【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机混合物及其在有机电子器件中的应用本申请要求于2017年12月21日提交中国专利局、申请号为201711394504.6专利技术名称为“一种有机混合物及其在有机电子器件中的应用”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
本专利技术涉及有机电子器件领域，尤其涉及一种有机混合物。本专利技术还涉及所述有机混合物在有机电子器件中的应用。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)具有质轻、主动发光、视角广、对比度高、发光效率高、能耗低、易制备柔性和大尺寸面板等，被业界视为下一代的显示和照明的器件。为了推进有机发光二极管大范围产业化进程，进一步提高有机发光二极管的发光性能和寿命是目前急需解决的主要问题，其中，开发高性能的有机光电性能材料是解决问题的关键。有机发光二极管是电能转化为光能的装置，要进一步提高有机发光二极管的发光效率，就要尽可能提高能量转换效率，减少能量损失。就发光材料而言，根据电子自旋的统计法则，单线态和三线态激子以1:3的比例生成，这使得常规荧光发光材料的能量利用率最大只有25％，而磷光发光...
【技术保护点】
一种有机混合物，其特征在于，包含有机材料H1和H2，H1为如下通式(1)所示的化合物：/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】20171221 CN 2017113945046一种有机混合物，其特征在于，包含有机材料H1和H2，H1为如下通式(1)所示的化合物：
其中，
L
1为单键、取代或未取代的环原子数为5～30的芳香族烃基或芳香族杂环基，其连接位置可以是苯环上任意一碳原子上；
X
1表示单键、N(R)、C(R
5R
6)、Si(R
5R
6)、O、C＝N(R)、C＝C(R
5R
6)、P(R)、P(＝O)R、S、S＝O或SO
2；
X
2表示N(R)、C(R
5R
6)、Si(R
5R
6)、O、C＝N(R)、C＝C(R
5R
6)、P(R)、P(＝O)R、S、S＝O或SO
2；
R
1、R
2、R
3、R
4是取代基，分别独立选自H、D、F、CN、烯基、炔基、腈基、胺基、硝基、酰基、烷氧基、羰基、砜基、取代或未取代的碳原子数1～30的直链或支链烷基、取代或未取代的碳原子数3～30的环烷基、取代或未取代的环原子数为5～60芳香族烃基或芳香族杂环基，R
1、R
2、R
3、R
4的位置可以是稠环上任意一或多个碳原子上；
R、R
5、R
6分别独立表示H、D、取代或未取代的碳原子数1～30的烷基、取代或未取代的碳原子数3～30的环烷基、取代或未取代的环原子数为5～60芳香族烃基或芳香族杂环基，R
5和R
6键合或不键合形成饱和或不饱和的环结构；
H2的S1(H2)-T1(H2)≤0.3eV，其中S1(H2)，T1(H2)分别是H2的单线态能级和三线态能级。
根据权利要求1所述的有机混合物，其特征在于，H1和H2形成I型的半导体异质结结构，即H1的最高占有轨道能级低于H2的最高占有轨道能级，H1的最低未占有轨道能级高于H2的最低未占有轨道能级。
根据权利要求1至2任一项所述的有机混合物，其特征在于，H2为如下通式(2)～(5)之一所示的化合物：
其中，
L
2分别独立表示取代或未取代的环原子数为5～30的芳香族烃基或芳香族杂环基；
L
3表示单键、取代或未取代的环原子数为5～30的芳香族烃基或芳香族杂环基，L
3的连接位置可以是环上任意一碳原子上；
Ar
1、Ar
2、Ar
3、Ar
4、Ar
5、Ar
6分别独立表示取代或未取代的环原子数为5～30的芳香族烃基或芳香族杂环基；
X
3、X
4、X
5、X
6、X
7、X
8、X
9、X
10、X
11分别独立表示单键、N(R)、C(R
5R
6)、Si(R
5R
6)、O、C＝N(R)、C＝C(R
5R
6)、P(R)、P(＝O)R、S、S＝O或SO
2，但X
4和X
5不同时为单键，X
6和X
7不同时为单键，X
8和X
9不同时为单键，X
10和X
11不同时为单键；
R、R
5、R
6的含义同权利要求1；
R
7、R
8分别独立选自H、D、F、CN、烯基、炔基、腈基、胺基、硝基、酰基、烷氧基、羰基、砜基、取代或未取代的碳原子数1～30的烷基、取代或未取代的碳原子数3～30的环烷基、取代或未取代的环原子数为5～60芳香族烃基或芳香族杂环基，R
7、R
8的位置可以是稠环上任意一或多个碳原子上；
n表示1～6的整数。
根据权利要求3所述的有机混合物，其特征在于，化学式(2)～(5)中的Ar
1、Ar
2、Ar
3、Ar
技术研发人员：谭甲辉，何锐锋，潘君友，
申请(专利权)人：广州华睿光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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