【技术实现步骤摘要】
一种三氯化硼的纯化装置
本技术涉及化工分离
，具体涉及一种三氯化硼的纯化装置。
技术介绍
高纯三氯化硼主要用于IC制造工艺中技术要求很高、对电路成品率影响很大的化学气相淀积(CVD)成膜过程以及等离子干法刻蚀过程,会对IC产品的品质带来很关键的作用,且其它电子气体是不可以代替的。目前电子级三氯化硼纯度要求在99.999％以上。由于它的杂质含量和纯度直接影响IC、电子元器件的质量、性能、技术指标和成品率，因此电子级三氯化硼对气相、金属等杂质要求极高。在电子级高纯三氯化硼的实际应用中，对气体纯度要求很高，一般要求三氯化硼纯度大于99.999％，工艺上普遍使用精馏塔进行精馏提纯，去除三氯化硼中的高沸点和低沸点的杂质，但是由于三氯化硼属于低温液化气体，仅靠精馏方法，低沸点杂质(如：氧气、氮气)去除效率不高，往往采用高回流比和高理论板的方式，是公认的高能耗过程。同时，三氯化硼生产工艺中使用氯气进行反应，氯气在三氯化硼中有一定溶解度，使用精馏提纯很难达到提纯要求，目前有日本专利JP特开2013-144644A公开了...
【技术保护点】
1.一种三氯化硼的纯化装置，由原料再沸器(1)、一级吸附床(2)、二级吸附床(3)、反应床(4)、过滤器(5)、精馏塔(6)、精馏塔再沸器(7)、冷凝器(8)、缓冲罐(9)、产品储罐(10)连接而成，其特征在于：低纯度三氯化硼原料经过原料再沸器(1)汽化后连续经过一级吸附床(2)、二级吸附床(3)、反应床(4)及过滤器(5)后从塔底通入精馏塔(6)，经过塔顶冷凝器(8)流入缓冲罐(9)，缓冲罐(9)内物料一部分返回精馏塔(6)，一部分采出至产品储罐(10)；/n所述的二级吸附床(3)选用孔隙容积为0.45-0.70mL/g，微孔表面积为1000-2500m
【技术特征摘要】
1.一种三氯化硼的纯化装置，由原料再沸器(1)、一级吸附床(2)、二级吸附床(3)、反应床(4)、过滤器(5)、精馏塔(6)、精馏塔再沸器(7)、冷凝器(8)、缓冲罐(9)、产品储罐(10)连接而成，其特征在于：低纯度三氯化硼原料经过原料再沸器(1)汽化后连续经过一级吸附床(2)、二级吸附床...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵毅，赵趫，王天源，裴凯，赵银凤，计燕秋，张琳，
申请(专利权)人：大连科利德光电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21
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