【技术实现步骤摘要】
柔性阻变存储器及其制备方法
本专利技术属于存储器
，具体涉及一种柔性阻变存储器及其制备方法。
技术介绍
随着手机、平板电脑等一系列产品在大众生活中的逐渐普及，便携式电子产品受到越来越多的关注，相应的市场也空前巨大。其中，存储器作为电子产品的核心部件对器件的性能有着十分重要的作用。然而，受限于晶体管集成技术，以及尺寸微小化的瓶颈，当前市场的主流产品闪存(Flash)已无法满足市场及半导体产业对存储器的需求。因此，近年来国内外广大科研人员针对下一代存储器开展了许多研究。在可穿戴电子产品中，柔性存储器件成为不可缺少的一部分，电阻式开关随机存取存储器(RRAM)的结构简单，被认为是最有潜力的新型存储器件。此外，为了与柔性印刷电路兼容，研究者开发出了可印刷的解决方案来制备柔性RRAM。事实上，许多材料，尤其是金属氧化物，被视为制备RRAM的可靠材料而受到广泛研究。然而传统的含有机溶剂的前驱体溶液通常要在高温下退火，金属-有机化合物的分解反应也应在高温下进行，但是市面上普遍用于柔性电路的PET柔性基材普遍存在耐温性差的问题...
【技术保护点】
1.一种柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在柔性基材上制备第一电极；/n将氧化铝前驱体溶液涂覆于所述第一电极上形成薄膜，然后对所述薄膜进行热处理，得到包含Al
【技术特征摘要】
1.一种柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在柔性基材上制备第一电极；
将氧化铝前驱体溶液涂覆于所述第一电极上形成薄膜，然后对所述薄膜进行热处理，得到包含AlxIn2-xO3的阻变介质层，且1≤x＜2；
在所述阻变介质层上制备第二电极，得到柔性阻变存储器；
其中，所述第一电极的主要成分为氧化铟锡，所述氧化铝前驱体溶液包括铝盐、氧化剂和腐蚀剂；所述阻变介质层的In含量为1％-50％。
2.根据权利要求1所述的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度为100℃-150℃。
3.根据权利要求1所述的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述氧化铝前驱体溶液还包括pH调节剂；和/或
所述氧化铝前驱体溶液还包括燃烧剂。
4.根据权利要求1所述的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述第一电极的表面经过改性处理。
5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：裴艳丽，王新中，
申请(专利权)人：深圳信息职业技术学院，
类型：发明
国别省市：广东;44
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