基于MOS高效芯片的整流二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及整流器的技术领域，公开了一种基于MOS高效芯片的整流二极管，其包括二极管本体、焊接端、焊片、芯片、引线和套环，芯片包括第二金属层，还包括设置在引线上的凸台，凸台位于引线朝向芯片的一端，凸台的横截面不大于第二金属层的横截面，二极管本体为P型；同时还公开了一种基于MOS高效芯片的整流二极管，包括二极管本体、焊接端、焊片、芯片和套环，芯片包括第二金属层，还包括设置在焊接端上的凸台，凸台位于焊接端朝向芯片的一端，凸台的横截面不大于第二金属层的横截面，二极管本体为N型。本实用新型专利技术具有引线（或焊接端）与第二金属层之间的连接稳定可靠，且玻璃层不易被压坏的效果。

Rectifier diode based on MOS high efficiency chip

【技术实现步骤摘要】
基于MOS高效芯片的整流二极管
本技术涉及整流器的
，尤其是涉及一种基于MOS高效芯片的整流二极管。
技术介绍
整流器由正极散热板、负极散热板、P型整流二极管、N型整流二极管、桥支架、绝缘垫板、异形螺杆等零部件组成。以汽车发电机为例，整流器的作用是将汽车交流发电机定子线圈产生的三相交流电转变为直流电，供给汽车蓄电池和其它用电器。P型整流二极管的结构如图1所示，包括圆柱形的二极管本体1，二极管本体1的顶端端面中部设有圆柱形的焊接端11，四周设有圆筒状的凸缘12。焊接端11上通过焊片2焊接有芯片3，芯片3上表面则通过焊片2焊接有引线4。凸缘12内侧嵌有套环5，套环5的外侧壁底部与凸缘12的内侧壁紧密贴合，套环5内侧则灌注有环氧树脂7，待其固化后将引线4底端和芯片3封装起来。N型整流二极管的结构与P型整流二极管类似，如图2所示，也由二极管本体1、焊接端11、凸缘12、焊片2、芯片3、引线4、套环5、环氧树脂7组成。现有一种MOS高效芯片，如图3和图4所示，包括芯片本体31，芯片本体31一端的端面上设有第一金属层32，另一端的端面上设有第二金属层33和玻璃层34。玻璃层34位于芯片本体31端面的边沿处，将第二金属层33包围在内。此外，玻璃层34呈台阶状，其厚度大于第二金属层33的厚度。当该芯片封装在P型整流二极管中时，第一金属层与焊接端焊接在一起，第二金属层则与引线焊接在一起。当该芯片封装在N型整流二极管中时，第一金属层与引线焊接在一起，第二金属层则与焊接端焊接在一起。采用传统工艺芯片的整流二极管正向压降高（以14V，65A传统整流二极管为例，VF≤1.05V），功耗大。若改为MOS高效芯片，则整流二极管的正向压降低（以14V，65A高效整流二极管为例，VF≤0.7V），功耗小。因此，MOS高效芯片在整流二极管中的应用日益广泛。在实际装配过程中，由于MOS高效芯片中的玻璃层比第二金属层厚，焊接端（或引线）无法贴近第二金属层，距离第二金属层较远，这就导致焊接端（或引线）与第二金属层之间的连接稳定性较差，且玻璃层容易被焊接端（或引线）压坏。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术的目的之一是提供一种基于MOS高效芯片的整流二极管，其具有引线与第二金属层之间的连接稳定可靠，且玻璃层不易被压坏的效果。本技术的上述专利技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种基于MOS高效芯片的整流二极管，包括二极管本体、焊接端、焊片、芯片、引线和套环，所述焊片成对设置在芯片两端，所述芯片包括第二金属层，还包括设置在引线上的凸台，所述凸台位于引线朝向芯片的一端，凸台与第二金属层正对，凸台的横截面不大于第二金属层的横截面，所述二极管本体为P型。通过采用上述技术方案，设置在引线上的凸台横截面不大于第二金属层的横截面，其在靠近第二金属层时不会与玻璃层相抵触，可以贴近第二金属层表面，焊片熔化后能够很好地充满凸台与第二金属层之间的空隙，从而使引线与第二金属层之间的连接稳定可靠，且玻璃层不易被压坏。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述焊片的横截面大于凸台的横截面。通过采用上述技术方案，在生产过程中，难以保证焊片与凸台恰好正对，焊片相对于凸台往往会出现偏心的情况，故使焊片的横截面大于凸台的横截面，以保证焊片处于偏心极限情况下时，凸台仍处于焊片的范围内，从而与第二金属层稳定连接。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述焊接端的侧壁上设有防脱环，所述防脱环的外径小于套环的内径。通过采用上述技术方案，由于防脱环的外径小于套环的内径，向套环内侧灌封环氧树脂时，环氧树脂能够顺利地流至防脱环与二极管本体之间；待环氧树脂固化后，防脱环嵌入环氧树脂内，将环氧树脂勾住，使环氧树脂不易从二极管本体上脱落。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述防脱环底端端面与焊接端侧壁的连接处设有倒角，形成引导斜面。通过采用上述技术方案，设置引导斜面，使环氧树脂能够尽可能充分地将防脱环与二极管本体之间的空隙填充，避免气泡缺陷。本技术的另一目的是提供一种基于MOS高效芯片的整流二极管，其具有焊接端与第二金属层之间的连接稳定可靠，且玻璃层不易被压坏的效果。本技术的上述专利技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种基于MOS高效芯片的整流二极管，包括二极管本体、焊接端、焊片、芯片和套环，所述焊片成对设置在芯片两端，所述芯片包括第二金属层，还包括设置在焊接端上的凸台，所述凸台位于焊接端朝向芯片的一端，凸台与第二金属层正对，凸台的横截面不大于第二金属层的横截面，所述二极管本体为N型。通过采用上述技术方案，设置在焊接端上的凸台横截面不大于第二金属层的横截面，其在靠近第二金属层时不会与玻璃层相抵触，可以贴近第二金属层表面，焊片熔化后能够很好地充满凸台与第二金属层之间的空隙，从而使焊接端与第二金属层之间的连接稳定可靠，且玻璃层不易被压坏。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述焊片的横截面大于凸台的横截面。通过采用上述技术方案，在生产过程中，难以保证焊片与凸台恰好正对，焊片相对于凸台往往会出现偏心的情况，故使焊片的横截面大于凸台的横截面，以保证焊片处于偏心极限情况下时，凸台仍处于焊片的范围内，从而与第二金属层稳定连接。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述焊接端的侧壁上设有防脱环，所述防脱环的外径小于套环的内径。通过采用上述技术方案，由于防脱环的外径小于套环的内径，向套环内侧灌封环氧树脂时，环氧树脂能够顺利地流至防脱环与二极管本体之间；待环氧树脂固化后，防脱环嵌入环氧树脂内，将环氧树脂勾住，使环氧树脂不易从二极管本体上脱落。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述防脱环底端端面与焊接端侧壁的连接处设有倒角，形成引导斜面。通过采用上述技术方案，设置引导斜面，使环氧树脂能够尽可能充分地将防脱环与二极管本体之间的空隙填充，避免气泡缺陷。综上所述，本技术包括以下至少一种有益技术效果：1.引线（或焊接端）与第二金属层之间的连接稳定可靠，且玻璃层不易被压坏；2.通过设置防脱环，能够将环氧树脂勾住，使环氧树脂不易从二极管本体上脱落。附图说明图1是
技术介绍
中P型整流二极管的剖面示意图；图2是
技术介绍
中N型整流二极管的剖面示意图；图3是
技术介绍
中MOS高效芯片的剖面示意图；图4是
技术介绍
中MOS高效芯片的俯视图；图5是实施例1的剖面图；图6是图5中A处放大图；图7是实施例2的剖面图；图8是图7中B处放大图。图中，1、二极管本体；2、焊片；3、芯片；4、引线；5、套环；6、凸台；7、环氧树脂；11、焊接端；12、凸缘；13、防脱环；14、引导斜面；31、芯片本体；32、第一金属层；33、第二金属层；34、玻璃层。具体实施方式以下结合附图对本实用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于MOS高效芯片的整流二极管，包括二极管本体（1）、焊接端（11）、焊片（2）、芯片（3）、引线（4）和套环（5），所述焊片（2）成对设置在芯片（3）两端，所述芯片（3）包括第二金属层（33），其特征在于：还包括设置在引线（4）上的凸台（6），所述凸台（6）位于引线（4）朝向芯片（3）的一端，凸台（6）与第二金属层（33）正对，凸台（6）的横截面不大于第二金属层（33）的横截面，所述二极管本体（1）为P型。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于MOS高效芯片的整流二极管，包括二极管本体（1）、焊接端（11）、焊片（2）、芯片（3）、引线（4）和套环（5），所述焊片（2）成对设置在芯片（3）两端，所述芯片（3）包括第二金属层（33），其特征在于：还包括设置在引线（4）上的凸台（6），所述凸台（6）位于引线（4）朝向芯片（3）的一端，凸台（6）与第二金属层（33）正对，凸台（6）的横截面不大于第二金属层（33）的横截面，所述二极管本体（1）为P型。


2.根据权利要求1所述的一种基于MOS高效芯片的整流二极管，其特征在于：所述焊片（2）的横截面大于凸台（6）的横截面。


3.根据权利要求1所述的一种基于MOS高效芯片的整流二极管，其特征在于：所述焊接端（11）的侧壁上设有防脱环（13），所述防脱环（13）的外径小于套环（5）的内径。


4.根据权利要求3所述的一种基于MOS高效芯片的整流二极管，其特征在于：所述防脱环（13）底端端面与焊接端（11）侧壁的连接处设有倒角，形成引导斜面（14）。
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【专利技术属性】
技术研发人员：戈丽芳，
申请(专利权)人：无锡市立科汽车部件有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32