离子注入机台的监控方法技术

本发明专利技术提供一种离子注入机台的监控方法，所述离子注入机台的监控方法包括，提供一反应腔，所述反应腔内具有离子源；通过所述离子源形成离子束，所述离子束具有多个离子；对多个所述离子进行检测，以得到多个所述离子的原子质量和电流；通过多个所述离子的所述原子质量和所述电流确定所述离子束是否合格。即通过对所述离子束的多个所述离子进行检测，得到多个所述离子的原子质量和电流，由此，根据多个所述离子的所述原子质量和所述电流确定所述离子束是否合格，进而确定所述离子注入机的稳定性，进一步的，由于确定了所述离子束是否合格，从而可以避免异常的所述离子束对产品造成的损伤。

Monitoring method of ion implantation machine

【技术实现步骤摘要】
离子注入机台的监控方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种离子注入机台的监控方法。
技术介绍
离子注入是半导体制程中十分关键的一道工序。离子注入包括不同类型的离子注入，典型的是N型离子的注入和P型离子的注入。在半导体制程中N型离子注入中以磷(P)和砷(As)为主，P型离子以硼(B)和铟(In)为主。离子注入机台是用于离子注入工艺的设备，是多个极为复杂精密的子系统的集成。常用的离子注入可包括中电流离子注入、高电流离子注入和高能离子注入。在离子注入工艺中，原子数量(注入剂量)是由离子束流密度(每平方厘米面积上的离子数量)和注入时间来决定的，通过测量离子电流可严格控制剂量。随着半导体制造技术的不断发展，对离子注入机的工艺稳定性和均匀性有了更高的要求，通过高束流机台进行能量小于5kev的离子注入时，需要使高束流机台在低能量段运行，因此需要对机台的稳定性进行监控。由此需要一种监控方法来确保高束流机台运行低能量段产品的稳定性，以保证产品的良率。从而有效地监控离子注入机的稳定性，准确地反映离子注入机的状况。专利
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种离子注入机台的监控方法，其特征在于，所述离子注入机台的监控方法包括：/n提供一反应腔，所述反应腔内具有离子源；/n通过所述离子源形成离子束，所述离子束具有多个离子；/n对多个所述离子进行检测，以得到多个所述离子的原子质量和电流；/n通过多个所述离子的所述原子质量和所述电流确定所述离子束是否合格。/n

【技术特征摘要】
1.一种离子注入机台的监控方法，其特征在于，所述离子注入机台的监控方法包括：
提供一反应腔，所述反应腔内具有离子源；
通过所述离子源形成离子束，所述离子束具有多个离子；
对多个所述离子进行检测，以得到多个所述离子的原子质量和电流；
通过多个所述离子的所述原子质量和所述电流确定所述离子束是否合格。


2.如权利要求1所述的离子注入机台的监控方法，其特征在于，通过对所述离子源电离的方式形成所述离子束。


3.如权利要求1所述的离子注入机台的监控方法，其特征在于，在通过多个所述离子的所述原子质量和所述电流确定所述离子束是否合格之前，所述离子注入机台的监控方法还包括，根据多个所述离子的所述原子质量和所述电流形成质谱图。


4.如权利要求3所述的离子注入机台的监控方法，其特征在于，通过所述质谱图确定所述离子束是否合格。


5.如权利要求3所述的离子注入机台的监控方法，其特征在于，所述质谱图通过质谱分析法形成。


6.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：范世炜，姚雷，张凌越，国子明，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31