一种高效背钝化晶硅太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高效背钝化晶硅太阳能电池，包括由上至下依次相连的Ag栅指电级、SiNx钝化减反射层、N+层、P型硅、背面钝化层、Al栅指电级，所述Ag栅指电级依次贯穿钝化膜层、N+层通过N++层与P型硅相连，所述Al栅指电级贯穿背面钝化层通过P+层与P型硅相连，其特征在于：所述背面钝化层为钝化减反叠层结构，所述钝化减反叠层结构包括由上至下依次设置的SiO

A high efficiency back passivated crystalline silicon solar cell

【技术实现步骤摘要】
一种高效背钝化晶硅太阳能电池
本技术涉及背钝化太阳能电池领域，尤其涉及一种高效背钝化晶硅太阳能电池。
技术介绍
目前太阳能电池主要以晶体硅作为基底材料，由于在硅片表面周期性破坏，会产生大量垂悬键(danglingbond)，使得晶体表面存在大量位于带隙中的缺陷能级；除此之外，位错、化学残留物、表面金属的沉积均会导入缺陷能级，使得硅片表面成为复合中心，造成较大的表面复合速率，进而限制了转换效率。背钝化电池对比常规电池主要优势在于降低电池片背面界面态，提高钝化能力，并藉由延长光线路程，提高长波响应以及短路电流，使得背钝化电池较常规电池转换效率提高了1.0-1.2％甚至以上。目前业界规模化生产，以AlOX+SiNX结构为主要的背钝化膜层，但其中Si-H和-NH键的存在容易造成膜层松散并聚集大量的针孔，在经过高温退火之后，氢从Si-H键中脱离留下未饱和的Si+，这些过剩的Si+之间发生键合，最终形成硅的聚集体，也称为硅岛，直接影响钝化效果，因此限制了背钝化电池的效率提升，降低了高效电池生产的经济效益。
技术实现思路
本技术的目的在于：为解决现有的背钝化太阳能电池的背面钝化膜层在生产过程中容易形成硅的聚集体，也称为硅岛，直接影响了整体的背面钝化的效果，导致降低了电池的转换效率的问题，特提供一种高效背钝化晶硅太阳能电池。本技术采用的技术方案如下：一种高效背钝化晶硅太阳能电池，包括由上至下依次相连的Ag栅指电级、SiNx钝化减反射层、N+层(磷掺杂层)、P型硅、背面钝化层、Al栅指电级，所述Ag栅指电级依次贯穿钝化膜层、N+层通过N++层(重掺杂硅层)与P型硅相连，所述Al栅指电级贯穿背面钝化层通过P+层(局部接触铝掺杂层)与P型硅相连，所述背面钝化层为钝化减反叠层结构，所述钝化减反叠层结构包括由上至下依次设置的SiO2钝化层、AlOx钝化层、SiNx减反射层、SiOxNy减反射层。上述方案中，所述SiO2钝化层的厚度为0.3-3nm。上述方案中，所述AlOx钝化层的厚度为5-15nm。上述方案中，所述SiNx减反射层的厚度为70-110nm，折射率为1.9-2.2，结构为单层或双层或三层。上述方案中，所述SiOxNy减反射层厚度为70-110nm，折射率为1.8-2.0。综上所述，由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是：本技术在背钝化晶硅太阳能电池的背面底层采用二氧化硅(SiO2)薄膜来减少接触电阻与增强钝化能力，有利于显着降低整个硅片表面的复合速度，顶层采用氮氧化硅(SiOxNy)薄膜来增强钝化与减反能力，由于氮氧化硅是介于氮化硅(SiNx)和二氧化硅(SiO2)间的一种物质，其电学及光学性能介于二者之间，通过改变其组成成分，折射率可控制在1.47(SiO2)-2.3(SiNx)之间，随着氧含量增加则转化向SiO2为主的结构，随氮含量增加则转化SiNx成分较多的结构，可通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)优化镀膜工艺，使其结构与性能兼具SiNx及SiO2的部分优点，提高了钝化与减反性能。因此在电池背面形成SiO2–AlOx-SiNx–SiOxNy叠层钝化减反膜，具有高载子选择性、高温度稳定性，优良的界面钝化效果，优良的抗PID能力，从而实现高转换效率，高稳定性的太阳能电池。附图说明本技术将通过实施例并参照附图的方式说明，其中：图1为本技术结构示意图；其中附图标记所对应的零部件名称如下：1-Ag栅指电级，2-SiNx钝化减反射层，3-N+层，4-P型硅，5-背面钝化层，6-Al栅指电级，7-N++层，8-P+层，51-SiO2钝化层，52-AlOx钝化层，53-SiNx减反射层，54-SiOxNy减反射层。具体实施方式本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。一种高效背钝化晶硅太阳能电池，包括由上至下依次相连的Ag栅指电级1、SiNx钝化减反射层2、N+层(磷掺杂层)3、P型硅4、背面钝化层5、Al栅指电级6，所述Ag栅指电级1依次SiNx钝化减反射层2、N+层3通过N++层(重掺杂硅层)7与P型硅4相连，所述Al栅指电级6贯穿背面钝化层5通过P+层(局部接触铝掺杂层)8与P型硅4相连，其特征在于：所述背面钝化层5为钝化减反叠层结构，所述钝化减反叠层结构包括由上至下依次设置的SiO2钝化层51、AlOx钝化层52、SiNx减反射层53、SiOxNy减反射层54。上述方案中，所述SiO2钝化层51的厚度为0.3-3nm。上述方案中，所述AlOx钝化层52的厚度为5-15nm。上述方案中，所述SiNx减反射层53的厚度为70-110nm，折射率为1.9-2.2，结构为单层或双层或三层。上述方案中，所述SiOxNy减反射层54厚度为70-110nm，折射率为1.8-2.0。实施例1一种高效背钝化晶硅太阳能电池，包括由上至下依次相连的Ag栅指电级1、SiNx钝化减反射层2、N+层(磷掺杂层)3、P型硅4、背面钝化层5、Al栅指电级6，所述Ag栅指电级1依次贯穿SiNx钝化减反射层2、N+层3通过N++层(重掺杂硅层)7与P型硅4相连，所述Al栅指电级6贯穿背面钝化层5通过P+层(局部接触铝掺杂层)8与P型硅4相连，其特征在于：所述背面钝化层5为钝化减反叠层结构，所述钝化减反叠层结构包括由上至下依次设置的SiO2钝化层51、AlOx钝化层52、SiNx减反射层53、SiOxNy减反射层54。实施例2在实施例1的基础上，所述SiO2钝化层51的厚度为0.3nm。实施例3在实施例1的基础上，所述SiO2钝化层51的厚度为3nm实施例4在上述实施例的基础上，所述AlOx钝化层52的厚度为5nm。实施例5在实施例1或2或3的基础上，所述AlOx钝化层52的厚度为15nm。实施例6在上述实施例的基础上，所述SiNx减反射层53的厚度为70nm，折射率为1.9，结构为单层。实施例7在实施例1-5中任一实施例的基础上，所述SiNx减反射层53的厚度为110nm，折射率为2.2，结构为双层。实施例8在实施例1-5中任一实施例的基础上，所述SiNx减反射层53的厚度为80nm，折射率为2.0，结构为三层。实施例9在上述实施例的基础上，所述SiOxNy减反射层54厚度为70nm，折射率为1.8。实施例10在实施例1-8中任一实施例的基础上，所述SiOxNy减反射层54厚度为110nm，折射率为2.0。以上所述，仅为本技术的较佳实施例，并不用以限制本技术，本技术的专利保护范围以权利要求书为准，凡是运用本技术的说明书及附图内容所作的等同结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高效背钝化晶硅太阳能电池，包括由上至下依次相连的Ag栅指电级(1)、SiNx钝化减反射层(2)、N+层(3)、P型硅(4)、背面钝化层(5)、Al栅指电级(6)，所述Ag栅指电级(1)依次贯穿SiNx钝化减反射层(2)、N+层(3)通过N++层(7)与P型硅(4)相连，所述Al栅指电级(6)贯穿背面钝化层(5)通过P+层(8)与P型硅(4)相连，其特征在于：所述背面钝化层(5)为钝化减反叠层结构，所述钝化减反叠层结构包括由上至下依次设置的SiO

【技术特征摘要】
1.一种高效背钝化晶硅太阳能电池，包括由上至下依次相连的Ag栅指电级(1)、SiNx钝化减反射层(2)、N+层(3)、P型硅(4)、背面钝化层(5)、Al栅指电级(6)，所述Ag栅指电级(1)依次贯穿SiNx钝化减反射层(2)、N+层(3)通过N++层(7)与P型硅(4)相连，所述Al栅指电级(6)贯穿背面钝化层(5)通过P+层(8)与P型硅(4)相连，其特征在于：所述背面钝化层(5)为钝化减反叠层结构，所述钝化减反叠层结构包括由上至下依次设置的SiO2钝化层(51)、AlOx钝化层(52)、SiNx减反射层(53)、SiOxNy减反射层(54)。


2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏，陈坤，王岚，尹志伟，
申请(专利权)人：通威太阳能眉山有限公司，通威太阳能成都有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51