一种氨基硅烷的提纯方法技术

本发明专利技术涉及电子特气领域，尤其涉及一种氨基硅烷的提纯方法，所述方法包括以下步骤：(S.1)提供一个精馏塔，所述精馏塔包括塔釜以及精馏柱，所述塔釜内部装载有吸附剂，所述精馏柱内部填充有吸附填料；所述吸附剂中包含有金属氧化物以及包含有羰基的阴离子聚合物；(S.2)将粗品氨基硅烷加入到塔釜内部，使得粗品氨基硅烷与塔釜中的吸附剂接触；(S.3)提升塔釜温度，使得氨基硅烷回流与精馏柱中的吸附填料接触，收集从精馏柱中流出的馏分，得到电子级氨基硅烷。本发明专利技术中的提纯方法采用了吸附剂和精馏的组合方式，通过吸附剂去除粗品氨基硅烷中的杂质，然后通过精馏进一步提纯。这种组合方式可以有效去除氨基硅烷中的杂质，提高纯度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子特气领域，尤其涉及一种氨基硅烷的提纯方法。

技术介绍

1、有机氨基硅烷，如双(二乙氨基)硅烷和双(叔丁基氨基)硅烷，被广泛应用于薄膜前驱体中。它们在半导体器件制造和薄膜沉积过程中扮演着重要的角色。

2、这些有机氨基硅烷可用作化学气相沉积(cvd)和物理气相沉积(pvd)过程中的前体材料。它们在半导体器件制造中被用来沉积薄膜，如硅氧化物(sio2)、氮化硅(si3n4)等。然而在半导体工业中通常对于有机氨基硅烷具有更高的纯度要求，以确保在电子器件制造过程中不引入杂质，从而确保器件的性能和可靠性。因此，在电子行业中使用有机氨基硅烷时，需要严格控制其质量和纯度。

3、有机氨基硅烷中的杂质通常包括烷基氨、烷基氨盐、氯化氢等，现有技术中为了去除这些杂质，通常采用膜分离、精馏等手段进行提纯，然而现有技术中的这些提纯手段通常较为繁琐，能源消耗较高。

4、例如专利号为cn 108250232 a提到了一种双(二乙基)氨基硅烷的精制方法，它是将双(二乙基)氨基硅烷进入装有新型杂质分解剂的反应器中，温度30～80℃，流速1本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氨基硅烷的提纯方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种氨基硅烷的提纯方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的一种氨基硅烷的提纯方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的一种氨基硅烷的提纯方法，其特征在于，

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的一种氨基硅烷的提纯方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的一种氨基硅烷的提纯方法，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的一种氨基硅烷的提纯方法，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的一种氨基硅烷的提纯方法，其特征在于，

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【技术特征摘要】

1.一种氨基硅烷的提纯方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种氨基硅烷的提纯方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的一种氨基硅烷的提纯方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的一种氨基硅烷的提纯方法，其特征在于，

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的一种氨基硅烷的提纯方法，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：裴凯，王长军，刘颖，阮树堃，石琳，
申请(专利权)人：大连科利德光电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：