用于LTE-SIM卡的加热装置及LTE设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于LTE‑SIM卡的加热装置及LTE设备，该加热装置包括：温度监测模块，被配置为能够监测SIM卡的环境温度，并在环境温度低于低温阈值时，向加热控制电路发出触发信号；加热控制电路，被配置为能够在收到触发信号时，将加热电路接通电源；加热电路，被配置为能够在接通电源时，加热SIM卡的环境温度。根据本发明专利技术的用于LTE‑SIM卡的加热装置及LTE设备，能够通过环境温度侦测和适当的加热控制使得设备的SIM卡始终保持在适宜的工作环境中，有助于保证SIM卡工作及整个设备的高可靠性，同时具有电路简单、可靠且成本低廉。

Heating device and LTE equipment for lte-sim card

【技术实现步骤摘要】
用于LTE-SIM卡的加热装置及LTE设备
本专利技术涉及一种用于LTE-SIM卡的加热装置及LTE设备。
技术介绍
随着信息技术快速发展和应用需求的多样化，在商用领域对于无线上网的需求越来越高，对其可靠性及低成本的追求也是与日俱增，在高寒地区有时会出现LTE-SIM卡的注册失效问题。因此，亟需设计一种新的能够兼顾成本与高可靠性的可有效在低温环境下对SIM卡进行必要的加热的新设计。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有的LTE设备中的SIM卡在过低温度的环境下可能失效，因而影响到设备可靠性的缺陷，提出一种新的用于LTE-SIM卡的加热装置及LTE设备。本专利技术是通过采用下述技术方案来解决上述技术问题的：本专利技术提供了一种用于LTE-SIM卡的加热装置，其特点在于，所述加热装置包括：温度监测模块，被配置为能够监测所述SIM卡的环境温度，并在所述环境温度低于低温阈值时，向加热控制电路发出触发信号；所述加热控制电路，被配置为能够在收到所述触发信号时，将加热电路接通电源；所述加热电路，被配置为能够在接通电源时，加热所述SIM卡的环境温度。根据本专利技术的一些实施方式，所述加热控制电路包括三极管和MOS管，所述MOS管被配置为能够通过自身导通与否控制所述加热电路接通及断开电源；所述三极管被配置为能够经由在接收到所述触发信号时切换至导通状态，以及能够通过自身导通与否控制所述MOS管的导通与否。根据本专利技术的一些实施方式，所述三极管的基极被配置为能够接收所述触发信号，所述三极管的集电极连接至所述MOS管的栅极，所述MOS管的源极和漏极分别连接电源正极和所述加热电路的一端，所述加热电路的另一端接地。根据本专利技术的一些实施方式，所述加热装置还包括微处理器，所述温度监测模块被配置为在监测到的所述环境温度低于所述低温阈值时，指令所述微处理器向所述三极管的基极发出所述触发信号。根据本专利技术的一些实施方式，所述三极管采用MMBT3904型号的三极管，所述MOS管采用PPMT30V4型号的P沟道MOS管。根据本专利技术的一些实施方式，所述微处理器电连接至所述三极管的基极，所述触发信号为高电平信号。根据本专利技术的一些实施方式，所述加热电路设有多个加热电阻，所述加热电阻贴设于所述SIM卡的四周和/或背部附近。根据本专利技术的一些实施方式，所述温度监测模块采用TMP75AIDG4型号的温度侦测芯片，所述温度侦测芯片布置于所述SIM卡的一侧。根据本专利技术的一些实施方式，所述温度监测模块还被配置为能够在所述环境温度达到所述低温阈值时，向加热控制电路发出关断信号；所述加热控制电路被配置为能够在收到所述关断信号时使得所述加热电路断开电源。本专利技术还提供了一种LTE设备，其包括SIM卡，其还包括如上所述的用于LTE-SIM卡的加热装置。在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本专利技术各较佳实例。本专利技术的积极进步效果在于：根据本专利技术的用于LTE-SIM卡的加热装置及LTE设备，能够通过环境温度侦测和适当的加热控制使得设备的SIM卡始终保持在适宜的工作环境中，有助于保证SIM卡工作及整个设备的高可靠性，同时可适用通用且低成本的电子器件搭建，因而其加热控制也可具有简单可靠的特点且成本低廉。附图说明图1为根据本专利技术优选实施例的用于LTE-SIM卡的加热装置的电路图。附图标记说明1：温度侦测芯片2：触发信号3：三极管4：MOS管5：加热电路具体实施方式下面结合说明书附图，进一步对本专利技术的优选实施例进行详细描述，以下的描述为示例性的，并非对本专利技术的限制，任何的其他类似情形也都将落入本专利技术的保护范围之中。在以下的具体描述中，方向性的术语，例如“左”、“右”、“上”、“下”、“前”、“后”等，参考附图中描述的方向使用。本专利技术各实施例中的部件可被置于多种不同的方向，方向性的术语是用于示例的目的而非限制性的。参考图1所示，根据本专利技术优选实施方式的用于LTE-SIM卡的加热装置，包括：温度监测模块，被配置为能够监测SIM卡的环境温度，并在环境温度低于低温阈值时，向加热控制电路发出触发信号2；加热控制电路，被配置为能够在收到触发信号2时，将加热电路5接通电源；加热电路5，被配置为能够在接通电源时，加热SIM卡的环境温度。如图1所示，根据本专利技术的一些优选实施方式，加热控制电路可包括三极管3和MOS管4。其中，MOS管4被配置为能够通过自身导通与否控制加热电路5接通及断开电源。三极管3被配置为能够经由在接收到触发信号2时切换至导通状态，以及能够通过自身导通与否控制MOS管4的导通与否。温度监测模块可采用诸如TMP75AIDG4型号的温度侦测芯片1。如图1所示，根据本专利技术的一些优选实施方式，三极管3的基极被配置为能够接收触发信号2，三极管3的集电极连接至MOS管4的栅极，MOS管4的源极和漏极分别连接电源正极和加热电路5的一端，加热电路5的另一端接地。根据本专利技术的一些优选实施方式，加热装置还包括微处理器(诸如CPU，图中未示出)，温度监测模块被配置为在监测到的环境温度低于低温阈值时，指令微处理器向三极管3的基极发出触发信号2。根据本专利技术的一些优选实施方式，在图1所示的示例中，三极管3采用MMBT3904型号的三极管3，MOS管4采用PPMT30V4型号的P沟道MOS管4。优选地，微处理器电连接至三极管3的基极，触发信号2为高电平信号。根据本专利技术的一些优选实施方式，温度监测模块还被配置为能够在环境温度达到低温阈值时，向加热控制电路发出关断信号；加热控制电路被配置为能够在收到关断信号时使得加热电路5断开电源。在图示示例中，举例来说，大致的温控逻辑及温控过程可以如下。温度侦测芯片1在对环境温度的侦测当环境温度低于某个温度值时通知CPU给一个高电平信号，使得三级管(图中也标示为VT10)与MOS管4(图中也标示为VT11)导通，通过VCC-12V给加热电路5中的加热电阻供电，使其产生热量。当侦测到达到所需的环境温度后通知CPU即可关闭加热电路5，并打开SIM卡的供电电路，使SIM在一个比较舒适的环境温度开始工作，以保证SIM工作的高可靠性。根据本专利技术的一些优选实施方式，加热电路5设有多个加热电阻，加热电阻贴设于SIM卡的四周和/或背部附近，温度侦测芯片1则可诸如布置于SIM卡的一侧。其中，加热电路5可如图1所示的设有8个100欧姆电阻，当然，根据实际需要，可以不同方式或者电阻数量构成该加热电路5。根据本专利技术的一些优选实施方式，如上的加热装置可应用于LTE设备中。经一些实际测试，在一款企业路由器设备上使用如上的电路进行了严苛的环境温度试验(-40摄氏度-65摄氏度)，对其进行了200个高低温环境循环，测试结果达到100％的高可靠性的SIM卡注册。根据本专利技术上述优选实施方式的用于LTE-SIM本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于LTE-SIM卡的加热装置，其特征在于，所述加热装置包括：/n温度监测模块，被配置为能够监测所述SIM卡的环境温度，并在所述环境温度低于低温阈值时，向加热控制电路发出触发信号；/n所述加热控制电路，被配置为能够在收到所述触发信号时，将加热电路接通电源；/n所述加热电路，被配置为能够在接通电源时，加热所述SIM卡的环境温度。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于LTE-SIM卡的加热装置，其特征在于，所述加热装置包括：
温度监测模块，被配置为能够监测所述SIM卡的环境温度，并在所述环境温度低于低温阈值时，向加热控制电路发出触发信号；
所述加热控制电路，被配置为能够在收到所述触发信号时，将加热电路接通电源；
所述加热电路，被配置为能够在接通电源时，加热所述SIM卡的环境温度。


2.如权利要求1所述的用于LTE-SIM卡的加热装置，其特征在于，所述加热控制电路包括三极管和MOS管，所述MOS管被配置为能够通过自身导通与否控制所述加热电路接通及断开电源；
所述三极管被配置为能够经由在接收到所述触发信号时切换至导通状态，以及能够通过自身导通与否控制所述MOS管的导通与否。


3.如权利要求1所述的用于LTE-SIM卡的加热装置，其特征在于，所述三极管的基极被配置为能够接收所述触发信号，所述三极管的集电极连接至所述MOS管的栅极，所述MOS管的源极和漏极分别连接电源正极和所述加热电路的一端，所述加热电路的另一端接地。


4.如权利要求3所述的用于LTE-SIM卡的加热装置，其特征在于，所述加热装置还包括微处理器，所述温度监测模块被配置为在监测到的所述环境温度低于所述低温阈值时，指令所述微处理器向所述三极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋永辉，
申请(专利权)人：上海剑桥科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31