一种限幅控制电路制造技术

本申请提供了一种限幅控制电路，所述电路包括：谐振线圈、谐振电容、开关和电感；所述电感与所述开关并联后与所述谐振线圈串联，得到第一电路，所述第一电路与所述谐振电容并联或者串联。当需要提供稳定的电压时，控制所述开关导通，所述电感被短路，电路的电感量改变，进而谐振状态被改变，能够提供稳定的电压或电流，解决了从动谐振环工作不稳定的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及无线供电领域，更具体的说，涉及一种限幅控制电路。
技术介绍
从动谐振环具有接受能量和发射能量的双重特性，在无线供电的终端，从动谐振环常当作接收谐振环使用，为终端电器供电。由于从动谐振环工作于谐振状态，谐振环内的电压和电流振幅很大，而且不稳定，如果直接给终端电器供电，会产生巨大的电流和电压波动，会给终端电器带来严重的影响，甚至会烧毁电器。因此，亟需一种控制从动谐振环电压或电流的振幅，保证从动谐振环工作稳定的电路。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供一种限幅控制电路。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种限幅控制电路，包括：谐振线圈、谐振电容、开关和电感；所述电感与所述开关并联后与所述谐振线圈串联，得到第一电路，所述第一电路与所述谐振电容并联或者串联。优选地，所述开关为压控开关；其中，所述压控开关的一个开关端与所述电感的一端连接，所述压控开关的另一个开关端与所述电感、所述谐振线圈的公共端连接；所述谐振电容的一端与所述谐振线圈未连接所述电感的一端连接。优选地，所述压控开关为IGBT管，所述IGBT管的集电极和发射极为两个开关端。优选地，所述压控开关为MOSFET管，所述MOSFET管的漏极和源极为两个开关端。优选地，所述压控开关为TRIAC管，所述TRIAC管的主电极T1和主电极T2为两个开关端。优选地，所述压控开关为两个IGBT管反向串联，所述两个IGBT管反向串联之后的两个集电极为两个开关端。优选地，所述压控开关为两个MOSFET管反向串联，所述两个MOSFET管反向串联之后的两个漏极为两个开关端。优选地，所述压控开关为两个TRIAC管反向串联，所述两个TRIAC管反向串联之后的两个主电极T2为两个开关端。从上述技术方案可以看出，本技术提供了一种限幅控制电路，所述电路包括：谐振线圈、谐振电容、开关和电感；所述电感与所述开关并联后与所述谐振线圈串联，得到第一电路，所述第一电路与所述谐振电容并联或者串联。当需要提供稳定的电压时，控制所述开关导通，所述电感被短路，电路的电感量改变，进而谐振状态被改变，能够提供稳定的电压或电流，解决了从动谐振环工作不稳定的问题。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1A为本技术中串联谐振环的结构示意图；图1B为本技术中并联谐振环的结构示意图；图2A为本技术中的一种三端压控开关的结构示意图；图2B为本技术中的另一种三端压控开关的结构示意图；图2C为本技术中的第三种三端压控开关的结构示意图；图2D为本技术中的第四种三端压控开关的结构示意图；图3A为本技术中的一种四端压控开关的结构示意图；图3B为本技术中的另一种四端压控开关的结构示意图；图3C为本技术中的第三种四端压控开关的结构示意图；图3D为本技术中的第四种四端压控开关的结构示意图；图4A为本技术中一种应用三端压控开关的谐振环的结构示意图；图4B为本技术中另一种应用三端压控开关的谐振环的结构示意图；图5A为本技术中一种应用四端压控开关的谐振环的结构示意图；图5B为本技术中另一种应用四端压控开关的谐振环的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术提供了一种限幅控制电路，包括：谐振线圈、谐振电容、开关和电感；所述电感与所述开关并联后与所述谐振线圈串联，得到第一电路，所述第一电路与所述谐振电容并联或者串联。参照图1A和图1B，图1A中，A、B表示串联谐振环的两个输出端，箭头表示磁场方向，K表示开关，C1表示谐振电容，L1表示谐振线圈，L2表示电感，谐振电容C1与谐振线圈L1、电感L2组成串联谐振环。图1B中，A、B表示并联谐振环的两个输出端，箭头表示磁场方向，K表示开关，C1表示谐振电容，L1表示谐振线圈，L2表示电感，谐振电容C1与谐振线圈L1、电感L2组成并联谐振环。当开关K接通时，其本身的电阻为零或接近零，这时，相当于电感L2被短路，电路的电感量必然发生变化，可按下式计算：Lt＝L1+L2式中Lt为总电感量，L1为谐振线圈的电感量，L2为电感的电感量，串联后，Lt大于L1，也大于L2；当开关K闭合后，电感L2被短路，根据谐振频率的计算公式：电路的谐振频率将发生改变，原有的谐振状态被破坏，振幅相应变化，输出电压就不同。当电感L2为线圈时，特别是当它与谐振线圈L1同时处于同一个磁场中，谐振线圈L1将受到电感L2的严重制约，在电感L2被短路时，谐振线圈L1的电感量也将发生显著的改变，因此，谐振环的谐振幅度随之改变，从A、B两端输出的电压也改变。图1A和图1B中各个元件的工作过程为：当开关K闭合后，由于电感L2被短路，谐振环原有的状态被破坏。假设谐振环的原有状态是最大化，即处于最大振幅状态，当开关K接通时，第一电路的电感量减小，最佳谐振状态被破坏，振幅下降；反之，若谐振环的原有状态不是最大化，即处于非最大振幅状态，当开关K接通时，第一电路的电感量减小，谐振环的谐振状态可能出现以下两种现象之一：或振幅加大，或振幅减小；总之，通过所述电感L2与开关K的并联，可以实现对振幅的调节和控制，若用于终端电器的无线供电，则可以输出合理的电压，确保电器的正常工作和安全。本实施例提供了一种限幅控制电路，所述电路包括：谐振线圈、谐振电容、开关和电感；所述电感与所述开关并联后与所述谐振线圈串联，得到第一电路，所述第一电路与所述谐振电容并联或者串联。当需要提供稳定的电压时，控制所述开关导通，所述电感被短路，电路的电感量改变，进而谐振状态被改变，能够提供稳定的电压或电流，解决了从动谐振环工作不稳定的问题。可选的，本技术的另一实施例中，所述开关为压控开关；其中，所述压控开关的一个开关端与所述电感的一端连接，所述压控开关的另一个开关端与所述电感、所述谐振线圈的公共端连接；所述谐振电容的一端与所述谐振线圈未连接所述电感的一端连接。具体的，所述压控开关为IGBT管，所述IGBT管的集电极和发射极为两个开关端；所述压控开关为MOSFET管，所述MOSFET管的漏极和源极为两个开关端；所述压控开关为TRIAC管，所述TRIAC管的主电极T1和主电极T2为两个开关端；所述压控开关为两个IGBT管反向串联，所述两个IGBT管反向串联之后的两个集电极为两个开关端；所述压控开关为两个MOSFET管反向串联，所述两个MOSFET管反向串联之后的两个漏极为两个开关端；所述压控开关为两个TRIAC管反向串联，所述两个TRIAC管反向串联之后的两个主电极T2为两个开关端。一个IGBT管、MOSFET管或TRIAC管为一个三端压控开关，两个IGBT管反向串联、两个MOSFET管反向本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种限幅控制电路，其特征在于，包括：谐振线圈、谐振电容、开关和电感；所述电感与所述开关并联后与所述谐振线圈串联，得到第一电路，所述第一电路与所述谐振电容并联或者串联。

【技术特征摘要】
1.一种限幅控制电路，其特征在于，包括：谐振线圈、谐振电容、开关和电感；所述电感与所述开关并联后与所述谐振线圈串联，得到第一电路，所述第一电路与所述谐振电容并联或者串联。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述开关为压控开关；其中，所述压控开关的一个开关端与所述电感的一端连接，所述压控开关的另一个开关端与所述电感、所述谐振线圈的公共端连接；所述谐振电容的一端与所述谐振线圈未连接所述电感的一端连接。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述压控开关为IGBT管，所述IGBT管的集电极和发射极为两个开关端。4.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述压控开关为MOSFET管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐宝华，朱斯忠，何智，张福元，
申请(专利权)人：中惠创智无线供电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37