微发光二极管阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种微发光二极管阵列基板及其制备方法。本发明专利技术通过在连接层制备完成后，再形成一层钝化层，保护连接层不会与后续制程中的有机溶剂或有机膜发生反应而出现残留或者缺失，并且利用像素定义层或黑矩阵作为自对准掩膜板，对钝化层进行刻蚀，从而保留像素电极对应位置的连接层。

Microlight emitting diode array substrate and its preparation

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管阵列基板及其制备方法
本专利技术属于显示
，尤其涉及一种微发光二极管阵列基板及其制备方法。
技术介绍
作为新兴显示技术，微发光二极管(MicroLED)显示相较于LCD、OLED显示有较多优势，如较低的功耗，较高的色域，较快的相应速率等，对封装水氧隔绝要求不高，被视为较有发展前景的一种显示技术。因此，较多面板厂家参与MicroLED技术开发之中。但是MicroLED显示还有诸多技术难点需要克服，如巨量转移，绑定等。对于绑定而言，需要保证薄膜晶体管连接层不被后续制程腐蚀，以达到与MicroLED形成良好的绑定。在薄膜晶体管制作中，连接层图案化之后还需要有有机层制程，连接层中的铜材料易与后续制程的有机溶剂或有机膜发生反应而出现残留或者缺失。因此，如何保护连接层不被破坏，是显示技术中的一项重要课题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种微发光二极管阵列基板及其制备方法，通过在连接层制备完成后，再形成一层钝化层，保护连接层不会与后续制程中的有机溶剂或有机膜发生反应而出现残留或者缺失，并且利用像素定义层或黑矩阵作为自对准掩膜板，对钝化层进行刻蚀，从而保留像素电极对应位置的连接层。根据本专利技术的一方面，本专利技术提供微发光二极管阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板，在所述基板上依次形成一遮光层、一缓冲层、一有源层以及一栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上依次形成一栅极层以及一介电层，所述介电层上形成第一过孔和第二过孔；在所述介电层上形成一源漏极层和一连接端，所述源漏极层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述有源层连接；在所述源漏极层上形成一第一钝化层，所述第一钝化层上形成第三过孔和第四过孔；在所述第一钝化层上形成一像素电极层，所述像素电极层通过所述第三过孔与所述源漏极层连接，通过所述第四过孔与所述连接端连接；在所述像素电极层上形成一连接层，并图案化；在所述连接层上形成一第二钝化层，其中所述第二钝化层覆盖所述连接层；在所述第二钝化层上形成以像素定义层，并图案化；以及以图案化后的像素定义层作为掩模版刻蚀所述第二钝化层，以裸露部分所述连接层。进一步地，所述第一钝化层及所述第二钝化层均通过沉积的方式形成，其材料均包括氧化硅、氮化硅及氮氧化硅的至少一种。进一步地，所述像素电极层通过沉积的方式形成，其材料包括氧化铟锡。进一步地，所述连接层通过沉积的方式形成，其材料包括铜或铜钼化合物。进一步地，所述遮光层、所述栅极层及所述源漏极层均通过沉积的方式形成，且其材料均包括钼、铜及铝的至少一种。进一步地，所述缓冲层和所述栅极绝缘层均通过沉积的方式形成，其材料均包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝及氮化铝的至少一种。进一步地，所述有源层通过沉积并刻蚀的方式形成，其材料包括氧化铟镓锌或氧化铟锌。进一步地，所述介电层通过沉积的方式形成，并进行开孔已形成第一和第二过孔，所述介电层的材料包括氧化硅、氮化硅及氮氧化硅的至少一种。根据本专利技术的另一方面，本专利技术提供一种微发光二极管阵列基板，其包括：一基板；一遮光层，设于所述基板上；一缓冲层，设于所述遮光层上；一有源层，设于所述缓冲层上；一栅极绝缘层，设于所述有源层上；一栅极层，设于所述栅极绝缘层上；一介电层，设于所述缓冲层上，并覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层以及栅极层，所述介电层上设有第一过孔和第二过孔；一源漏极层和连接端，设于所述介电层上，所述源漏极层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述有源层连接；一第一钝化层，设于介电层上，并覆盖源漏极层，所述第一钝化层设有第三过孔和第四过孔；一像素电极层，设于所述第一钝化层上，所述像素电极层通过所述第三过孔与所述源漏极层连接，通过所述第四过孔与所述连接端连接；一连接层，设于所述像素电极层上；一第二钝化层，设于所述第一钝化层上，并覆盖部分所述连接层；以及一像素定义层，设于所述第二钝化层上。本专利技术实施例所述微发光二极管阵列基板及其制备方法，通过在连接层制备完成后，再形成一层钝化层，保护连接层不会与后续制程中的有机溶剂或有机膜发生反应而出现残留或者缺失，并且利用像素定义层或黑矩阵作为自对准掩膜板，对钝化层进行刻蚀，从而保留像素电极对应位置的连接层。附图说明下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其有益效果显而易见。图1是本专利技术一实施例提供的一种微发光二极管阵列基板的结构示意图。图2是本专利技术一实施例提供的一种微发光二极管阵列基板的制备方法的步骤流程示意图。图3至图11是本专利技术所述实施例提供的所述微发光二极管的制备方法的工艺流程示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的说明书和权利要求书以及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应当理解，这样描述的对象在适当情况下可以互换。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。在具体实施方式中，下文论述的附图以及用来描述本专利技术公开的原理的各实施例仅用于说明，而不应解释为限制本专利技术公开的范围。所属领域的技术人员将理解，本专利技术的原理可在任何适当布置的系统中实施。将详细说明示例性实施方式，在附图中示出了这些实施方式的实例。此外，将参考附图详细描述根据示例性实施例的终端。附图中的相同附图标号指代相同的元件。本具体实施方式中使用的术语仅用来描述特定实施方式，而并不意图显示本专利技术的概念。除非上下文中有明确不同的意义，否则，以单数形式使用的表达涵盖复数形式的表达。在本专利技术说明书中，应理解，诸如“包括”、“具有”以及“含有”等术语意图说明存在本专利技术说明书中揭示的特征、数字、步骤、动作或其组合的可能性，而并不意图排除可存在或可添加一个或多个其他特征、数字、步骤、动作或其组合的可能性。附图中的相同参考标号指代相同部分。参阅图1，本专利技术实施例提供一种微发光二极管，包括基板101、遮光层102、缓冲层103、有源层104、栅极绝缘层105、栅极层106、介电层107、源漏极层108、第一钝化层109、像素电极层110、连接层111、第二钝化层112以及像素定义层113。具体地，基板101的材料可以为聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)。遮光层102设于基板101上。遮光层102的材料包括钼、铜及铝的至少一种，具体可以包括但不限于钼，钼/铜叠层，铝/钼叠层等。缓冲层103设于遮光层102上。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n提供一基板，在所述基板上依次形成一遮光层、一缓冲层、一有源层以及一栅极绝缘层；/n在所述栅极绝缘层上依次形成一栅极层以及一介电层，所述介电层上形成第一过孔和第二过孔；/n在所述介电层上形成一源漏极层和一连接端，所述源漏极层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述有源层连接；/n在所述源漏极层上形成一第一钝化层，所述第一钝化层上形成第三过孔和第四过孔；/n在所述第一钝化层上形成一像素电极层，所述像素电极层通过所述第三过孔与所述源漏极层连接，通过所述第四过孔与所述连接端连接；/n在所述像素电极层上形成一连接层，并图案化；/n在所述连接层上形成一第二钝化层，其中所述第二钝化层覆盖所述连接层；/n在所述第二钝化层上形成以像素定义层，并图案化；以及/n以图案化后的像素定义层作为掩模版刻蚀所述第二钝化层，以裸露部分所述连接层。/n

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
提供一基板，在所述基板上依次形成一遮光层、一缓冲层、一有源层以及一栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上依次形成一栅极层以及一介电层，所述介电层上形成第一过孔和第二过孔；
在所述介电层上形成一源漏极层和一连接端，所述源漏极层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述有源层连接；
在所述源漏极层上形成一第一钝化层，所述第一钝化层上形成第三过孔和第四过孔；
在所述第一钝化层上形成一像素电极层，所述像素电极层通过所述第三过孔与所述源漏极层连接，通过所述第四过孔与所述连接端连接；
在所述像素电极层上形成一连接层，并图案化；
在所述连接层上形成一第二钝化层，其中所述第二钝化层覆盖所述连接层；
在所述第二钝化层上形成以像素定义层，并图案化；以及
以图案化后的像素定义层作为掩模版刻蚀所述第二钝化层，以裸露部分所述连接层。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一钝化层及所述第二钝化层均通过沉积的方式形成，其材料均包括氧化硅、氮化硅及氮氧化硅的至少一种。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述像素电极层通过沉积的方式形成，其材料包括氧化铟锡。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述连接层通过沉积的方式形成，其材料包括铜或铜钼化合物。


5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述遮光层、所述栅极层及所述源漏极层均通过沉积的方式形成，且其材料均包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘念，卢马才，柳铭岗，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44