【技术实现步骤摘要】
隔离电容及隔离电路
本专利技术属于隔离电路
，具体涉及一种隔离电容及隔离电路。
技术介绍
隔离电容尤其是高压电容隔离电路，被越来越多地应用于处于不同电压域的芯片或系统间的信号传输，它可以提供两个或多个芯片或系统间高达几千伏的电气隔离，实现不同电压域之间的“地”隔离，提高芯片或系统的可靠性。高压电容隔离电路通常由发送器(TX)、接收器(RX)和高压隔离电容构成，其中高压隔离电容用于完成交流信号的传输，同时阻挡直流信号的通过，从而实现高压隔离。高压隔离电容通常是在现有成熟CMOS工艺的基础上，通过提高不同金属层间的介质厚度实现，这会大大提高工艺实现的难度，增加了芯片的厚度，提升工艺成本；同时介质层厚度的增加，也显著降低了单位面积的电容大小，因此需要实现一定的电容值就需要增大电容的面积，提高了芯片成本。参图1所示为现有技术中隔离电路的示意图，其包括第一芯片10’和第二芯片20’，第一芯片10’上集成有若干信号发送单元11’(或信号接收单元)及第一隔离电容31’，第二芯片20’上集成有若干信号接收单元2...
【技术保护点】
1.一种隔离电容，其特征在于，所述隔离电容包括衬底、位于衬底上的第一介质层、位于第一介质层上的若干下极板、位于下极板上的第二介质层、及位于第二介质层上的若干上极板，所述隔离电容通过下极板和/或上极板与外部芯片或系统电性连接以实现电气隔离。/n
【技术特征摘要】
1.一种隔离电容，其特征在于，所述隔离电容包括衬底、位于衬底上的第一介质层、位于第一介质层上的若干下极板、位于下极板上的第二介质层、及位于第二介质层上的若干上极板，所述隔离电容通过下极板和/或上极板与外部芯片或系统电性连接以实现电气隔离。
2.根据权利要求1所述的隔离电容，其特征在于，所述上极板包括分离设置的第一上极板和第二上极板，第一上极板和第二上极板的极性相反，第一上极板和下极板上与第一上极板相对的区域构成第一电容，第二上极板和下极板上与第二上极板相对的区域构成第二电容，所述隔离电容由第一电容和第二电容串联组成。
3.根据权利要求2所述的隔离电容，其特征在于，所述隔离电容通过第一上极板和第二上极板与外部芯片或系统电性连接以实现电气隔离。
4.根据权利要求1所述的隔离电容，其特征在于，所述下极板包括分离设置的第一下极板和第二下极板，第一下极板和第二下极板的极性相反，第一下极板和上极板上与第一下极板相对的区域构成第三电容，第二下极板和上极板上与第二下极板相对的区域构成第四电容，所述隔离电容由第三电容和第四电容串联组成。
5.根据权利要求4所述的隔离电容，其特征在于，所述隔离电容通过第一下极板和第二下极板与外部芯片或系统电性连接以实现电气隔离。
6.根据权利要求1所述的隔离电容，其特征在于，所述上极板包括分离设置的第一上极板和第二上极板，下极板包括分离设置的第一下极板和第二下极板，第一上极板和第二上...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶园林，
申请(专利权)人：思瑞浦微电子科技苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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