接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质，金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，亚微米铜粒子的含量及微米铜粒子的含量之和以金属粒子的总质量为基准计为80质量％以上，亚微米铜粒子的含量以亚微米铜粒子的质量及微米铜粒子的质量之和为基准计为30质量％以上且90质量％以下。

Manufacturing method of copper paste and connector for jointing and manufacturing method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法本申请是申请日为2016年9月7日、专利技术名称为“接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法”的中国申请号为201680051482.0的分案申请。
本专利技术涉及接合用铜糊料、使用了该接合用铜糊料的接合体的制造方法及半导体装置的制造方法、以及接合体及半导体装置。
技术介绍
制造半导体装置时，为了将半导体元件与引线框等(支撑构件)接合，使用各种各样的接合材料。半导体装置中，在150℃以上的高温下工作的功率半导体、LSI等的接合中，作为接合材料使用高熔点铅钎料。近年来，由于半导体元件的高容量化及省空间化，工作温度上升至高熔点铅钎料的熔点附近，变得难以确保连接可靠性。另一方面，随着RoHS管制强化，需求不含铅的接合材料。在此之前，探讨了使用铅钎料以外的材料的半导体元件的接合。例如，下述专利文献1中提出了使银纳米粒子低温烧结而形成烧结银层的技术。已知这种烧结银针对动力循环的连接可靠性高(非专利文献1)。作为其他的材料，还提出了使铜粒子烧结而形成烧结铜层的技术。例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接合用铜糊料，其为含有金属粒子和分散介质的接合用铜糊料，其中，/n所述金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，/n所述亚微米铜粒子的含量及所述微米铜粒子的含量之和以所述金属粒子的总质量为基准计为80质量％以上，/n所述亚微米铜粒子的含量以所述亚微米铜粒子的质量及所述微米铜粒子的质量之和为基准计为30质量％以上且90质量％以下，/n所述微米铜粒子的含量以金属粒子的总质量为基准计为10质量％以上且90质量％以下。/n

【技术特征摘要】
20150907 JP 2015-1760681.一种接合用铜糊料，其为含有金属粒子和分散介质的接合用铜糊料，其中，
所述金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，
所述亚微米铜粒子的含量及所述微米铜粒子的含量之和以所述金属粒子的总质量为基准计为80质量％以上，
所述亚微米铜粒子的含量以所述亚微米铜粒子的质量及所述微米铜粒子的质量之和为基准计为30质量％以上且90质量％以下，
所述微米铜粒子的含量以金属粒子的总质量为基准计为10质量％以上且90质量％以下。


2.根据权利要求1所述的接合用铜糊料，其中，所述微米铜粒子为薄片状。


3.根据权利要求1或2所述的接合用铜糊料，其为无加压接合用。


4.一种接合体的制造方法，其具备以下工序：
准备层叠有第一构件、以及在该第一构件的自重作用方向一侧上依次为权利要求1～3中任一项所述的接合用铜糊料及第二构件的层叠体，在受到所述第一构件的自...

【专利技术属性】
技术研发人员：川名祐贵，蔵渊和彦，江尻芳则，中子伟夫，须镰千绘，石川大，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP