一种集成式立体Micro LED及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种集成式立体Micro LED及其制作方法，所述Micro LED包括导电衬底、阻挡层、外延层、透明导电层、保护层、遮挡层、第一电极和第二电极。本发明专利技术在图型化的导电衬底上形成若干个Micro LED小面积的外延层，利用导电衬底上下电性倒通的特性，省去激光剥离衬底的问题，在非图型区域形成透明导电层将若干个的外延层形成导电连接，形成阵列模式，同时配合第一电极和第二电极，实现Micro LED的集成，解决了巨量转移的问题。

An integrated stereo micro led and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
一种集成式立体MicroLED及其制作方法
本专利技术涉及二极管
，尤其涉及一种集成式立体MicroLED及其制作方法。
技术介绍
微型发光二极管(MicroLight-EmittingDiode，MicroLED)是一种尺寸为微米级的发光二极管，由于MicroLED的尺寸较小，因此其可以作为显示面板上的像素，采用MicroLED制备得到的显示面板可称为MicroLED显示面板。与有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示面板相比，MicroLED显示面板的使用寿命和可视角度均优于OLED显示面板，因此MicroLED显示技术成为目前显示
的研究重点。MicroLED显示面板包括阵列基板以及阵列排布在阵列基板上的多颗MicroLED，每颗MicroLED可以视为一个像素。相关技术中，通常采用转移设备将MicroLED一颗一颗地转移并放置在阵列基板上，并通过芯片级焊接(Chipbonding)工艺将MicroLED焊接在阵列基板上，最终制备得到MicroLED显示面板。但是由于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成式立体Micro LED，其特征在于，包括导电衬底、阻挡层、外延层、透明导电层、遮挡层、第一电极和第二电极：/n所述导电衬底设有若干个孔洞，所述孔洞从导电衬底的表面刻蚀到导电衬底的内部，所述阻挡层设置在孔洞以外的导电衬底正面上，所述外延层设置在孔洞内并与导电衬底形成导电连接，所述外延层不高于所述阻挡层，所述阻挡层由挡光绝缘材料制成；/n所述透明导电层设置在阻挡层和外延层上，以将若干个外延层形成导电连接；/n所述遮挡层贯穿所述透明导电层并设置在阻挡层上，以防止外延层侧壁漏光；/n所述第一电极设置在透明导电层上，所述第二电极设置在导电衬底的背面。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成式立体MicroLED，其特征在于，包括导电衬底、阻挡层、外延层、透明导电层、遮挡层、第一电极和第二电极：
所述导电衬底设有若干个孔洞，所述孔洞从导电衬底的表面刻蚀到导电衬底的内部，所述阻挡层设置在孔洞以外的导电衬底正面上，所述外延层设置在孔洞内并与导电衬底形成导电连接，所述外延层不高于所述阻挡层，所述阻挡层由挡光绝缘材料制成；
所述透明导电层设置在阻挡层和外延层上，以将若干个外延层形成导电连接；
所述遮挡层贯穿所述透明导电层并设置在阻挡层上，以防止外延层侧壁漏光；
所述第一电极设置在透明导电层上，所述第二电极设置在导电衬底的背面。


2.如权利要求1所述的集成式立体MicroLED，其特征在于，所述导电衬底由硅制成，所述阻挡层由氮化硅制成。


3.如权利要求2所述的集成式立体MicroLED，其特征在于，所述导电衬底的厚度为80～150μm，所述孔洞的深度为5～10μm。


4.如权利要求2所述的集成式立体MicroLED，其特征在于，所述阻挡层的厚度为100～300nm。


5.如权利要求1所述的集成式立体MicroLED，其特征在于，所述透明导电层由ITO、AzO、ZnO、Ni-Au合金和Ru-Au合金中的一种或几种制成。


6.如权利要求1所述的集成式立体MicroLED，其特征在于，所述遮挡层由黑色不透光材料制成，所述遮挡层的厚度为7～15...

【专利技术属性】
技术研发人员：仇美懿，庄家铭，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44