发光器件和显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种发光器件和显示面板。发光器件包括第一电极、发光层、载流子传输层、载流子阻挡层和第二电极；发光层设置于第一电极和第二电极之间，载流子阻挡层设置于发光层的至少一侧表面，载流子传输层设置于载流子阻挡层远离发光层的一侧；发光层包括发光主体材料和客体材料；发光主体材料与载流子阻挡层的材料在发光层和载流子阻挡层的界面处能够形成激基复合物；激基复合物的三线态能级小于载流子传输层材料和客体材料的三线态能级，激基复合物的单线态能级小于载流子传输层材料的单线态能级，且大于客体材料的单线态能级，可以提高发光器件的发光效率，同时可以增加发光器件的使用寿命。

Light emitting devices and display panels

【技术实现步骤摘要】
发光器件和显示面板
本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种发光器件和显示面板。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示技术因具有自发光、广视角、高对比度、较低耗电和极高反应速度等优点而广泛应用在显示领域。然而，现有的OLED器件存在发光效率低、使用寿命短的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光器件和显示面板，以提高发光器件的发光效率和使用寿命。第一方面，本专利技术实施例提供了一种发光器件，包括第一电极、发光层、载流子传输层、载流子阻挡层和第二电极；所述发光层设置于所述第一电极和所述第二电极之间，所述载流子阻挡层设置于所述发光层的至少一侧表面，所述载流子传输层设置于所述载流子阻挡层远离所述发光层的一侧；所述发光层包括发光主体材料和客体材料；所述发光主体材料与所述载流子阻挡层的材料在所述发光层和所述载流子阻挡层的界面处能够形成激基复合物；所述激基复合物的三线态能级小于所述载流子传输层材料和所述客体材料的三线态能级，所述激基复合物的单线态能级小于所述载流子传输层材料的单线态能级，且大于所述客体材料的单线态能级。可选的，所述载流子阻挡层包括至少一种平面型分子材料，所述平面型分子材料的分子结构包括至少三个平面环相连的基团；优选地，所述平面型分子材料的分子结构中基团的平面环包括咔唑、芘、蒽和菲中的至少一种。可选的，所述发光主体材料为电子型传输材料；所述载流子阻挡层包括电子阻挡层；所述电子阻挡层设置于所述第一电极和所述发光层之间。可选的，所述电子阻挡层包括一种所述平面型分子材料；所述电子阻挡层的最高占据分子轨道能级与所述发光主体材料的最高占据分子轨道能级的能级差小于0.2eV。可选的，所述载流子传输层包括空穴传输层；所述空穴传输层设置于所述电子阻挡层和所述第一电极之间；所述激基复合物的三线态能级小于所述空穴传输层材料和所述客体材料的三线态能级，所述激基复合物的单线态能级小于所述空穴传输层材料的单线态能级，且大于所述客体材料的单线态能级。可选的，所述发光主体材料为空穴型传输材料；所述载流子阻挡层包括空穴阻挡层；所述空穴阻挡层设置于所述第二电极和所述发光层之间。可选的，所述空穴阻挡层包括一种所述平面型分子材料；所述空穴阻挡层的最低未占分子轨道能级与所述发光主体材料的最低未占分子轨道能级的能级差小于0.2eV。可选的，所述载流子传输层包括电子传输层；所述电子传输层设置于所述空穴阻挡层和所述第二电极之间；所述激基复合物的三线态能级小于所述电子传输层材料和所述客体材料的三线态能级，所述激基复合物的单线态能级小于所述电子传输层材料的单线态能级，且大于所述客体材料的单线态能级。可选的，所述载流子阻挡层包括两种所述平面型分子材料，两种所述平面型分子材料的最高占据分子轨道的能级差小于0.2eV，且最低未占分子轨道能级差小于0.2eV。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括本专利技术任意实施例提供的发光器件。本专利技术实施例的技术方案，通过设置发光器件的载流子阻挡层与发光层的发光主体材料能够形成激基复合物，且激基复合物的三线态能级小于载流子传输层材料和客体材料的三线态能级，激基复合物的单线态能级小于载流子传输层材料的单线态能级，且大于客体材料的单线态能级，从而可以增加发光器件中主体材料的单线态激子和三线态激子的浓度，且激基复合物的三线态激子比较稳定，因此可以降低三线态激子的三线态-三线态激子湮灭的比例，同时，激基复合物的三线态激子的热失活现象比较弱，从而可以多方面的提高发光层中三线态激子的数量，从而增加了量子效率，进而提高了发光器件的发光效率。同时可以降低因三线态激子的三线态-三线态激子湮灭和热失活现象导致的发光器件的温度上升，从而可以增加发光器件的使用寿命。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种发光器件的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。目前蓝光OLED发光器件通常使用荧光发光材料，避免了使用磷光发光材料时需要用到的资源稀缺重金属元素以及高昂的价格等问题。而使用荧光发光材料时，OLED发光器件中的发光层中单线态激子的能量转移至发光染料进行发光。而单线态激子所占量子比例比较低，三线态激子所占量子比例比较高，因此可以通过三线态-三线态激子湮灭的方式提高OLED发光器件的量子效率，即将三线态激子转换为单线态激子提高OLED发光器件的量子效率。一般情况下，有机材料的三线态激子不稳定，会产生三线态-三线态激子湮灭，即三线态激子与OLED发光器件中的载流子复合，三线态激子无法转换为单线态激子，从而造成三线态激子的损失，降低了量子效率，进而降低了OLED发光器件的发光效率。另外，三线态激子存在热失活现象，即三线态激子会逐渐失去能量，进而转换为基态，进一步的造成了三线态激子的损失，降低了量子效率，进而降低了OLED发光器件的发光效率。而且，三线态激子的三线态-三线态激子湮灭以及热失活现象均会使OLED发光器件的温度上升，从而影响OLED发光器件的使用寿命。针对上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种发光器件。图1为本专利技术实施例提供的一种发光器件的结构示意图。如图1所示，该发光器件包括第一电极110、发光层120、载流子传输层130、载流子阻挡层140和第二电极150；发光层120设置于第一电极110和第二电极150之间，载流子阻挡层140设置于发光层120的至少一侧表面，载流子传输层130设置于载流子阻挡层140远离发光层120的一侧；发光层120包括发光主体材料和客体材料；发光主体材料与载流子阻挡层140的材料在发光层120和载流子阻挡层140的界面处能够形成激基复合物；激基复合物的三线态能级小于载流子传输层130材料和客体材料的三线态能级，激基复合物的单线态能级小于载流子传输层130材料的单线态能级，且大于客体材料的单线态能级。具体的，第一电极110可以为阳极，第二电极150可以为阴极。如图1所示，载流子传输层130和载流子阻挡层140可以设置于第一电极110和发光层120之间。此时载流子传输层130设置于第一电极110和载流子阻挡层140之间，载流子阻挡层140设置于载流子传输层130和发光层120之间。发光层120包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件，其特征在于，包括第一电极、发光层、载流子传输层、载流子阻挡层和第二电极；所述发光层设置于所述第一电极和所述第二电极之间，所述载流子阻挡层设置于所述发光层的至少一侧表面，所述载流子传输层设置于所述载流子阻挡层远离所述发光层的一侧；所述发光层包括发光主体材料和客体材料；/n所述发光主体材料与所述载流子阻挡层的材料在所述发光层和所述载流子阻挡层的界面处能够形成激基复合物；所述激基复合物的三线态能级小于所述载流子传输层材料和所述客体材料的三线态能级，所述激基复合物的单线态能级小于所述载流子传输层材料的单线态能级，且大于所述客体材料的单线态能级。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括第一电极、发光层、载流子传输层、载流子阻挡层和第二电极；所述发光层设置于所述第一电极和所述第二电极之间，所述载流子阻挡层设置于所述发光层的至少一侧表面，所述载流子传输层设置于所述载流子阻挡层远离所述发光层的一侧；所述发光层包括发光主体材料和客体材料；
所述发光主体材料与所述载流子阻挡层的材料在所述发光层和所述载流子阻挡层的界面处能够形成激基复合物；所述激基复合物的三线态能级小于所述载流子传输层材料和所述客体材料的三线态能级，所述激基复合物的单线态能级小于所述载流子传输层材料的单线态能级，且大于所述客体材料的单线态能级。


2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述载流子阻挡层包括至少一种平面型分子材料，所述平面型分子材料的分子结构包括至少三个平面环相连的基团；
优选地，所述平面型分子材料的分子结构中基团的平面环包括咔唑、芘、蒽和菲中的至少一种。


3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述发光主体材料为电子型传输材料；所述载流子阻挡层包括电子阻挡层；所述电子阻挡层设置于所述第一电极和所述发光层之间。


4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层包括一种所述平面型分子材料；所述电子阻挡层的最高占据分子轨道能级与所述发光主体材料的最高占据分子轨道能级的能级差小于0.2eV。


5.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述载流...

【专利技术属性】
技术研发人员：高宇，刘孟宇，夏景成，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32