一种镍铂合金溅射靶材及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种镍铂合金溅射靶材及其制备方法，所述镍铂合金溅射靶材中铂的含量为21～31%原子百分比，镍铂溅射靶材溅射面的（111）面的取向率大于30%，（200）面的取向率小于（111）面且大于20%。所述制备方法包括以下步骤：以4N5镍和铂为原料，配制成铂的含量为21～31%的合金，将合金放入熔炼炉中进行熔炼，待原料熔化后置于浇铸模具中进行浇铸获得铸锭；再将铸锭采用温轧轧制形成坯料后再结晶退火，最后加工成型获得靶材。本发明专利技术制备获得了成品率高，稳定性好的含铂为21～31原子%的NiPt合金溅射靶材，通过控制晶粒取向改善了靶材的成膜速率和薄膜性能稳定性，获得了沉积速率和膜厚均匀性较好的NiPt薄膜，大大提高了生产效率，极大节约了成本。

A sputtering target of nickel platinum alloy and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种镍铂合金溅射靶材及其制备方法
本专利技术属于粉末冶金
，进一步属于合金溅射靶材
，具体涉及用于电子信息产业的晶粒取向可控、铂含量为21～31％的镍铂合金溅射靶材及其制备方法。
技术介绍
镍铂合金靶材在电子半导体行业具有重要的应用。比如，镍铂靶材被用于制备肖特基二极管中的势垒层已得到了广泛的应用；镍铂靶材被用于制备互补金属氧化物半导体(CMOS)和大规模集成电路中的硅化物技术也很成熟，并得到了大量应用。随着电子半导体的发展，镍铂靶材将继续发挥重要作用。在镍铂靶材的应用当中，铂的添加能增强相应的Ni(Pt)Si硅化物薄膜的相结构和热稳定性。随着集成电路的技术节点向亚微米发展，特别是在65纳米以下，铂的添加量不断上升，因此，面临着如何制备具有中、高铂含量的镍铂合金及其靶材的问题。特别地，对于中等铂含量，特别是铂含量为21～31％原子百分比以上的镍铂合金，其加工更为困难和复杂。其主要表现为铸态组织容易产生疏松，热机械加工窗口窄，材料的加工性能差，极易产生开裂，成品率低等。同时，随着半导体集成电路的细微化，对薄膜膜厚均匀性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种镍铂合金溅射靶材，其特征在于，所述镍铂合金溅射靶材中铂的含量为21～31%原子百分比，余量为镍和不可避免的其它杂质元素；镍铂溅射靶材溅射面的（111）面的取向率大于30%，（200）面的取向率小于（111）面且大于20%。/n

【技术特征摘要】
1.一种镍铂合金溅射靶材，其特征在于，所述镍铂合金溅射靶材中铂的含量为21～31%原子百分比，余量为镍和不可避免的其它杂质元素；镍铂溅射靶材溅射面的（111）面的取向率大于30%，（200）面的取向率小于（111）面且大于20%。


2.根据权利要求1所述的一种镍铂合金溅射靶材，其特征在于，所述镍铂溅射靶材溅射面的（111）面的取向率为30～45%，（200）面的取向率小于（111）面且大于20%。


3.根据权利要求1或2所述的一种镍铂合金溅射靶材的制备方法，包括原料准备、浇铸成型、温轧轧制、再结晶退火，其特征在于具体包括以下步骤：
（1）原料准备：以4N5镍和铂为原料，配制成铂的含量为21～31%的合金；
（2）浇铸成型：将合金放入熔炼炉中进行熔炼，待合金熔化后置于浇铸模具中进行浇铸获得镍铂合金铸锭，浇铸模具的温度为300～600℃，浇铸过程中，对浇铸模具施加周期振动，振动振幅在0.5～2.5mm，浇铸时的温度为1650～1750℃，浇铸速率为6.5～8cm3/s；
（3）温轧轧制：将所述镍铂合金铸锭采用温轧轧制，温度控制在450℃以下，温轧的道次变形量为3%～15%，总变形量为50%～90%，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王传军，闻明，谭志龙，沈月，许彦亭，管伟明，郭俊梅，陈家林，
申请(专利权)人：贵研铂业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：云南;53