阵列基板及其制作方法技术

公开了一种阵列基板及其制作方法。显示面板包括阵列基板，阵列基板包括基底、有源层、电容第一电极、栅极绝缘层、栅极金属层以及电容第二电极。有源层设于基底上且位于显示区；电容第一电极设于基底上并位于电容区；栅极绝缘层设于基底上且包覆有源层、电容第一电极；栅极金属层设于栅极绝缘层上且对应于有源层；电容第二电极设于栅极绝缘层上且对应于电容第一电极。本发明专利技术通过去除现有阵列基板上的第二绝缘层和第二金属层，利用掺杂之后的有源层半导体材料作为电容第一电极，源漏电极金属层作为电容第二电极，以达到节省掩膜板的目的，同时制作工艺简单，降低了生产成本。

Array substrate and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。
技术介绍
有机电致发光显示装置(OLED)以其低功耗、高饱和度、快响应时间及宽视角等独特优势逐渐成为显示领域的主流技术，未来在车载、手机、平板、电脑及电视产品上具有广阔的应用空间。在中小尺寸的柔性显示屏的制造过程中，阵列基板的设计大多采用低温多晶硅(LTPS)技术，在柔性背板中一般包括薄膜晶体管(TFT)、电容、邦定区(Padbonding)等重要组成部分。目前市场上的柔性背板技术大多采用7T(TFT)1C(电容)的设计，该结构设计是由三星设计而出，如图1所示，为现有的一种阵列基板的结构示意图，阵列基板90包括显示区901和邦定区902，在显示区901内设有薄膜晶体管单元，所述显示区901包括从下至上依次层叠设置的衬底基板91、阻挡层92、缓冲层93、薄膜晶体管单元结构层94、平坦层95、阳极层96、像素定义层97以及支撑层98，其中所述薄膜晶体管单元结构层94包括从下至上依次层叠设置的有源层941、第一绝缘层942、第一金属层943、第二绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，设有显示区、围绕所述显示区的电容区以及围绕所述电容区的非显示区，所述阵列基板包括：/n基底；/n有源层，设于所述基底上且位于所述显示区；/n电容第一电极，设于所述基底上并位于所述电容区；/n栅极绝缘层，设于所述基底上且包覆所述有源层、所述电容第一电极；/n栅极金属层，设于所述栅极绝缘层上且对应于所述有源层；以及/n电容第二电极，设于所述栅极绝缘层上且对应于所述电容第一电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，设有显示区、围绕所述显示区的电容区以及围绕所述电容区的非显示区，所述阵列基板包括：
基底；
有源层，设于所述基底上且位于所述显示区；
电容第一电极，设于所述基底上并位于所述电容区；
栅极绝缘层，设于所述基底上且包覆所述有源层、所述电容第一电极；
栅极金属层，设于所述栅极绝缘层上且对应于所述有源层；以及
电容第二电极，设于所述栅极绝缘层上且对应于所述电容第一电极。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电容第一电极与所述有源层的材质相同，并掺杂处理；所述电容第二电极与所述源漏电极金属层的材质相同。


3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述栅极绝缘层上还设有层间绝缘层，位于所述电容区的所述层间绝缘层还设有一凹槽，所述凹槽与所述电容第一电极对应设置；所述凹槽的深度与所述电容第二电极及所述电容第一电极之间的电容量呈负相关。


4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基底包括：
衬底层；
阻隔层，设于所述衬底层上；以及
缓冲层，设于所述阻隔层上；
所述有源层设于所述缓冲层上。


5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
层间绝缘层，设于所述栅极金属层及所述栅极绝缘层上；
源漏电极金属层，设于所述层间绝缘层上；
平坦层，设于所述层间绝缘层及所述源漏电极金属层上；
阳极层，设于所述平坦层上；以及
像素定义层，设于所述阳极层上。


6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，在所述非显示区还设有一缓冲槽，所述缓冲槽包括：
第一过孔，依次贯穿所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层以及所述缓冲层，所述第一过孔的孔底为所述阻隔层；以及
第二过孔，位于所述第一过孔内，设于所述阻隔层上，所述第二过孔的孔径小于所述第一过孔的孔径；
其中，在所述第二过孔内设有金属线，所述平坦层填充所述第一过孔及所述第二过孔。


7.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板设有显示区、电容区以及非显示区，其特征在于，包括步骤：
提供一基底，在所述基底上制作半导体层；
同时在所述显示区的所述基底上形成有源层以及在所述电容区的所述基底上形...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘旭阳，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42