显示面板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种显示面板及其制备方法，所述显示面板包括若干透明金属走线，本发明专利技术通过将透明金属走线制备成双层结构或多层堆叠结构，该结构包括至少一层透明金属层以及透明导电材料层，所述透明导电材料层为二维结构，所述二维结构的厚度较薄，因而可以透明设置，并且因其本身电阻率较低，可以有效的降低金属导线电阻值Rs,减小IR drop,降低消耗功率，进而改善全透明显示器点亮效果。

Display panel and its preparation

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
技术介绍
一般显示面板的电极和金属走线都是不透光金属,这会降低发光开口率,为了实现全透明显示会将电极和金属走线置换成透明电极。虽然该结构可实现全透明显示，但因为数据线和扫描线的金属走线都是用透明电极,因此电阻Rs较大,有较大电压压降(IRdrop)，会影响点亮效果,同时功率消耗也较大。
技术实现思路
本专利技术的目的，提供一种显示面板及其制备方法，可以解决透明面板显示电阻阻抗较大的问题。为了达到上述目的，本专利技术提供一种显示面板，包括：若干透明金属走线，所述透明金属走线具有：至少一层透明金属层；以及透明导电材料层，当所述透明金属走线具有一层透明金属层时，所述透明导电材料层附于所述单层透明金属层的表面；当所述透明金属走线具有两层及两层以上透明金属层时，所述透明导电材料层设于两层相邻的所述透明金属层之间，所述透明导电材料层为二维结构。进一步地，所述透明金属走线为源漏电极走线、栅极走线、扫描线、数据线、电容电极走线、像素电极、公共电极中的至少一种。进一步地，还包括：基板；缓冲层，设于所述基板上；栅极走线，设于所述缓冲层上；栅极绝缘层，设于所述栅极走线以及所述缓冲层上；有源层，设于所述栅极绝缘层上；刻蚀阻挡层，设于所述有源层上；源漏电极走线，设于所述栅极绝缘层、所述有源层以及所述刻蚀阻挡层上，所述源漏电极走线连接所述有源层；钝化层，设于所述源漏电极走线、所述栅极绝缘层以及所述刻蚀阻挡层上。>进一步地，还包括：下电容电极走线，设于所述栅极绝缘层中且与所述栅极走线同层设置；上电容电极走线，设于所述钝化层中。进一步地，还包括：平坦化层，设于所述钝化层上，所述平坦化层中包括RGB色阻；像素电极，设于所述平坦化层上且连接所述源漏电极走线。进一步地，所述平坦化层具有一开孔，所述开孔向下延伸至所述源漏电极走线的表面，所述像素电极通过所述开孔连接所述源漏电极走线。进一步地，所述二维结构的材料包括：氮化硼、二硫化钨、石墨烯或二硫化钼。进一步地，所述二维结构的厚度为10～50埃。本专利技术还提供一种制备方法，用于制备所述的显示面板，其特征在于，包括以下步骤：形成透明金属走线，所述形成透明金属走线的步骤具体包括：沉积透明导电材料形成二维结构的透明导电材料层，在所述透明导电材料层上形成一层透明金属层，所述透明金属层和所述透明导电材料层形成透明金属走线；或形成至少两层透明金属层，在形成任意两层透明金属层之间，沉积透明导电材料形成二维结构的透明导电材料层，至少两层所述透明金属层和所述透明导电材料层形成透明金属走线。进一步地，还包括：提供一基板；沉积一缓冲层于所述基板上；沉积所述透明金属走线于所述缓冲层上，形成栅极走线和下电容电极走线；沉积一栅极绝缘层于所述缓冲层、所述栅极走线和下电容电极走线上；沉积一有源层于所述栅极绝缘层上；沉积一刻蚀阻挡层于所述有源层上；沉积所述透明金属走线于所述栅极绝缘层、所述有源层以及所述刻蚀阻挡层上，形成源漏电极走线；沉积所述透明金属走线与所述栅极绝缘层上形成上电容电极线；沉积钝化层于所述栅极绝缘层、所述源漏电极走线、所述上电容电极线以及所述刻蚀阻挡层上；沉积RGB色阻于所述钝化层上；沉积平坦化层于所述钝化层以及所述RGB色阻上；形成一开孔于所述平坦化层，所述开孔向下延伸至所述源漏电极走线的表面；沉积像素电极于所述平坦化层上，所述像素电极通过所述开孔连接所述源漏电极走线。本专利技术的有益效果是：本专利技术提供一种显示面板及其制备方法，通过将透明金属走线制备成双层结构或多层堆叠结构，该结构包括至少一层透明金属层以及透明导电材料层，所述透明导电材料层为二维结构，所述二维结构材料厚度较薄，因而可以透明设置，并且因其本身电阻率较低，可以有效的降低金属导线电阻值Rs,减小IRdrop,降低消耗功率，进而改善全透明显示器点亮效果。附图说明下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本专利技术实施例1提供的透明金属走线的结构示意图。图2为本专利技术实施例1提供的显示面板的结构示意图。图3为本专利技术实施例2提供的透明金属走线的结构示意图。图4为本专利技术实施例2提供的显示面板的结构示意图。显示面板100；基板101；缓冲层102；透明金属走线200；平坦化层105；像素电极106；栅极绝缘层1031；钝化层1032；电容电极走线120；透明金属层201；源漏电极走线114；栅极走线111；有源层112；刻蚀阻挡层113；上电容电极走线122；下电容电极走线121；透明导电材料层118；开孔1051。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“集成”、“相连”、“连接”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本专利技术的不同结构。为了简化本专利技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本专利技术。此外，本专利技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。如图1以及图2所示，本专利技术实施例1提供了一种显示面板100，包括：若干透明金属走线200，所述透明金属走线200具有：至少一层透明金属层201以及透明导电材料层118。在实施例1中，所述透明金属走线200具有一层透明金属层201，所述透明导电材料层118附于所述单层透明金属层201的表面。所述透明金属走线200为源漏电极走线114、栅极走线111、扫描线、数据线、电容电极走线120、像素电极106、公共电极线中的至少一种。所述栅极走线111与所述扫描线可同层布线，所述源漏电极走线114、所述数据线与所述公共电极线同层布线。本专利技术通过将显示面板100的金属线替换为双层结构，所述双层结构包括透明金属层201以及透明导电材料层118，所述透明导电材料层118为二维结构，所述二维本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：若干透明金属走线，所述透明金属走线具有：/n至少一层透明金属层；以及/n透明导电材料层，当所述透明金属走线具有一层透明金属层时，所述透明导电材料层附于所述单层透明金属层的表面；当所述透明金属走线具有两层及两层以上透明金属层时，所述透明导电材料层设于两层相邻的所述透明金属层之间，所述透明导电材料层为二维结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：若干透明金属走线，所述透明金属走线具有：
至少一层透明金属层；以及
透明导电材料层，当所述透明金属走线具有一层透明金属层时，所述透明导电材料层附于所述单层透明金属层的表面；当所述透明金属走线具有两层及两层以上透明金属层时，所述透明导电材料层设于两层相邻的所述透明金属层之间，所述透明导电材料层为二维结构。


2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述透明金属走线为源漏电极走线、栅极走线、扫描线、数据线、电容电极走线、像素电极、公共电极中的至少一种。


3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括：
基板；
缓冲层，设于所述基板上；
栅极走线，设于所述缓冲层上；
栅极绝缘层，设于所述栅极走线以及所述缓冲层上；
有源层，设于所述栅极绝缘层上；
刻蚀阻挡层，设于所述有源层上；
源漏电极走线，设于所述栅极绝缘层、所述有源层以及所述刻蚀阻挡层上，所述源漏电极走线连接所述有源层；
钝化层，设于所述源漏电极走线、所述栅极绝缘层以及所述刻蚀阻挡层上。


4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括：
下电容电极走线，设于所述栅极绝缘层中且与所述栅极走线同层设置；
上电容电极走线，设于所述钝化层中。


5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括：
平坦化层，设于所述钝化层上，所述平坦化层中包括RGB色阻；
像素电极，设于所述平坦化层上且连接所述源漏电极走线。


6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
所述平坦化层具有一开孔，所述开孔向下延伸至所述源漏电极走线的表面，所述像素电极通过所述开孔连接所述源漏电极走线。

【专利技术属性】
技术研发人员：余明爵，徐源竣，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44