【技术实现步骤摘要】
装置封装及其制造方法
本公开涉及一种装置封装。具体地说，本公开涉及一种具有封盖的装置封装及其制造方法。
技术介绍
半导体装置封装可使用共同定义一腔室的载体及衬底。衬底可定义一通孔以用于在加热操作期间消除爆米花效应(pop-corneffects)。通孔的开口的较大孔径可能导致锯屑流入腔室中。然而，难以形成通孔的开口的较小孔径。
技术实现思路
在一方面中，一种装置封装包括第一载体、封盖及芯片。所述第一载体包括衬底，所述衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述衬底定义自所述第一表面延伸至所述第二表面的一通孔。所述通孔包含靠近所述第一表面的第一开口，及靠近所述第二表面的第二开口。第一垫垒坝安置在所述第一表面上，且包围所述通孔的所述第一开口。第二垫垒坝安置在所述第二表面上，且包围所述通孔的所述第二开口。所述封盖安置在所述第一表面上。所述封盖及所述第一载体定义一腔室。所述芯片安置在所述第一表面上及所述腔室中。在一方面中，一种装置封装包括第一载体、底部垫垒坝、封盖及芯片。所述第一载体包括第一表面及...
【技术保护点】
1.一种装置封装，其包括：/n第一载体，其包括：/n衬底，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述衬底定义自所述第一表面延伸至所述第二表面的通孔，其中所述通孔包含靠近所述第一表面的第一开口及靠近所述第二表面的第二开口；/n第一垫垒坝，安置在所述第一表面上且包围所述通孔的所述第一开口；以及/n第二垫垒坝，安置在所述第二表面上且包围所述通孔的所述第二开口；/n封盖，安置在所述第一表面上，所述封盖及所述第一载体定义一腔室；以及/n芯片，安置在所述第一表面上及所述腔室中。/n
【技术特征摘要】
20181212 US 16/218,4221.一种装置封装，其包括：
第一载体，其包括：
衬底，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述衬底定义自所述第一表面延伸至所述第二表面的通孔，其中所述通孔包含靠近所述第一表面的第一开口及靠近所述第二表面的第二开口；
第一垫垒坝，安置在所述第一表面上且包围所述通孔的所述第一开口；以及
第二垫垒坝，安置在所述第二表面上且包围所述通孔的所述第二开口；
封盖，安置在所述第一表面上，所述封盖及所述第一载体定义一腔室；以及
芯片，安置在所述第一表面上及所述腔室中。
2.根据权利要求1所述的装置封装，其中所述通孔的所述第一开口具有第一孔径，所述通孔的所述第二开口具有第二孔径，且所述第一孔径大于所述第二孔径。
3.根据权利要求2所述的装置封装，其中所述第一垫垒坝具有一开口，所述开口具有第一尺寸，且所述第一垫垒坝的所述开口的所述第一尺寸与所述第一开口的所述第一孔径大体上相同。
4.根据权利要求2所述的装置封装，其中所述第二垫垒坝具有一开口，所述开口具有第二尺寸。
5.根据权利要求4所述的装置封装，其中所述第二垫垒坝的所述开口的所述第二尺寸与所述第二开口的所述第二孔径大体上相同，且所述第二开口的所述第二孔径在约20μm至约50μm的范围内。
6.根据权利要求4所述的装置封装，其中所述第二垫垒坝的所述开口的所述第二尺寸小于所述第二开口的所述第二孔径，且所述第二垫垒坝的所述开口的所述第二尺寸在约20μm至约50μm的范围内。
7.根据权利要求1所述的装置封装，其中所述第一垫垒坝及所述第二垫垒坝包括导电材料。
8.根据权利要求1所述的装置封装，其中所述第一载体进一步包括位于所述衬底的所述第一表面上且部分地覆盖所述第一垫垒坝的第一钝化层，以及位于所述衬底的所述第二表面上且部分地覆盖所述第二垫垒坝的第二钝化层。
9.根据权利要求1所述的装置封装，其进一步包括第二载体及多个连接元件，其中所述第一载体经由所述连接元件电性连接至所述第二载体。
10.根据权利要求9所述的装置封装，其中所述第二载体与所述第一载体之间的间隙小于约10μm。
11.一种装置封装，其包括：
第一载体，其包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面，所述第一载体定...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄政羚，陈盈仲，赖律名，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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