微发光二极管阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种微发光二极管阵列基板及其制备方法。本发明专利技术通过在连接层制备完成后，再形成一层钝化层，保护连接层不会与后续制程中的有机溶剂或有机膜发生反应而出现残留或者缺失，并且利用像素定义层或黑矩阵作为自对准掩膜板，对钝化层进行刻蚀，从而保留像素电极对应位置的连接层。

Microlight emitting diode array substrate and its preparation

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管阵列基板及其制备方法
本专利技术属于显示
，尤其涉及一种微发光二极管阵列基板及其制备方法。
技术介绍
作为新兴显示技术，微发光二极管(MicroLED)显示相较于LCD、OLED显示有较多优势，如较低的功耗，较高的色域，较快的相应速率等，对封装水氧隔绝要求不高，被视为较有发展前景的一种显示技术。因此，较多面板厂家参与MicroLED技术开发之中。但是MicroLED显示还有诸多技术难点需要克服，如巨量转移，绑定等。对于绑定而言，需要保证薄膜晶体管连接层不被后续制程腐蚀，以达到与MicroLED形成良好的绑定。在薄膜晶体管制作中，连接层图案化之后还需要有有机层制程，连接层中的铜材料易与后续制程的有机溶剂或有机膜发生反应而出现残留或者缺失。因此，如何保护连接层不被破坏，是显示技术中的一项重要课题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种微发光二极管阵列基板及其制备方法，通过在连接层制备完成后，再形成一层钝化层，保护连接层不会与后续制程中的有机溶剂或有机膜发生反应而出现残留或者缺失，并且利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n提供一基板，在所述基板上依次形成一遮光层、一缓冲层、一有源层以及一栅极绝缘层；/n在所述栅极绝缘层上依次形成一栅极层以及一介电层，所述介电层上形成第一过孔和第二过孔；/n在所述介电层上形成一源漏极层和一连接端，所述源漏极层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述有源层连接；/n在所述源漏极层上形成一第一钝化层，所述第一钝化层上形成第三过孔和第四过孔；/n在所述第一钝化层上形成一像素电极层，所述像素电极层通过所述第三过孔与所述源漏极层连接，通过所述第四过孔与所述连接端连接；/n在所述像素电极层上形成一连接层，并图案化；/n...

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
提供一基板，在所述基板上依次形成一遮光层、一缓冲层、一有源层以及一栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上依次形成一栅极层以及一介电层，所述介电层上形成第一过孔和第二过孔；
在所述介电层上形成一源漏极层和一连接端，所述源漏极层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述有源层连接；
在所述源漏极层上形成一第一钝化层，所述第一钝化层上形成第三过孔和第四过孔；
在所述第一钝化层上形成一像素电极层，所述像素电极层通过所述第三过孔与所述源漏极层连接，通过所述第四过孔与所述连接端连接；
在所述像素电极层上形成一连接层，并图案化；
在所述连接层上形成一第二钝化层，其中所述第二钝化层覆盖所述连接层；
在所述第二钝化层上形成以像素定义层，并图案化；以及
以图案化后的像素定义层作为掩模版刻蚀所述第二钝化层，以裸露部分所述连接层。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一钝化层及所述第二钝化层均通过沉积的方式形成，其材料均包括氧化硅、氮化硅及氮氧化硅的至少一种。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述像素电极层通过沉积的方式形成，其材料包括氧化铟锡。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述连接层通过沉积的方式形成，其材料包括铜或铜钼化合物。


5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述遮光层、所述栅极层及所述源漏极层均通过沉积的方式形成，且其材料均包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘念，卢马才，柳铭岗，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44