保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)，将所述保护膜形成用膜(13)贴附于半导体晶圆并照射能量射线，进一步于260℃加热5分钟后所测定的光泽度值(G2)相对于将所述保护膜形成用膜(13)贴附于半导体晶圆并照射能量射线后所测定的光泽度值(G1)的降低率(G1‑G2)/G1×100为30％以下。

Manufacturing methods of protective film forming film, compound sheet and semiconductor chip for protective film forming

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法
本专利技术涉及保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法。本申请基于2017年10月27日于日本提出申请的日本特愿2017-208437号主张优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
近年来，正在进行着应用了被称作倒装(facedown)方式的安装法的半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片，所述电极与基板接合。因此，半导体芯片的与电路面为相反侧的背面有时会露出。在该露出的半导体芯片的背面形成有作为保护膜的含有有机材料的树脂膜，有时将其作为带保护膜的半导体芯片而装入半导体装置。为了防止在切割工序或封装后在半导体芯片上产生裂纹而利用保护膜。为了形成这样的保护膜，例如使用一种保护膜形成用复合片，其具备用于在支撑片上形成保护膜的保护膜形成用膜。保护膜形成用膜能够通过固化而形成保护膜。将在背面具备保护膜形成用膜或保护膜的半导体晶圆分割成半导体芯片时，支撑片能够用于固定半导体晶圆。进一步，支撑片也能够用作切割片，保本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种保护膜形成用膜，其为能量射线固化性的保护膜形成用膜，其中，/n将所述保护膜形成用膜贴附于半导体晶圆并照射能量射线，进一步于260℃加热5分钟后所测定的光泽度值相对于将所述保护膜形成用膜贴附于半导体晶圆并照射能量射线后所测定的光泽度值的降低率为30％以下。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171027 JP 2017-2084371.一种保护膜形成用膜，其为能量射线固化性的保护膜形成用膜，其中，
将所述保护膜形成用膜贴附于半导体晶圆并照射能量射线，进一步于260℃加热5分钟后所测定的光泽度值相对于将所述保护膜形成用膜贴附于半导体晶圆并照射能量射线后所测定的光泽度值的降低率为30％以下。


2.一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片，并在...

【专利技术属性】
技术研发人员：小桥力也，稻男洋一，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP