阵列基板及其制作方法技术

公开了一种阵列基板及其制作方法。显示面板包括阵列基板，阵列基板包括基底、有源层、电容第一电极、栅极绝缘层、栅极金属层以及电容第二电极。有源层设于基底上且位于显示区；电容第一电极设于基底上并位于电容区；栅极绝缘层设于基底上且包覆有源层、电容第一电极；栅极金属层设于栅极绝缘层上且对应于有源层；电容第二电极设于栅极绝缘层上且对应于电容第一电极。本发明专利技术通过去除现有阵列基板上的第二绝缘层和第二金属层，利用掺杂之后的有源层半导体材料作为电容第一电极，源漏电极金属层作为电容第二电极，以达到节省掩膜板的目的，同时制作工艺简单，降低了生产成本。

Array substrate and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。
技术介绍
有机电致发光显示装置(OLED)以其低功耗、高饱和度、快响应时间及宽视角等独特优势逐渐成为显示领域的主流技术，未来在车载、手机、平板、电脑及电视产品上具有广阔的应用空间。在中小尺寸的柔性显示屏的制造过程中，阵列基板的设计大多采用低温多晶硅(LTPS)技术，在柔性背板中一般包括薄膜晶体管(TFT)、电容、邦定区(Padbonding)等重要组成部分。目前市场上的柔性背板技术大多采用7T(TFT)1C(电容)的设计，该结构设计是由三星设计而出，如图1所示，为现有的一种阵列基板的结构示意图，阵列基板90包括显示区901和邦定区902，在显示区901内设有薄膜晶体管单元，所述显示区901包括从下至上依次层叠设置的衬底基板91、阻挡层92、缓冲层93、薄膜晶体管单元结构层94、平坦层95、阳极层96、像素定义层97以及支撑层98，其中所述薄膜晶体管单元结构层94包括从下至上依次层叠设置的有源层941、第一绝缘层942、第一金属层943、第二绝缘层944、第二金属层945、层间绝缘层946以及源漏电极金属层947，第一金属层943作为栅极，在第一金属层943与第二金属层945之间形成电容。由图1所示的阵列基板结构可知，整个薄膜晶体管单元的制造最少需要10几道掩膜板，整体的工艺流程较长，难度较大，成本较高，而如何在其基础上保证阵列性能不变的同时减少掩膜板的数量是后续OLED生产降本的重要方向之一。因此，确有必要来开发一种新型的阵列基板及其制作方法，来克服现有技术中的缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种阵列基板及其制作方法，通过去除现有阵列基板上的第二绝缘层和第二金属层，利用掺杂之后的有源层半导体材料作为电容第一电极，源漏电极金属层作为电容第二电极，以达到节省掩膜板的目的，同时制作工艺简单，降低了生产成本。为了实现上述目的，本专利技术其中一实施例中提供一种阵列基板，设有显示区、围绕所述显示区的电容区以及围绕所述电容区的非显示区，所述阵列基板包括基底、有源层、电容第一电极、栅极绝缘层、栅极金属层以及电容第二电极。具体地讲，所述有源层设于所述基底上且位于所述显示区；所述电容第一电极设于所述基底上并位于所述电容区；所述栅极绝缘层设于所述基底上且包覆所述有源层、所述电容第一电极；所述栅极金属层设于所述栅极绝缘层上且对应于所述有源层；所述电容第二电极设于所述栅极绝缘层上且对应于所述电容第一电极。进一步地，所述电容第一电极与所述有源层的材质相同，并掺杂处理；所述电容第二电极与所述源漏电极金属层的材质相同。进一步地，位于所述电容区的所述层间绝缘层还设有一凹槽，所述凹槽与所述电容第一电极对应设置；所述凹槽的深度与所述电容第二电极及所述电容第一电极之间的电容量呈负相关。进一步地，所述基底包括从下至上依次层叠设置的衬底层、阻隔层以及缓冲层；所述阻隔层设于所述衬底层上；所述缓冲层设于所述阻隔层上；所述有源层设于所述缓冲层上。进一步地，所述阵列基板还包括层间绝缘层、源漏电极金属层、平坦层、阳极层以及像素定义层；所述层间绝缘层设于所述栅极金属层及所述栅极绝缘层上；所述源漏电极金属层设于所述层间绝缘层上；所述平坦层设于所述层间绝缘层及所述源漏电极金属层上；所述阳极层设于所述平坦层上；所述像素定义层设于所述阳极层上。进一步地，在所述非显示区还设有一缓冲槽，所述缓冲槽包括第一过孔以及第二过孔；所述第一过孔依次贯穿所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层以及所述缓冲层，所述第一过孔的孔底为所述阻隔层；所述第二过孔位于所述第一过孔内，设于所述阻隔层上，所述第二过孔的孔径小于所述第一过孔的孔径；其中，在所述第二过孔内设有金属线，所述平坦层填充所述第一过孔及所述第二过孔。本专利技术还提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板设有显示区、电容区以及非显示区，其包括步骤：提供一基底，在所述基底上制作半导体层；同时在所述显示区的所述基底上形成有源层以及在所述电容区的所述基底上形成电容第一电极；在所述基底上形成包覆所述有源层及所述电容第一电极的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上制作栅极金属层，并通过第二光阻掩膜板对所述栅极金属层进行图案化处理，并利用所述栅极金属层自对准工艺进行离子注入工艺重掺杂；以及在所述栅极绝缘层上制作电容第二电极，所述电容第二电极对应于所述电容第一电极。进一步地，在形成所述有源层和所述电容第一电极步骤中，包括用准分子激光晶化技术对所述半导体层实现所述半导体层的多晶硅化，并通过第一光阻掩膜板对所述半导体层进行图案化处理；在制作所述栅极金属层步骤中，包括通过第二光阻掩膜板对所述栅极金属层进行图案化处理，并利用所述栅极金属层自对准工艺进行离子注入工艺重掺杂。进一步地，在制作所述栅极金属层步骤之后还包括：在所述栅极金属层及所述栅极绝缘层上制作层间绝缘层，并通过第三光阻掩膜板对所述层间绝缘层进行图案化处理，刻蚀出连接孔，所述连接孔与所述有源层的掺杂区对应设置；制作所述电容第二电极步骤包括：在所述层间绝缘层上制作源漏电极金属层，所述源漏电极金属层填充所述连接孔与所述有源层电连接，并通过第五光阻掩膜板对所述源漏电极金属层进行图案化处理，刻蚀出源漏电极及电容第二电极，所述电容第二电极与所述电容第一电极对应设置；在制作所述电容第二电极步骤之后还包括：在所述源漏电极金属层上涂布有机胶填充所述凹槽、所述第一过孔和所述第二过孔制作平坦层，并通过第六光阻掩膜板对所述平坦层进行图案化处理；在所述平坦层上制作阳极层，并通过第七光阻掩膜板对所述阳极层进行图案化处理；以及在所述阳极层上通过涂布曝光显影工艺制作像素定义层。进一步地，在所述通过第三光阻掩膜板对所述层间绝缘层进行图案化处理步骤中，还刻蚀出第一过孔，所述第一过孔位于所述非显示区；在所述通过第三光阻掩膜板对所述层间绝缘层进行图案化处理步骤之后，还包括通过第四光阻掩膜板对所述第一过孔内的所述阻隔层进行图案化处理，刻蚀出第二过孔以及一凹槽，所述凹槽与所述电容第一电极对应设置；在所述通过第五光阻掩膜板对所述源漏电极金属层进行图案化处理步骤中，还刻蚀出金属线，所述金属线位于所述第二过孔内。本专利技术的有益效果在于，提供一种阵列基板及其制作方法，通过去除现有阵列基板上的第二绝缘层和第二金属层，利用掺杂之后的有源层半导体材料作为电容第一电极，源漏电极金属层作为电容第二电极，以达到节省掩膜板的目的，同时制作工艺简单，降低了生产成本。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有的一种阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例中一种阵列基板的结构示意图；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，设有显示区、围绕所述显示区的电容区以及围绕所述电容区的非显示区，所述阵列基板包括：/n基底；/n有源层，设于所述基底上且位于所述显示区；/n电容第一电极，设于所述基底上并位于所述电容区；/n栅极绝缘层，设于所述基底上且包覆所述有源层、所述电容第一电极；/n栅极金属层，设于所述栅极绝缘层上且对应于所述有源层；以及/n电容第二电极，设于所述栅极绝缘层上且对应于所述电容第一电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，设有显示区、围绕所述显示区的电容区以及围绕所述电容区的非显示区，所述阵列基板包括：
基底；
有源层，设于所述基底上且位于所述显示区；
电容第一电极，设于所述基底上并位于所述电容区；
栅极绝缘层，设于所述基底上且包覆所述有源层、所述电容第一电极；
栅极金属层，设于所述栅极绝缘层上且对应于所述有源层；以及
电容第二电极，设于所述栅极绝缘层上且对应于所述电容第一电极。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电容第一电极与所述有源层的材质相同，并掺杂处理；所述电容第二电极与所述源漏电极金属层的材质相同。


3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述栅极绝缘层上还设有层间绝缘层，位于所述电容区的所述层间绝缘层还设有一凹槽，所述凹槽与所述电容第一电极对应设置；所述凹槽的深度与所述电容第二电极及所述电容第一电极之间的电容量呈负相关。


4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基底包括：
衬底层；
阻隔层，设于所述衬底层上；以及
缓冲层，设于所述阻隔层上；
所述有源层设于所述缓冲层上。


5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
层间绝缘层，设于所述栅极金属层及所述栅极绝缘层上；
源漏电极金属层，设于所述层间绝缘层上；
平坦层，设于所述层间绝缘层及所述源漏电极金属层上；
阳极层，设于所述平坦层上；以及
像素定义层，设于所述阳极层上。


6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，在所述非显示区还设有一缓冲槽，所述缓冲槽包括：
第一过孔，依次贯穿所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层以及所述缓冲层，所述第一过孔的孔底为所述阻隔层；以及
第二过孔，位于所述第一过孔内，设于所述阻隔层上，所述第二过孔的孔径小于所述第一过孔的孔径；
其中，在所述第二过孔内设有金属线，所述平坦层填充所述第一过孔及所述第二过孔。


7.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板设有显示区、电容区以及非显示区，其特征在于，包括步骤：
提供一基底，在所述基底上制作半导体层；
同时在所述显示区的所述基底上形成有源层以及在所述电容区的所述基底上形...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘旭阳，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42