【技术实现步骤摘要】
一种酸性铜蚀刻液的生产工艺
本专利技术涉及铜蚀刻液
,具体涉及一种酸性铜蚀刻液的生产工艺。
技术介绍
高精细芯片和显示集成电路主要采用铜制程,其光刻工艺中形成铜膜层结构所需用的铜刻蚀液中最主要的为过氧化氢系铜刻蚀液。过氧化氢系铜蚀刻液较其他铜刻蚀液体系(如三氯化铁体系,过硫酸铵体系)具有不引人其他金属离子在铜层表面或线路体系中,产物亲和、友好、环境污染少,刻蚀效率高且使用寿命较长的特点。大部分过氧化氢系铜刻蚀液包括参与氧化的过氧化氢组分、参与溶解的无机酸/有机酸组分,以及部分铜缓蚀剂等各类添加三个部分。由于铜蚀刻液中各物质的反应为放热反应,体系中又含有过氧化氢在制备铜蚀刻液的生产过程中需要保证生产安全。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,克服现有技术中存在的缺陷,提供一种铜蚀刻液大规模量产的生产工艺,该生产工艺温控严格,生产过程中安全性高。为实现上述目的,本专利技术的技术方案是设计一种酸性铜蚀刻液的生产工艺,所述工艺包括以下步骤:第一步:将纯水进行低温处理,使纯水温度≤10℃在纯水罐中备用;第二步:配制和准备原料,将亚氨基二乙酸、氢氟酸和乙醇酸分别投入对应的原料罐中,经过过滤器循环过滤,备用;将HNO3、四甲基氢氧化铵、H2O2分别投入对应的原料罐,备用;第三步:根据混酸配制表算出各个原料的添加量,按照纯水→亚氨基二乙酸→氢氟酸→HNO3→四甲基氢氧化铵→乙醇酸的顺序依次将原料加入调配罐,将上述混料充分搅拌,搅拌时间为3~5h;第四步:在第三步的混料 ...
【技术保护点】
1.一种酸性铜蚀刻液的生产工艺,其特征在于,所述工艺包括以下步骤:/n第一步:将纯水进行低温处理,使纯水温度≤10℃在纯水罐中备用;/n第二步:配制和准备原料,将亚氨基二乙酸、氢氟酸和乙醇酸分别投入对应的原料罐中,经过过滤器循环过滤,备用;将HNO
【技术特征摘要】
1.一种酸性铜蚀刻液的生产工艺,其特征在于,所述工艺包括以下步骤:
第一步:将纯水进行低温处理,使纯水温度≤10℃在纯水罐中备用;
第二步:配制和准备原料,将亚氨基二乙酸、氢氟酸和乙醇酸分别投入对应的原料罐中,经过过滤器循环过滤,备用;将HNO3、四甲基氢氧化铵、H2O2分别投入对应的原料罐,备用;
第三步:根据混酸配制表算出各个原料的添加量,按照纯水→亚氨基二乙酸→氢氟酸→HNO3→四甲基氢氧化铵→乙醇酸的顺序依次将原料加入调配罐,将上述混料充分搅拌,搅拌时间为3~5h;
第四步:在第三步的混料中再添加H2O2,继续搅拌混匀,搅拌时间为3~5h,用磁力泵将混合液通过过滤器循环过滤。
2.根据权利要求1所述的一种酸性铜蚀刻液...
【专利技术属性】
技术研发人员:浦陈龙,顾维忠,顾洪卫,朱永刚,顾维达,
申请(专利权)人:江阴江化微电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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