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本发明涉及电子特气领域,尤其涉及一种氨基硅烷的提纯方法,所述方法包括以下步骤:(S.1)提供一个精馏塔,所述精馏塔包括塔釜以及精馏柱,所述塔釜内部装载有吸附剂,所述精馏柱内部填充有吸附填料;所述吸附剂中包含有金属氧化物以及包含有羰基的阴离子...该专利属于大连科利德光电子材料有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过大连科利德光电子材料有限公司授权不得商用。
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本发明涉及电子特气领域,尤其涉及一种氨基硅烷的提纯方法,所述方法包括以下步骤:(S.1)提供一个精馏塔,所述精馏塔包括塔釜以及精馏柱,所述塔釜内部装载有吸附剂,所述精馏柱内部填充有吸附填料;所述吸附剂中包含有金属氧化物以及包含有羰基的阴离子...