，所...

【技术特征摘要】
1.一种集成防过压电路，其特征在于，包括：偏置电路、第一支路和第二支路；其中，
所述第一支路包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的栅极接第一电压，所述第一PMOS管的源极与电源电压连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的源极连接，所述第二PMOS管的栅极与所述偏置电路的第一输出端连接，所述第二PMOS管的漏极与接地端连接；
所述第二支路包括第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的栅极接第二电压，所述第一NMOS管的源极与所述接地端连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的源极连接，所述第二NMOS管的栅极与所述偏置电路的第二输出端连接，所述第二NMOS管的漏极与所述电源电压连接；
所述偏置电路的输入端与所述电源电压连接；
其中，当所述集成防过压电路处于第一状态时，所述偏置电路的第一输出端和所述偏置电路的第二输出端均输出第一电压；当所述集成防过压电路处于第二状态时，所述偏置电路的第一输出端输出第二电压，且所述偏置电路的第二输出端输出第三电压；所述第三电压大于所述第一电压且所述第二电压小于所述第一电压。


2.根据权利要求1所述的集成防过压电路，其特征在于，所述第一电压为所述电源电压的1/N，其中，所述N为大于等于2的正整数。


3.根据权利要求1或2所述的集成防过压电路，其特征在于，所述第三电压减去所述第一电压得到的差值，与所述第一电压减去所述第二电压得到的差值相等。


4.根据权利要求1所述的集成防过压电路，其特征在于，所述偏置电路包括第一偏置电路，第二偏置电路以及切换电路；其中，
所述第一偏置电路的一端与所述电源电压连接，所述第一偏置电路的另一端与所述切换电路连接；
所述第二偏置电路的一端与所述电源电压连接，所述第二偏置电路的另一端与所述切换电路连接；
当所述集成防过压电路处于所述第一状态时，通过所述切换电路控制所述第一偏置电路的第一输出端和所述第一偏置电路的第二输出端均输出第一电压；当所述集成防过压电路处于所述第二状态时，通过所述切换电路控制所述第二偏置电路的第一输出端输出所述第二电压，且通过所述切换电路控制所述第二偏置电路的第二输出端输出所述第三电压。


5.根据权利要求4所述的集成防过压电路，其特征在于，所述第一偏置电路包括第一电阻、第二电阻、第一目标NMOS管、第二目标NMOS管、第一目标PMOS管以及第二目标PMOS管；其中，
所述第一电阻的一端与所述电源电压连接，所述第一电阻的另一端与所述第一目标NMOS管的漏极连接，所述第一目标NMOS管的源极与所述第一目标PMOS管的源极连接，所述第一目标PMOS管的漏极与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述接地端连接；其中，所述第一目标NMOS管的漏极与所述第一目标NMOS管的栅极连接；
所述第二目标NMOS管的漏极与所述电源电压连接，所述第二目标NMOS管的源极与所述第二目标PMOS管的源极连接，所述第二目标PMOS管的漏极与所述接地端连接；其中，所述第一目标PMOS管的漏极与所述第一目标PMOS管的栅极连接；
所述第一目标NMOS管的栅极与所述第二目标NMOS管的栅极连接，所述第一目标PMOS管的栅极与所述第二目标PMOS管的栅极连接。


6.根据权利要求5所述的集成防过压电路，其特征在于，当所述集成防过压电路处于第一状态时，所述第三目标NMOS管和所述第三目标PMOS管均处于导通状态；当所述集成防过压电路处于第二状态时，所述第三目标NMOS管和所述第三目标PMOS管均处于关断状态。


7.根据权利要求5所述的集成防过压电路，其特征在于，所述第一偏置电路包括第一电阻、第二电阻、第一目标NMOS管、第二目标NMOS管、第三目标NMOS管、...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏强，奕江涛，王启明，
申请(专利权)人：广州慧智微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44