【技术实现步骤摘要】
发光元件阵列结构以及发光元件阵列结构的制作方法
本专利技术涉及一种发光元件阵列结构以及发光元件阵列结构的制作方法。
技术介绍
传统的发光二极管多用于液晶显示装置的背光源或是直接做为发光像素点使用,然而后者由于分辨率不足的因素,多用于大型的广告灯板,较少应用于消费性电子产品。近年来开始发展一种新的显示技术-次毫米发光二极管(MiniLED)以及微发光二极管(MicroLED),主要是将LED进行微小化、薄膜化、以及阵列化,其尺寸大小为微米级。上述呈阵列配置的发光元件阵列应用到显示技术上,要如何将大量的发光元件呈阵列地与基板紧密接合变得十分重要。然而,目前现有的形成阻焊层的工艺中,通常是通过滚轮涂布法及网版印刷法等方法来形成阻焊层于基板上。上述的方法所形成的阻焊层的表面平坦度不足。此外,此平坦度不佳的阻焊层会影响其厚度均匀性以及发光元件与焊垫接合的强度与电性表现。
技术实现思路
本专利技术是针对一种发光元件阵列结构以及发光元件阵列结构的制作方法,其阻焊层的平坦度较佳,且发光元件与基板之间的接合良率较高 ...
【技术保护点】
1.一种发光元件阵列结构的制作方法,其特征在于,包括:/n提供基板,其中所述基板的上表面具有图案化线路层;/n形成绝缘膜层于所述基板上,其中所述绝缘膜层覆盖所述上表面与所述图案化线路层;/n提供离形膜于所述绝缘膜层上;/n进行热压合工艺,以压合所述离形膜,以使所述离形膜与所述绝缘膜层的表面平坦化,其中所述热压合工艺的压合压力介于5千克/平方厘米至15千克/平方厘米之间;/n对经平坦化的所述绝缘膜层进行图案化工艺,以形成图案化绝缘膜层,其中所述图案化绝缘膜层包括呈阵列配置的多个开口,以暴露部份所述图案化线路层:以及/n以阵列形式设置多个发光元件于所述图案化绝缘膜层上,且所述多 ...
【技术特征摘要】
1.一种发光元件阵列结构的制作方法,其特征在于,包括:
提供基板,其中所述基板的上表面具有图案化线路层;
形成绝缘膜层于所述基板上,其中所述绝缘膜层覆盖所述上表面与所述图案化线路层;
提供离形膜于所述绝缘膜层上;
进行热压合工艺,以压合所述离形膜,以使所述离形膜与所述绝缘膜层的表面平坦化,其中所述热压合工艺的压合压力介于5千克/平方厘米至15千克/平方厘米之间;
对经平坦化的所述绝缘膜层进行图案化工艺,以形成图案化绝缘膜层,其中所述图案化绝缘膜层包括呈阵列配置的多个开口,以暴露部份所述图案化线路层:以及
以阵列形式设置多个发光元件于所述图案化绝缘膜层上,且所述多个发光元件通过所述多个开口而与所述图案化线路层电连接,其中所述多个发光元件中的每一个的尺寸小于或等于200微米。
2.根据权利要求1所述的发光元件阵列结构的制作方法,其中所述热压合工艺包括第一热压合工艺以及第二热压合工艺,所述第一热压合工艺的温度介于50℃至90℃之间,所述第二热压合工艺的温度介于70℃至100℃之间。
3.根据权利要求2所述的发光元件阵列结构的制作方法,其中所述第一热压合工艺是以压合平台压合所述离形膜,并对位在所述压合平板与所述离形膜之间的空间抽真空,使所述空间的真空度为150帕以下。
4.根据权利要求2所述的发光元件阵列结构的制作方法,其中所述第二热压合工艺是以金属平板压合所述离形膜,并对位在所述金属平板与所述离形膜之间的空间抽真空,使所述空间的真空度为150帕以下。
5.根据权利要求2所述的发光元件阵列结构的制作方法,其中进行所述第二热压合工艺的压合时间介于10秒至40秒之间。
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘逸群,洪培豪,贾孟寰,沈建成,李远智,
申请(专利权)人:同扬光电江苏有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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