限幅振荡电路制造技术

技术编号:14893704 阅读:76 留言:0更新日期:2017-03-29 03:45
本发明专利技术公开了一种限幅振荡电路。该限幅振荡电路包括:振荡电路(110),用于产生振荡信号;脉冲宽度调制电路(120),用于根据该振荡信号的幅度,产生脉冲宽度调制信号;低通滤波电路(130),用于将该脉冲宽度调制信号转换为直流控制电压信号,该直流控制电压信号用于控制压控电阻电路(140);压控电阻电路(140),用于根据该直流控制电压信号的控制,变化该压控电阻电路(140)的电阻值,以控制该振荡信号的幅度。本发明专利技术实施例的限幅振荡电路,能够提高限幅振荡电路的性能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及信息
,并且更具体地,涉及一种限幅振荡电路
技术介绍
常见的LC振荡电路若没有幅度限制,振荡电路的幅度最终会稳定到电源电压,这样的振荡电路存在以下几个缺点:1、振荡电路的振荡波形发生失真,其上升沿与下降沿不对称,使得振荡电路的1/f3的噪声拐点向高频移动,导致其低频相噪变差;2、振荡幅度大导致流过电感的电流会非常大,使得电感的磁芯饱和,导致电感值发生改变,最终影响频率的稳定性。通常限制幅度的做法是采用幅度或峰值检测电路检测振荡幅度,然后输出一控制电压控制振荡电路的偏置电流,从而达到限制振荡电路幅度的效果,但是这一做法也存在以下几个缺点:1、该种方法的环路增益比较大,容易导致控制环路的不稳定;2、控制环路本身会引入较大的噪声,从而导致振荡电路的相噪变差;3、大部分的幅度检测电路无法准确的控制振荡幅度,从而限制了其实用性。因此,提高限幅振荡电路的性能成为亟待解决的一个技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种限幅振荡电路,能够提高限幅振荡电路的性能。第一方面,提供了一种限幅振荡电路,包括:振荡电路110,用于产生振荡信号;脉冲宽度调制电路120,用于根据振荡信号的幅度,产生脉冲宽度调制信号;低通滤波电路130,用于将脉冲宽度调制信号转换为直流控制电压信号,直流控制电压信号用于控制压控电阻电路140;压控电阻电路140,用于根据直流控制电压信号的控制,变化压控电阻电路140的电阻值,以控制振荡信号的幅度。本专利技术实施例的限幅振荡电路,采用压控电阻电路做负反馈,控制环路不会引入额外的噪声,因此限幅振荡电路具有较低的相噪,从而能够提高限幅振荡电路的性能。在一些可能的实现方式中,振荡电路110为LC振荡电路、晶体振荡电路或张弛振荡电路。在一些可能的实现方式中,脉冲宽度调制电路120包括比较器,用于通过比较参考信号和振荡信号的幅度,产生脉冲宽度调制信号。在采用比较器时,限幅振荡电路的幅度取决于比较器的参考电压,即最终限幅振荡电路的幅度范围将非常接近于比较器的参考电压,因此,本专利技术实施例的限幅振荡电路的振荡幅度易控制。在一些可能的实现方式中,低通滤波电路130为无源滤波器或有源滤波器。在一些可能的实现方式中,压控电阻电路140的电阻为线性电阻或者工作在线性区的非线性电阻。在一些可能的实现方式中,压控电阻电路140包括金属氧化物半导体场效应晶体管MOS。在一些可能的实现方式中,振荡电路110具有正输出端和负输出端。在一些可能的实现方式中,振荡电路110包括:电感111、第一电容112,电感111和第一电容112形成谐振回路;第一MOS管113、第二MOS管114、第三MOS管115、第四MOS管116,第一MOS管113、第二MOS管114、第三MOS管115和第四MOS管116为谐振回路提供负阻,第一MOS管113的漏极和第二MOS114管的栅极为振荡电路110的正输出端,第三MOS管115的栅极和第四MOS管116的漏极为振荡电路110的负输出端。在一些可能的实现方式中,脉冲宽度调制电路120包括:第一比较器121,第一比较器121的正输入端连接振荡电路110的正输出端,第一比较器121的负输入端用于输入第一参考信号;第二比较器122,第二比较器122的正输入端连接振荡电路110的负输出端,第二比较器122的负输入端用于输入第二参考信号。在一些可能的实现方式中,限幅振荡电路还包括:切换电路150,用于切换正输出端和负输出端与脉冲宽度调制电路120的连接。在一些可能的实现方式中,切换电路150包括:第三比较器151、反相器152、第一开关153、第二开关154、第三开关155和第四开关156;第三比较器151的正输入端连接振荡电路110的正输出端,第三比较器151的负输入端连接振荡电路110的负输出端,反相器152的输入端连接第三比较器151的输出端,第三比较器151的输出信号用于控制第一开关153和第四开关156,反相器152的输出信号用于控制第二开关154和第三开关155。在一些可能的实现方式中,脉冲宽度调制电路120包括:第一比较器121,第一比较器121的正输入端通过第一开关153连接振荡电路110的正输出端,通过第二开关154连接振荡电路110的负输出端,第一比较器121的负输入端用于输入第一参考信号;第二比较器122,第二比较器122的正输入端通过第三开关155连接振荡电路110的正输出端,通过第四开关156连接振荡电路110的负输出端,第二比较器122的负输入端用于输入第二参考信号。本专利技术实施例的限幅振荡电路,采用切换电路,可以扩大可调范围。在一些可能的实现方式中,低通滤波电路130包括:第一低通滤波器,包括第一电阻131和第二电容132,第一低通滤波器的输入端连接第一比较器121的输出端,第一低通滤波器的输出端连接第五MOS管141的栅极;第二低通滤波器,包括第二电阻133和第三电容134,第二低通滤波器的输入端连接第二比较器122的输出端,第二低通滤波器的输出端连接第六MOS管142的栅极;压控电阻电路140,包括:第五MOS管141,第五MOS管141的源极连接电源,第五MOS管141的漏极连接第一MOS管113和第二MOS管114的源极;第六MOS管142,第六MOS管142的源极接地,第六MOS管142的漏极连接第三MOS管115和第四MOS管116的源极。本专利技术实施例的限幅振荡电路的幅度控制主要基于源极反馈,因此该幅度控制的方式不存在稳定性问题,即本专利技术实施例的限幅振荡电路的稳定性能较好。第二方面,提供了一种芯片,该芯片包括第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式中的限幅振荡电路。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案,下面将对本专利技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术一个实施例的限幅振荡电路的示意图。图2是本专利技术另一个实施例的限幅振荡电路的示意图。图3是本专利技术又一个实施例的限幅振荡电路的示意图。图4是本专利技术又一个实施例的限幅振荡电路的示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例,而不是全部实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都应属于本专利技术保护的范围。图1示出了本专利技术实施例的限幅振荡电路100的示意图。如图1所示,限幅振荡电路100可以包括振荡电路110,脉冲宽度调制电路120,低通滤波电路130和压控电阻电路140。振荡电路110用于产生振荡信号。振荡电路110可以为任一种振荡电路,例如LC振荡电路、晶体振荡电路或张弛振荡电路等,本专利技术并不限定振荡电路110的种类。可选地,振荡电路110可以输出两路振荡信号。这两路振荡信号的相位相反。也就是说,振荡电路110可以具有正输出端和负输出端,正输出端和负输出端分别输出相位相反的振荡信号。脉冲宽度调制电路120用于根据振荡信号的幅度,产生脉冲宽度调制信号。可选地,脉冲宽度调制电路120可以包本文档来自技高网...
限幅振荡电路

【技术保护点】
一种限幅振荡电路,其特征在于,包括:振荡电路(110),用于产生振荡信号;脉冲宽度调制电路(120),用于根据所述振荡信号的幅度,产生脉冲宽度调制信号;低通滤波电路(130),用于将所述脉冲宽度调制信号转换为直流控制电压信号,所述直流控制电压信号用于控制压控电阻电路(140);压控电阻电路(140),用于根据所述直流控制电压信号的控制,变化所述压控电阻电路(140)的电阻值,以控制所述振荡信号的幅度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种限幅振荡电路,其特征在于,包括:振荡电路(110),用于产生振荡信号;脉冲宽度调制电路(120),用于根据所述振荡信号的幅度,产生脉冲宽度调制信号;低通滤波电路(130),用于将所述脉冲宽度调制信号转换为直流控制电压信号,所述直流控制电压信号用于控制压控电阻电路(140);压控电阻电路(140),用于根据所述直流控制电压信号的控制,变化所述压控电阻电路(140)的电阻值,以控制所述振荡信号的幅度。2.根据权利要求1所述的限幅振荡电路,其特征在于,所述振荡电路(110)为LC振荡电路、晶体振荡电路或张弛振荡电路。3.根据权利要求1或2所述的限幅振荡电路,其特征在于,所述脉冲宽度调制电路(120)包括比较器,用于通过比较参考信号和所述振荡信号的幅度,产生所述脉冲宽度调制信号。4.根据权利要求1至3中任一项所述的限幅振荡电路,其特征在于,所述低通滤波电路(130)为无源滤波器或有源滤波器。5.根据权利要求1至4中任一项所述的限幅振荡电路,其特征在于,所述压控电阻电路(140)的电阻为线性电阻或者工作在线性区的非线性电阻。6.根据权利要求1至5中任一项所述的限幅振荡电路,其特征在于,所述压控电阻电路(140)包括金属氧化物半导体场效应晶体管MOS。7.根据权利要求1至6中任一项所述的限幅振荡电路,其特征在于,所述振荡电路(110)具有正输出端和负输出端。8.根据权利要求1至7中任一项所述的限幅振荡电路,其特征在于,所述振荡电路(110)包括:电感(111)、第一电容(112),所述电感(111)和所述第一电容(112)形成谐振回路;第一MOS管(113)、第二MOS管(114)、第三MOS管(115)、第四MOS管(116),所述第一MOS管(113)、所述第二MOS管(114)、所述第三MOS管(115)和所述第四MOS管(116)为所述谐振回路提供负阻,所述第一MOS管(113)的漏极和所述第二MOS(114)管的栅极为所述振荡电路(110)的正输出端,所述第三MOS管(115)的栅极和所述第四MOS管(116)的漏极为所述振荡电路(110)的负输出端。9.根据权利要求7或8所述的限幅振荡电路,其特征在于,所述脉冲宽度调制电路(120)包括:第一比较器(121),所述第一比较器(121)的正输入端连接所述振荡电路(110)的正输出端,所述第一比较器(121)的负输入端用于输入第一参考信号;第二比较器(122),所述第二比较器(122)的正输入端连接所述振荡电路(110)的负输出端,所述第二比较器(122)的负输入端用于输入第...

【专利技术属性】
技术研发人员:张孟文
申请(专利权)人:深圳市汇顶科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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